【技术实现步骤摘要】
背刷锡产品的回流曲线优化方法
[0001]本专利技术涉及半导体回流焊设计
，特别涉及一种背刷锡产品的回流曲线优化方法。
技术介绍
[0002]回流焊技术在电子制造领域并不陌生，我们电脑内使用的各种板卡上的元件都是通过这种工艺焊接到线路板上的，这种设备的内部有一个加热电路，将空气或氮气加热到足够高的温度后吹向已经贴好元件的线路板，让元件两侧的焊料融化后与主板粘结。这种工艺的优势是温度易于控制、焊接过程可避免氧化、制造成本降低。虽然PCB的回流焊接工艺被认为是一种非常成熟的技术，但是新的挑战也不断出现。例如：wafer上背刷锡膏产品的出现，不同于传统的封装形式，没有元件的尺寸(整片wafer，焊盘为未裂片的芯片焊盘)、封装形式以及不同热敏感元件的最大允许温度和不同配方的焊料、焊剂等问题，造成该产品回流焊温度曲线对温度区间设定非常热敏感而产生不可接受的焊点，从而降低下游PCB封装的整体可靠性。因此对wafer上背刷锡膏产品回流焊温度曲线设置和优化进行探讨是非常有必要的。
技术实现思路
[0003]基于此，本专...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种背刷锡产品的回流曲线优化方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)回流炉分区按照预设划分规则将回流炉划分为预热区、恒温区、焊接区以及冷却区；(2)构建标准回流曲线获取锡膏厂商提供的出厂链速，并将所述目标样品放置于所述回流炉中，并控制所述回流炉的链速为所述出厂链速；根据所述目标样品的温度依次调节所述预热区、所述恒温区、所述焊接区以及所述冷却区的参数，并调节所述回流炉的炉温参数，以得到所述目标样品在所述回流炉中以所述出厂链速运行的标准回流曲线，以及所述预热区、所述恒温区、所述焊接区、所述冷却区以及所述炉温参数的工艺窗口指标；(3)回流炉链速优化按照预设步进对所述出厂链速进行递增或递减得到至少五组测量链速，并以五组所述测量链速分别对所述目标样品进行上述步骤(1)至(2)，以得到五条测量回流曲线以及在各测量链速下各区以及炉温参数的工艺窗口指标；根据五条所述测量回流曲线、在各测量链速下各区以及炉温参数的工艺窗口指标、所述标准回流曲线以及在标准链速下各区以及炉温参数的工艺窗口指标得到最佳链速区间，并根据所述最佳链速区间计算出最佳链速。2.根据权利要求1所述的背刷锡产品的回流曲线优化方法，其特征在于，所述构建标准回流曲线的步骤包括：当所述目标样品的温度达到第一预设温度时，调节所述预热区的预热参数，以控制所述目标样品在所述预热区的第一预设温度范围内的升温斜率为第一预设范围。3.根据权利要求2所述的背刷锡产品的回流曲线优化方法，其特征在于，所述构建标准回流曲线的步骤还包括：当所述目标样品的温度达到第二预设温度时，调节所述恒温区的恒温参数，以控制所述目标样品在所述恒温区的第二预设温度范围内的恒温时间为第二预设范围。4.根据权利要求3所述的背刷锡产品的回流曲线优化方法，其特征在于，所述构建标准回流曲线的步骤还包括：当所述目标样品的温度达到第三预设温度时，调节所述焊接区的焊接参数，以控制所述目标样品在所述焊接区内的运行时间为第三预设范围。5.根据权利要求4所述的背刷锡产品的回流曲线优化方法，其特征在于，所述构建标准回流曲线的步骤还包括：当所述目标样品离开所述焊接区时，调节所述冷却区的冷却参数，以控制所述目标样品的降温斜率为第四预设范围。6.根据权利要求5所述的背刷锡产品的回流曲线优化方法，其特征在于，所述构建标准回流曲线的步骤还包括：调节所述回流炉的炉温参数，以控制所述回流炉的峰值温度参数为第五预设范围。7.根据权利要求6所述的背刷锡产品的回流曲线优化方法，其特征在于，所述第一预设温度为40℃，所述第二预设温度为150℃，所述第三预设温度为227℃，所述第一预设温度范围为40～150℃，所述第一预设范围为1～3℃/s，所述第二预设温度范围为150～200℃，所
述第二预设范围为30～60s，所述第三预设范围为10～30s，所述第四预设范围为
‑
4～
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5℃/s，所述第五预设范围为225～235℃。8.根据权利要求7所述的背刷锡产品的回流曲线优化方法，其特征在于，所述构建标准回流曲线的步骤中，各步骤的工艺窗口指标的计算公式为：i＝1到N，N为热电偶数量；j＝1到M，M为每个热电偶的数据统计数量；averag...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨起，刘伟，简弘安，张星星，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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