用于等离子体室的低温烧结涂层制造技术

一种用于在衬底处理系统的部件上形成涂层的方法包括：将所述部件布置在处理室中；以及施加陶瓷材料以在所述部件的一个或更多个表面上形成所述涂层。所述陶瓷材料包括混合物，所述混合物包括稀土氧化物且晶粒尺寸小于150nm，并且是在所述处理室内的温度小于400℃时施加。所述涂层的厚度小于30μm。在热处理室中对经涂覆的部件进行热处理工艺。所述热处理工艺包括在第一期间内将所述热处理室的温度从第一温度提高至第二温度，以及在第二期间内维持在所述第二温度，其中所述第二温度不超过所述混合物的熔化温度。所述混合物的熔化温度。所述混合物的熔化温度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于等离子体室的低温烧结涂层
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2019年11月22日申请的美国临时申请No.62/939,353的利益。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。


[0002]本公开涉及用于等离子体衬底处理室中的部件的保护性涂层。

技术介绍

[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]衬底处理系统可用于处理诸如半导体晶片之类的衬底。可以在衬底上执行的示例性工艺包括但不限于化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、导体蚀刻和/或其他蚀刻、沉积或清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上，衬底支撑件例如基座、静电卡盘(ESC)等。在蚀刻期间，可以将包括一种或多种前体的气体混合物引入处理室，并且可以使用等离子体来引发化学反应。

技术实现思路

[0005]一种用于在衬底处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在衬底处理系统的部件上形成涂层的方法，所述方法包括：将所述部件布置在处理室中；施加陶瓷材料以在所述部件的一个或更多个表面上形成所述涂层，其中所述陶瓷材料包括混合物，所述混合物包括稀土氧化物且所述混合物的晶粒尺寸小于150nm，其中所述陶瓷材料是在所述处理室内的温度小于400摄氏度时施加，且其中所述涂层的厚度小于30μm；将所述部件布置在热处理室中；以及对包括所述涂层的所述部件执行热处理工艺，其中所述热处理工艺包括在第一期间内将所述热处理室的温度从第一温度提高至第二温度，以及在第二期间内将所述热处理室维持在所述第二温度，其中所述第二温度不超过所述混合物的熔化温度。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理室被配置成执行等离子体蚀刻。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述部件是介电窗。4.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述陶瓷材料包括：使用气溶胶沉积以施加所述陶瓷材料。5.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述陶瓷材料包括使用物理气相沉积、化学气相沉积以及热喷涂中的至少一者来施加所述陶瓷材料。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述混合物包括钇氧化物。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二温度低于1400摄氏度。8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二温度低于1300摄氏度。9.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：大卫，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：