薄膜谐振器装置及其制作方法制造方法及图纸

用改进的压电膜制成一薄膜谐振器（ＴＦＲ），改进的压电膜是在生长表面上外延生长的，得到的压电膜有很少晶粒边界。外延生长是指，压电膜有一结晶学取向，它取自或仿照一单晶衬底或生长表面的结晶学取向。例如，在以单晶硅衬底为生长表面上外延生长的压电膜，可以制作有很少或没有晶粒边界的改进的压电膜。按照本发明专利技术的另一个方面，披露了制作ＴＦＲ的一种方法，其中，压电膜是在一衬底上生长的。随后，除去衬底的一部分，最后在压电膜的两侧淀积电极。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜谐振器(TFR)和制作TFR的一种方法。TFR是薄膜声学器件，它能在例如．5至5吉赫(GHz)的射频到微波范围内，响应电信号而谐振。附图说明图1画出一典型的TFR 10，它在第一电极14和第二电极16之间有一压电膜12，两个电极向压电膜12施加电场。膜12用呈现压电效应的压电结晶材料制作，如氧化锌，氮化铝(AlN)，和其他的压电结晶材料。压电材料响应施加的跨越压电材料的电场，例如通过第一和第二电极14和16施加的电场，产生膨胀或收缩，或者响应施加于压电材料的应力或应变，产生电场，这就是压电效应。如果跨越膜12的电场是交变电场，其频率分量等于膜12的各个谐振频率，那么膜12将在各个谐振频率上(如基频和各个谐波)发生振动，对一厚度一致的膜，其基频定义为膜12中声速(v)除以膜厚(t)的两(2)倍，即fr=v/2t。如果膜12在各个谐振频率上发生机械振动，它便在各个谐振频率上产生交变电场。第一和第二电极14和16通常是金属，如铝。若第一电极14和空气之间的声阻抗失配，则在第一电极14的上表面和空气之间的界面，产生第一声反射面18。第二电极16和衬底24(或空气，如果本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作薄膜谐振器装置的方法，所述方法的特征为包括步骤：提供一生长表面（４０）；和在所述生长表面（４０）上外延生长一压电膜（４６），直至其厚度给出所述薄膜谐振器的谐振频率。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔詹姆斯曼弗拉，劳伦内尔普雷弗尔，肯尼斯威廉韦斯特，黄耀萱，
申请(专利权)人：朗迅科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]