【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种麦克风前置放大器的阻抗电路，其为一互补式金属氧化半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)阻抗电路，具有较高的输入阻抗，以提升该前置放大电路的效能。
技术介绍
一般的麦克风是用以将一声音讯号转变为一电子讯号(如电压或电流讯号)，通常该电子讯号是相当微弱的，因此无法将该麦克风直接连接至一放大器，而必须在该麦克风与该放大器之间设一前置放大器，以避免讯号衰竭，并同时放大该电子讯号。请参阅图1所示，一般常用的前置放大器1设于一麦克风4与一放大器(图中未示)之间，其包含一N通道接面场放晶体管2(N ChannelJunction Field Effect Transistor，NJFET)与一电阻3，其中该麦克风4所产生的讯号输入该晶体管2的闸极，而该晶体管2的汲极与源极则分别为输出端与接地，该电阻3则设于该麦克风与该晶体管2闸极之间。为了有较佳的讯号杂讯比，该电阻3的输入阻抗越大越好。然而，该电阻3的输入阻抗仅约100×106欧姆而已，抗杂讯的效果较差，而且无法整合于单一晶片的制程内，不符合微型化...
【技术保护点】
一种麦克风前置放大器的阻抗电路，其包含有：二Ｎ通道金属氧化半场效晶体管，且该二Ｎ通道金属氧化半场效晶体管的Ｐ井为接地；以及二Ｐ通道金属氧化半场效晶体管，且该二ｐ通道金属氧化半场效晶体管的Ｎ井连接于一参考电压；其中，各 该晶体管的闸极与源极相连接，并共同形成一桥式电路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王启林，黄思伦，廖禄立，刘瑞彬，叶肇宇，
申请(专利权)人：美律实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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