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薄膜谐振器装置及其制作方法制造方法及图纸
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文档序号:3407369
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用改进的压电膜制成一薄膜谐振器(TFR),改进的压电膜是在生长表面上外延生长的,得到的压电膜有很少晶粒边界。外延生长是指,压电膜有一结晶学取向,它取自或仿照一单晶衬底或生长表面的结晶学取向。例如,在以单晶硅衬底为生长表面上外延生长的压电膜,...
该专利属于朗迅科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过朗迅科技公司授权不得商用。
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