梯型滤波器制造技术

本发明专利技术提供了一种梯型滤波器。该梯型滤波器包括：串联谐振器，该串联谐振器具有第一层叠膜，在该第一层叠膜中，上部电极和下部电极隔着压电膜而彼此面对，并且在该第一层叠膜上设有第一膜；以及并联谐振器，该并联谐振器具有第二层叠膜，该第二层叠膜具有与所述第一层叠膜相似的结构，在该第二层叠膜上设有第二膜以及与所述第一膜相同的另一第一膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及梯型滤波器，更具体地说，涉及一种利用压电薄膜谐振 器的梯型滤波器。
技术介绍
由于诸如蜂窝式电话之类的无线设备的迅速普及，对于紧凑且重量 轻的谐振器以及利用这种谐振器的滤波器的需求越来越大。在过去，使用介质滤波器和表面声波(SAW)滤波器。近来，对于压电薄膜谐振器 以及利用这种谐振器的滤波器进行了大量的研究和开发活动。压电薄膜谐振器可分成FBAR (薄膜腔声谐振器)型和SMR (固态 装配谐振器)型两种。FBAR具有由上部电极、压电膜和下部电极构成的 主要结构，并具有设在下部电极下方且位于上部电极和下部电极隔着压 电膜彼此重叠的重叠区域(谐振部分)内的中空空间。可以通过对硅基 板的主表面上的牺牲层进行湿蚀刻而在下部电极和硅基板之间限定所述 中空空间。也可以通过从基板的背面对该基板进行湿蚀刻或干蚀刻来形 成所述中空空间。SMR采用声反射膜而不是中空空间，其中，将声阻抗 相对较高的第一膜和声阻抗相对较低的第二膜交替层叠成A/4的膜厚，其 中人为谐振器声波的波长。上部电极和下部电极可以由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钨(W)、 钽(Ta)、钼(Pt)、钌(Ru)、铑(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种梯型滤波器，该梯型滤波器包括：　　　　串联谐振器，该串联谐振器具有第一层叠膜，在该第一层叠膜中，上部电极和下部电极隔着压电膜而彼此面对，并且在该第一层叠膜上设有第一膜；以及　　　　并联谐振器，该并联谐振器具有第二层叠膜，该第二层叠膜具有与所述第一层叠膜相似的结构，在该第二层叠膜上设有第二膜以及与所述第一膜相同的另一第一膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：谷口真司，西原时弘，横山刚，岩城匡郁，远藤刚，斋藤康之，江原永典，上田政则，
申请(专利权)人：富士通媒体部品株式会社，富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]