晶圆加工设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶圆加工设备，包括反应腔室、供料装置、加工装置、支撑座和绝缘件；反应腔室设有第一通孔，供料装置与第一通孔连通，加工装置对应第一通孔设置于反应腔室内，支撑座对应加工装置设置；绝缘件设置于第一通孔，绝缘件用于阻碍等离子体进入第一通孔。本实用新型专利技术的晶圆加工设备通过设置反应腔室，提供晶圆加工的场所，通过设置供料装置提供晶圆加工的原料，通过设置支撑座对晶圆进行支撑，通过设置加工装置向晶圆喷射等离子体并对晶圆进行加工，同时通过设置绝缘件能够阻碍加工装置产生的等离子体进入工料装置的供料管和第一通孔，能够对供料管和第一通孔处的反应腔室形成保护。应腔室形成保护。应腔室形成保护。

【技术实现步骤摘要】
晶圆加工设备


[0001]本技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种晶圆加工设备。

技术介绍

[0002]晶圆处理被用于通过技术来处理半导体，所述技术包括：物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)、化学气相沉积(Chemical vapor deposition，CVD)、等离子体增强化学气相沉积(Plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)、等离子体增强原子层沉积(Plasma enhanced atomic layer deposition，PEALD)、脉冲沉积层(Pulse deposition layer，PDL)、分子层沉积(Molecular layer deposition，MLD)、等离子体增强脉冲沉积层(Plasma enhanced pulsed deposition layer，PEPDL)处理、蚀刻和抗蚀剂去除等。
[0003]在以等离子体的方式处理晶圆的过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工设备，其特征在于，包括反应腔室、供料装置、加工装置、支撑座和绝缘件；所述反应腔室设有第一通孔，所述供料装置与所述第一通孔连通，所述加工装置对应所述第一通孔设置于所述反应腔室内，所述支撑座对应所述加工装置设置，所述支撑座用于放置晶圆，所述供料装置用于向所述加工装置提供原料，所述加工装置用于产生等离子体并对晶圆进行加工；所述绝缘件设置于所述第一通孔，所述绝缘件用于阻碍等离子体进入所述第一通孔。2.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述绝缘件中空设置，且所述绝缘件与所述第一通孔同轴设置。3.根据权利要求1或2所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述绝缘件设有第一段部和第二段部，且所述第一段部和所述第二段部的直径不同。4.根据权利要求1或2所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述绝缘件设有弧形段。5.根据权利要求4所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述弧形段设置为至少两个。6.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于，还包括排料装置；所述反应腔室设有第二通孔，所述排料装置通过所述第二通孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴雪，李晶，野沢俊久，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：