场致发射射频放大器制造技术

提供了一种场致发射ＲＦ放大器。该场致发射ＲＦ放大器包括衬底上的ＲＦ放大单元。该ＲＦ放大单元包括阴极，形成在衬底上；栅极，形成在衬底上的阴极旁边并以预定距离与阴极隔开；阳极，以与阴极相对的方向形成在衬底上的栅极旁边；电子发射源，位于阴极上，该电子发射源借助电场发射电子；以及反射电极，形成在衬底之上并与衬底平行。ＲＦ信号输入端和ＤＣ阴极偏压电连接到阴极，并且ＲＦ输出端和ＤＣ阳极偏压电连接到阳极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种场致发射RF(射频)放大器，并更具体地，涉及一种其中场致发射器件执行放大的RF放大器。
技术介绍
RF放大器在被供给预定DC偏压的情况下通过RF输入端接收RF信号，并放大RF信号的振幅到RF输出端。对于这样的RF放大，RF放大器包括位于RF输入端和RF输出端之间的RF放大单元。晶体管可以是RF放大器。但是，由于该晶体管采用固态硅，所以晶体管的电子迁移率很差。因此，允许真空状态下的电子迁移的真空管可代替该晶体管，但是，存在传统真空管的体积很大的问题。当前正在进行采用场致发射器件作为真空板中的放大单元的研究。在D.Palmer等人所著的“Silicon Field Emitter Arrays with LowCapacitance and Improved Transconductance for Microwave AmplifierApplications”J.Vac.Sci，Techno.B 13(2)，Mar/Apr 1995，pp.576-579中公开了采用硅场致发射器阵列进行RF放大的例子。但是，因为用于RF放大的FEA(场致发射阵列)结构采用由二氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＲＦ放大器，包括衬底上的ＲＦ放大单元，该ＲＦ放大单元包括：阴极，形成在衬底上；栅极，形成在衬底上的阴极旁边并以预定距离与阴极隔开；阳极，以与阴极相对的方向形成在衬底上的栅极旁边；电子发射源，位于阴极上，该 电子发射源借助电场发射电子；以及反射电极，形成在衬底之上并与衬底平行，其中ＲＦ信号输入端和ＤＣ阴极偏压电连接到阴极，并且ＲＦ输出端和ＤＣ阳极偏压电连接到阳极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈朱尔卡尼夫，崔濬熙，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]