基于氮化镓芯片、芯片制备方法及氮化镓功率器件、电路技术

本申请提供了一种芯片、氮化镓功率器件和电源驱动电路，其中，该芯片包括：衬底、设置于衬底上的多个氮化镓组件，多个氮化镓组件阵列排列；氮化镓组件包括分别设置于衬底上的有源区和非有源区，非有源区包围有源区的侧表面，有源区包括氮化镓层和氮化铝镓层形成的异质结，非有源区包括间隔设置的多个凹槽，该多个凹槽均贯穿非有源区并显露衬底，多个凹槽用于与每一个氮化镓组件相邻的氮化镓组件相隔离。与每一个氮化镓组件相邻的氮化镓组件相隔离。与每一个氮化镓组件相邻的氮化镓组件相隔离。与每一个氮化镓组件相邻的氮化镓组件相隔离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：侯召政，王汉星，唐高飞，
申请(专利权)人：华为数字能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：