噪声滤波器制造技术

一种噪声滤波器，包括层压体，所述层压体包括磁层、线路导体和接地导体，一个线路导体和一个接地导体交替设置在所述磁层间各接合面上。电信号被施加到线路导体而接地导体接地时，通过利用磁层的磁损，高频噪声被衰减了。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及控制电磁干扰的噪声滤波器，尤其涉及一种通过吸收高频部分来衰减噪声的噪声滤波器。
技术介绍
图26说明了一种已知的噪声滤波器100。所述噪声滤波器100包括金属线101，连接金属线101两端的电极102和主体103。电极102被主体103覆盖。主体103是由铁素体树脂制成，所述的铁素体树脂是烧结的铁素体粉末的混合物，它既是一种磁性粉末，也是一种树脂。所述的烧结的铁素体不局限于由μ′-jμ″表示的复导磁率的磁损μ″的频率界线。噪声滤波器100的去噪范围有效地扩展到1GHz以上的几GHz的范围。在高频范围中的衰减是所期望的。(日本未审查的专利申请公开No.2000-91125，图1)图27说明了另一种已知的噪声滤波器110。内部导体112被同轴设置在作为圆柱形外部导体的金属圆柱体111内，并穿过金属圆柱体111。由金属圆柱体111和内部导体112界定的空间充满复合磁性材料114，所述复合磁性材料114包括作为主要成分的Si-Fe基磁性粉末。作为复合磁性材料114主要成分的Si-Fe基磁性粉末是鳞状的，并且具有复比导磁率(complex specific permeability)μr′-jμr″和复比介电常数εr′-jεr″。噪声滤波器110是一种分布参数电路，所述的噪声滤波器110由于共振的原因不会经历在GHz频带的插入衰减特性的退降(degradation)，而作为集总参数电路的噪声滤波器通常会经历在GHz频带的插入衰减特性的退降。包括Si-Fe基磁性粉末的复合磁性材料114在高频范围内保持μr′。伴随这一点，μr″的峰值被移向高频区域。结果，插入损失特性从MHz频带到GHz频带保持在令人满意的水平。参考日本未审查的专利申请公开No.11-273924(图1)。图28说明了另一种已知的噪声滤波器120。噪声滤波器120是在高频区域能可靠吸收高频部分的低通滤波器。噪声滤波器120包括地电极121、信号线电极122和绝缘基体123。地电极121和信号线电极122设置在绝缘基体123上。绝缘基体123是一种复合材料，包括铁磁金属粉末和绝缘树脂的混合物。绝缘基体123吸收在由信号线电极122传导的信号中的高频范围内不需要的高频部分。参考日本未审查的专利申请公开No.8-78218。已知噪声滤波器100具有以下缺点。噪声滤波器100具有围绕金属线101的由磁性材料制成的主体103，因此所述噪声滤波器100作为具有金属线101的阻抗元件，所述金属线101具有响应主体103的导磁率的自感响应。噪声滤波器100与传输线，例如印刷电路板串联连接，导致了阻抗不匹配，从而反射并控制噪声。形成主体103的磁性材料的复导磁率μ′-jμ″对噪声滤波器100的阻抗作出贡献。噪声控制在磁损μ″没有发生的频率范围中实现。换句话说，由于插入损失在低频范围中发生，因此低频带通特性受到不利影响。噪声滤波器110和120具有如下缺点。噪声滤波器110和120在复合磁性材料114和绝缘基体123中包含磁性粉末。因此，磁损μ″没有急剧地提高，插入损失特性没有急剧地提高，并且大的衰减没有在特定频率以上的频率范围中实现。
技术实现思路
为了克服上述问题，本专利技术的优选实施例提供了一种具有极好的低频带通特性的噪声滤波器，以及提供了一种具有急剧上升的插入损失特性和在特定频率以上提供大幅度衰减的噪声滤波器。在本专利技术的优选实施例中，噪声滤波器包括层压体，所述层压体包括磁性层、线路导体和接地导体，其中所述线路导体和接地导体之一被设置在所述磁层间的每个接合面中，这样一个线路导体与一个接地导体在层压体中交替，并且一个接地导体设置在顶磁层，另一个接地导体设置在底磁层上。所述磁层是由磁性氧化物制成，并且对于在低于磁损发生频率的频率范围中的电信号产生很少或不产生衰减，而使在磁损发生的频率范围内的电信号衰减。所述噪声滤波器提供随频率急剧升高的磁损μ″，并在磁损升高的频率处大幅度衰减电信号。所述噪声滤波器不衰减在低于磁损发生频率的频率范围中的电信号，但是使在磁损发生的频率范围内的电信号衰减。一个极好的低频带通就这样获得了。按照本专利技术优选实施例所述的噪声滤波器将描述如下。在本专利技术的第一个优选实施例中，噪声滤波器包括一个层压体，所述层压体包括磁层、线路导体和接地导体，其中所述线路导体和接地导体之一被设置在所述磁层间的每个接合面上，这样一个线路导体与一个接地导体在层压体中交替，并且一个接地导体设置在顶磁层上，另一个接地导体设置在底磁层上。设置在所述磁层间的线路导体是串联连接的。优选所述磁层是由磁性氧化物制成的，磁性氧化物的磁损超过1的频率优选等于或大于约80MHz。所述磁层对于在低于磁损发生频率的频率范围中的电信号产生很少或不产生的衰减，而使在磁损发生的频率范围内的电信号衰减。在按照本专利技术第一个优选实施例所述的噪声滤波器中，所述接地导体设置在每个顶磁层和底磁层上，并且所述线路导体和接地导体被交替设置在所述磁层间的接合面中。在这种安排方式中，所述接地导体叠盖住夹在磁层间的所述线路导体的全部长度。这种设置限制了沿接地导体间每层上的线路导体传输的电信号，因此防止电信号在滤波器的通频带中被衰减。由于所述接地导体被设置在顶磁层和底磁层上，所以噪声滤波器阻止了噪声从外界进入线路导体，从而可靠地传导电信号。如果所有磁层的厚度彼此近似相等，并且所有线路导体的宽度彼此近似相等，那么所有线路导体的特性阻抗就彼此大致相等。由于所述串联的线路导体的特性阻抗具有近似固定的特性阻抗，所以噪声没有在导体线路的中间反射。这种设置控制了噪声的共振，并有助于与外部电路的阻抗匹配。当设置在磁层间的线路导体被串联连接起来时，线路路径的总长度增加了，这样提高了由导体线路传导的噪声的衰减。在第一个优选实施例中，所述线路导体优选具有蜿蜒曲折的形状。作为选择地，线路导体也可以具有螺旋线的形状。所述线路导体被设置在分层的磁层之间，并且围绕与磁层层压方向对齐的中心轴线界定了线圈。具有弯曲形状或螺旋线形状的线路导体的长度大于直线形导体的长度，因此提高了噪声的衰减。尽管线圈状的导体提高了噪声滤波器的整体厚度，但是噪声滤波器底面的面积近似等于线圈圈孔的面积。这样，噪声滤波器设置在小的安装面积中。和直线形导体相比，线圈状的导体提供了加长的长度。因此噪声的衰减被提高了。在本专利技术的第二个优选实施例中，噪声滤波器包括层压体，所述层压体包括磁层。它的每个顶磁层和底磁层都包括一个接地导体。线路导体和接地导体被交替设置在磁层之间的接合面上。设置在磁层间的线路导体的一端被连接到不同的信号输入电极上，而线路导体的另一端被连到不同的信号输出电极上。所述磁层优选由磁性氧化物制成，磁损高过1处的频率等于或高于约80MHz。所述磁层对于在低于磁损发生频率的频率范围中的电信号不产生或产生非常少的衰减，而使在磁损发生的频率范围内的电信号衰减。依照本专利技术的第二个优选实施例所述的噪声滤波器能使每个线路导体作为低通滤波器使用，它一起定义了噪声滤波器阵列。多个线路导体各自作为独立的低通滤波器，并且没有包含在线路导体中间的阻抗错误匹配。在这个设置中，噪声不能在导体线路的中间反射。这种设置控制了噪声的共振，并且有助于与外电路的阻抗匹配。在本专利技术的第三个优选实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种噪声滤波器，包括：层压体，所述层压体包括磁层、线路导体和接地导体，其中所述线路导体和接地导体之一被设置在所述磁层间各接合面上，这样一个线路导体与一个接地导体在层压体中交替，并且有一个接地导体设置在顶磁层上，另一个接地导体设置在底 磁层上，以及设置在所述磁层之间的线路导体串联连接，其中：所述磁层是由磁性氧化物制成，并且对于在低于磁损发生频率的频率范围中的电信号产生很少的或不产生衰减，而使在磁损发生的频率范围内的电信号衰减。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：内田胜之，山本秀俊，儿玉高志，竹中一彦，大槻健彦，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]