谐振器结构和具有这样的谐振器结构的滤波器制造技术

谐振器结构（６００，８００，８１０，８２０）包括两个导电层（１１０，１２０）和在这两个导电层之间的压电层（１００），所述导电层和压电层在谐振器结构的第一区域上延伸，该第一区域是谐振器结构的压电激励的区域。谐振器结构的特征在于，谐振器结构被安排成有一个区（６０３，８０１，８０３，８０４），它限定在谐振器的第一区域内的中心区域（６０４，８０２），以及在该区中的层结构被安排成使得压电激励的振动在该区中比在中心区域中更有效地被阻尼。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的涉及压电谐振器和包括压电谐振器的滤波器。具体地，本专利技术涉及具有简单结构和在运行频率上有良好电响应的谐振器结构。移动电信的发展继续向着更小的和不断复杂的手持单元方向进行。这种发展导致对于移动通信装置中使用的元件和结构的小型化的增长的需求。这种发展也关系到射频滤波器结构，它不仅不断地小型化，还应当能够承受相当大的功率电平，具有非常陡的通带边沿和低的损耗。在现有技术移动电话中使用的RF滤波器常常是分立的声表面波(SAW)滤波器或陶瓷滤波器。体声波(BAW)谐振器还没有广泛使用，但它们比起SAW谐振器具有某些优点。例如，BAW结构具有良好的、高的功率电平容许量。已经知道，在半导体晶片上，诸如硅(Si)或砷化镓(GaAs)晶片上，构建薄膜体声波(BAW)谐振器。例如，在K.M.Lakin和J.S.Wang的、题目为“Acoustic Bulk Wave Composite Resonator(体声波复合谐振器)”的论文，Applied Physics Letters，Vol.38，No.3，pp.125-127，Feb.1，1981，揭示了体声波谐振器，它包括被溅射在硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
.谐振器结构（６００，８００，８１０，８２０），包括两个导电层（１１０，１２０）和在这两个导电层之间的压电层（１００），所述导电层和压电层在谐振器结构的第一区域上延伸，该第一区域是谐振器结构的压电激励的区域，其特征在于， － 谐振器结构被安排成有一个区（６０３，８０１，８０３，８０４），它限定在谐振器的第一区域内的中心区域（６０４，８０２），以及 － 在该区中的层结构被安排成使得压电激励的振动在该区中比在中心区域中更有效地被阻尼抑制。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J凯蒂拉，M伊利拉米，J埃莱，
申请(专利权)人：诺基亚有限公司，
类型：发明
国别省市：FI[芬兰]