具有晶种层的改进的谐振器制造技术

本发明专利技术公开了一种具有晶种层（４０）的薄膜谐振器（３２）及其制造方法。该谐振器（３２）具有晶种层（３８），有利于谐振器（３２）的高品质压电层（１７）的构造。该谐振器（３２）具有晶种层（３８）、一个底部电极（１６）、压电层（１７）和一个顶部电极（２０）。该晶种层（４０）采用与压电层（１７）相同的材料，例如氮化铝（ＡＬＮ）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种构造于衬底（１４）之上的谐振器（３２），该谐振器（３２）包括：晶种层部分（４０）；在所述晶种层之上的底部电极（１６）；在所述底部电极之上的压电部分（１８）；和在所述压电部分之上的顶部电极（２０）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：保罗D布拉德利，唐纳德李，多明戈A菲格雷多，
申请(专利权)人：安华高科技无线IP新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：SG[新加坡]