麦克风前置放大器的阻抗电路制造技术

本发明专利技术是一种麦克风前置放大器的阻抗电路，设于一麦克风与一放大器之间，用以提供较高的输入阻抗，并提升该前置放大器的效能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种麦克风前置放大器的阻抗电路，其为一互补式金属氧化半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)阻抗电路，具有较高的输入阻抗，以提升该前置放大电路的效能。
技术介绍
一般的麦克风是用以将一声音讯号转变为一电子讯号(如电压或电流讯号)，通常该电子讯号是相当微弱的，因此无法将该麦克风直接连接至一放大器，而必须在该麦克风与该放大器之间设一前置放大器，以避免讯号衰竭，并同时放大该电子讯号。请参阅图1所示，一般常用的前置放大器1设于一麦克风4与一放大器(图中未示)之间，其包含一N通道接面场放晶体管2(N ChannelJunction Field Effect Transistor，NJFET)与一电阻3，其中该麦克风4所产生的讯号输入该晶体管2的闸极，而该晶体管2的汲极与源极则分别为输出端与接地，该电阻3则设于该麦克风与该晶体管2闸极之间。为了有较佳的讯号杂讯比，该电阻3的输入阻抗越大越好。然而，该电阻3的输入阻抗仅约100×106欧姆而已，抗杂讯的效果较差，而且无法整合于单一晶片的制程内，不符合微型化的要求。再请参阅图2所示，另一常用的前置放大器5除了改用P型金氧半场放晶体管6(P Type Metal-Oxide Semiconductor Field EffectTransistor，PMOSFET)取代N通道接面场效晶体管之外，还利用一对极性相反且并联的二极管71&72取代原本的电阻，不仅输入阻抗可达×109欧姆，还可整合至单一晶片内。然而，该二极管71&72的制程相依性高，不利于集成电路制程的大量制造，且对于电子讯号的反应亦不够灵敏，仍有待进一步改善。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种麦克风前置放大器的阻抗电路，其具有较高的输入阻抗而使该前置放大器具有更佳的效能。本专利技术的次一目的在于提供一种麦克风前置放大器的阻抗电路，其可整合于集成电路制程中，并可大量制造。本专利技术的再一目的在于提供一种麦克风前置放大器的阻抗电路，其具有低耗电功率与高灵敏度的优点。为实现上述目的，本专利技术提供的麦克风前置放大器的阻抗电路，其包含有二N通道金属氧化半场效晶体管(N Channel MOSFET)，且该二N通道金属氧化半场效晶体管的P井为接地；以及二P通道金属氧化半场效晶体管(P Channel MOSFET)，且该二p通道金属氧化半场效晶体管的N井连接于一参考电压；其中，各该晶体管的闸极与源极相连接，并共同形成一桥式电路。其中该阻抗电路与一麦克风之间还可设一电容。其中该电容为多晶硅-绝缘层-多晶硅(Polysilcon-Insulator-Polysilcon，PIP)电容。其中该电容为金属-绝缘层-金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)电容。其中该电容为多晶硅-绝缘层-金属(Polysilcon-Insulator-Metal，PIM)电容。由此，本专利技术的阻抗电路可避免该等晶体管体效应(Body Effect)的发生，不仅能得到更大的输入阻抗，并同时扩大最大输入阻抗的发生范围，进而提升该麦克风前置放大器的整体效能。附图说明为了详细说明本专利技术的构造及特点所在，举以下较佳实施例并配合图2为另一常用的麦克风前置放大器的电路图。图3为本专利技术前置放大器的电路图。图4为本专利技术阻抗电路的输入阻抗与输入直流偏压的关系图。具体实施例方式请参阅图3所示，本专利技术提供一种麦克风前置放大器10的阻抗电路20，其连接于一麦克风11与一放大器(图中未示)之间，该阻抗电路20包含有二N型金属氧化半场效晶体管21&22(N Typc MOSFET)，且该二N型金属氧化半场效晶体管21&22的P井211&221为接地GND。二P型金属氧化半场效晶体管23&24(P Type MOSFET)，且该二P型金属氧化半场效晶体管23&24的N井231&241连接于一参考电压Vdd。其中，各该晶体管21&22&23&24之闸极与源极相连接，以达成类似二极管的效果，且该等晶体管21&22&23&24构成一桥式电路。另外，该麦克风11与该阻抗电路20之间还连接有一电容30，用以过滤该麦克风所产生的漏电流，确保电路操作在最大的输入阻抗。该电容30可以多晶硅-绝缘层-多晶硅(Polysilcon-Insulator-Polysilcon，PIP)、金属-绝缘层-金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)与多晶硅-绝缘层-金属(Polysilcon-Insulator-Metal，PIM)等集成电路技术来制作。将本专利技术的电路利用台湾集成电路公司(TSMC)所提供的CMOS 0.35μm 2P4M制程的模拟程序(Simulation Program with Integrated CircuitEmphasis，SPICF)进行模拟，其结果请参阅图4，该参考电压Vdd设定为3.3伏特时，当直流偏压介于-0.5伏特至0.5伏特之间，本专利技术的输入阻抗可达200×109欧姆以上，而当直流偏压高于0.5伏特或低于-0.5伏特时，输入阻抗将随著正偏压的增加或负偏压的减少而急剧下降。综合前述，本专利技术的阻抗电路是提供高输入阻抗，高灵敏度，可提升麦克风前置放大器的整体效能，更可整合于集成电路制程中，有利于大量制造与降低成本。权利要求1.一种麦克风前置放大器的阻抗电路，其包含有二N通道金属氧化半场效晶体管，且该二N通道金属氧化半场效晶体管的P井为接地；以及二P通道金属氧化半场效晶体管，且该二p通道金属氧化半场效晶体管的N井连接于一参考电压；其中，各该晶体管的闸极与源极相连接，并共同形成一桥式电路。2.依据权利要求1所述麦克风前置放大器的阻抗电路，其特征在于，其中该阻抗电路与一麦克风之间还可设一电容。3.依据权利要求2所述麦克风前置放大器的阻抗电路，其特征在于，其中该电容为多晶硅-绝缘层-多晶硅电容。4.依据权利要求2所述麦克风前置放大器的阻抗电路，其特征在于，其中该电容为金属-绝缘层-金属电容。5.依据权利要求2所述麦克风前置放大器的阻抗电路，其特征在于，其中该电容为多晶硅-绝缘层-金属电容。全文摘要本专利技术是一种麦克风前置放大器的阻抗电路，设于一麦克风与一放大器之间，用以提供较高的输入阻抗，并提升该前置放大器的效能。文档编号H03H7/38GK1691497SQ20041003503公开日2005年11月2日 申请日期2004年4月19日 优先权日2004年4月19日专利技术者王启林, 黄思伦, 廖禄立, 刘瑞彬, 叶肇宇 申请人:美律实业股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种麦克风前置放大器的阻抗电路，其包含有：二Ｎ通道金属氧化半场效晶体管，且该二Ｎ通道金属氧化半场效晶体管的Ｐ井为接地；以及二Ｐ通道金属氧化半场效晶体管，且该二ｐ通道金属氧化半场效晶体管的Ｎ井连接于一参考电压；其中，各 该晶体管的闸极与源极相连接，并共同形成一桥式电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王启林，黄思伦，廖禄立，刘瑞彬，叶肇宇，
申请(专利权)人：美律实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]