谐振器结构和包括这种谐振器结构的滤波器制造技术

一种谐振器结构（１２００，１３００，１４００），能够在其中用压电方式激励特定的波模，包括至少两个导体层（１１０，１２０）和这些导体层之间的至少一个压电层（１１０），所述导体层和压电层在谐振器结构的第一个区域上延伸，这第一个区域是谐振器结构中能够用压电方式激励的区域。谐振器结构的特征在于它有一个框状的区域（２，４）包围着第一个区域内的中心区域（３），框状区域的层结构内能够用压电方式激励的波模的截止频率不同于中心区域的层结构内的，框状区域的宽度和框状区域的层结构的声学特性使得跟能够用压电方式激励的最强谐振模有关的位移在谐振器的中心区域内基本上是均匀的。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压电谐振器，以及有这种压电谐振器的滤波器。具体而言，本专利技术涉及一种谐振器结构，它制造起来非常简单，并且具有良好的电特性。移动通信不断地朝着更小更复杂的手持单元方向发展。朝着这个方向发展要求移动通信装置中元件和结构越来越小巧。射频(RF)滤波器的结构也是这样，尽管要求它的体积越来越小，但与此同时还要求它能够承受相当高的功率，具有非常陡峭的通带边缘，以及非常小的损耗。现有技术移动电话中使用的射频滤波器常常是离散的声表面波(SAW)滤波器或者陶瓷滤波器。体声波(BAW)谐振器还没有得到广泛应用，部分原因是还没有找到可行的方法将这样的谐振器跟其它电路结合起来。但是，跟声表面波谐振器相比，体声波谐振器具有某些优点。例如，体声波结构更能够承受高功率。人们知道可以在半导体晶片上制作薄膜体声波谐振器，比如在硅(Si)或者砷化镓(GaAs)这样的晶片上。例如，在1981年2月1日《应用物理通信》杂志第38卷第3期第125～127页K.M.Lakin和J.S.Wang标题是“体声波复合谐振器”的文章上，公开了一种体声波谐振器，它有一个氧化锌(ZnO)压电薄膜，溅射在硅(Si)膜片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种谐振器结构（１２００，１３００，１４００），可以在其中用压电方式激励特定的波模，其中的谐振器结构包括至少两个导体层（１１０，１２０）和导体层之间的至少一个压电层（１００），所述导体层和压电层在谐振器结构的第一个区域上延伸，这里的第一个区域是谐振器结构中能够用压电方式进行激励的区域，其特征在于 －这里的谐振器结构包括一个框状的区域（２，４），它包围着一个中心区域（３）， －这个中心区域在谐振器结构的第一个区域内， －在框状区域的层结构中能够用压电方式激励的波模的截止频率不同于中心区域的层结构中能够用压电方式激励的波模的截止频率，和 －框状区域的宽度和框状区域内层结构的...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J凯蒂拉，M伊利拉米，J埃莱，
申请(专利权)人：诺基亚有限公司，
类型：发明
国别省市：FI[芬兰]