半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：有源区，所述有源区在衬底上沿第一方向延伸；多个沟道层，所述多个沟道层在所述有源区上彼此垂直间隔开，并且包括半导体材料；栅极结构，所述栅极结构在所述衬底上沿第二方向延伸；和源极/漏极区，所述源极/漏极区在所述栅极结构的至少一侧设置所述有源区上。所述栅极结构与所述有源区和所述多个沟道层相交，并且围绕所述多个沟道层。所述源极/漏极区接触所述多个沟道层，并且包括第一杂质。在所述多个沟道层的至少一个沟道层中，与所述有源区相邻的下部区域包括第一浓度的所述第一杂质和第二杂质，并且上部区域包括低于所述第一浓度的第二浓度的所述第一杂质和所述第二杂质。和所述第二杂质。和所述第二杂质。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的相交引用
[0002]本申请要求于2021年1月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0001407的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术构思的实施例涉及半导体器件。

技术介绍

[0004]随着对高性能半导体器件的需求增加，半导体器件的高速、多功能化和集成程度也在增加。在制造具有与半导体器件的高集成趋势相对应的精细图案的半导体器件中，实现了具有精细宽度或精细分隔距离的图案。另外，正在进行努力开发包括具有三维沟道的鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件，以减小由于平面金属氧化物半导体FET(MOSFET)的尺寸的减小而导致的对操作特性的限制。

技术实现思路

[0005]示例实施例提供一种具有提高的可靠性的半导体器件。
[0006]根据示例实施例，一种半导体器件包括：有源区，所述有源区在衬底上沿第一方向延伸；多个沟道层，所述多个沟道层在所述有源区上彼此垂直间隔开，并且包括半导体材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：有源区，所述有源区在衬底上沿第一方向延伸；多个沟道层，所述多个沟道层在所述有源区上彼此垂直间隔开，并且包括半导体材料；栅极结构，所述栅极结构在所述衬底上沿第二方向延伸，其中，所述栅极结构与所述有源区和所述多个沟道层相交，并且围绕所述多个沟道层；和源极/漏极区，所述源极/漏极区在所述栅极结构的至少一侧设置在所述有源区上，其中，所述源极/漏极区接触所述多个沟道层，并且包括第一杂质，其中，在所述多个沟道层中的至少一个沟道层中，与所述有源区相邻的下部区域包括第一浓度的所述第一杂质和第二杂质，并且上部区域包括低于所述第一浓度的第二浓度的所述第一杂质和所述第二杂质。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二杂质的浓度从所述多个沟道层中的所述至少一个沟道层的所述下部区域和所述上部区域朝向所述多个沟道层中的所述至少一个沟道层的中央区域减小。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体材料包括第一半导体材料，并且所述第二杂质包括不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料和所述第二半导体材料包括硅、硅锗或锗中的至少一种。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一杂质包括磷、砷、锑、硼、镓或铝中的至少一种。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一浓度是在所述多个沟道层中的所述至少一个沟道层的所述下部区域中所述第一杂质的浓度和所述第二杂质的浓度之和的最大值，并且所述第二浓度是在所述多个沟道层中的所述至少一个沟道层的所述上部区域中所述第一杂质的浓度和所述第二杂质的浓度之和的最大值。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，与所述多个沟道层中的所述至少一个沟道层的所述下部区域和所述上部区域相邻的所述栅极结构的至少一些区域包括所述第一杂质和所述第二杂质中的至少一种。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一浓度和所述第二浓度之差为0.2原子％至1.5原子％。9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：多个内部间隔物层，所述多个内部间隔物层在所述多个沟道层中的每一个沟道层的下表面上设置在所述栅极结构的在所述第一方向上的两侧上。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极/漏极区中的所述第一杂质包括第一元素和第二元素，并且所述源极/漏极区包括：多个第一外延层，所述多个第一外延层设置在所述源极/漏极区的下部以及所述多个沟道层的在所述第一方向上的侧表面上，并且分别包括所述第一元素；以及第二外延层，所述第二外延层填充所述多个第一外延层之间的区域，并且包括所述第
二元素。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一元素包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：金奇奂，张星旭，郑秀珍，曹荣大，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：