【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及半导体领域。更具体地，本专利技术涉及半导体电路的领域。
技术介绍
基于双极技术的放大器在各种应用中被广泛地使用，例如，包括无线通信，诸如射频(RF)通信。偏压电路通过向双极型晶体管提供基极偏置电流以控制双极型晶体管的操作模式而起到重要作用。然而，目前已知的双极型晶体管的偏压电路包括许多缺点。一般地，已知的偏压电路消耗大电流并要求高的参考电压，或者相反包括非常复杂的消耗大量芯片面积的电路，所有这些电路都是不理想的。此外，已知的偏压电路通常受到对温度敏感的影响，以致放大器的晶体管的静态电流受温度变化的影响。因此，在本领域中强烈需要一种大功率放大器的面积有效的温度不敏感型偏压电路。
技术实现思路
本专利技术的目的是一种大功率放大器的面积有效的温度不敏感型偏压电路。在一个示例性实施例中，偏压电路被连接到诸如RF放大器的放大器，并且包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管。第一双极型晶体管具有连接到第一节点的基极，第一节点通过第一电阻连接到参考电压。第二双极型晶体管具有连接到第一节点的基极。第三双极型晶体管具有连接到第一节点的集电极和在第二...
【技术保护点】
一种放大器的偏压电路，所述偏压电路包括：具有连接到第一节点的基极的第一双极型晶体管，所述第一节点通过第一电阻连接到参考电压；具有连接到所述第一节点的基极的第二双极型晶体管；具有连接到所述第一节点的集电极和在第二节点连 接到所述第一双极型晶体管的射极的基极的第三双极型晶体管；所述第二双极型晶体管的射极被连接到与所述放大器相关的第四双极型晶体管的基极，所述第二双极型晶体管不具有连接到所述第二双极型晶体管的所述射极的电阻。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y杨，K乔依，NC郑，
申请(专利权)人：斯盖沃克斯瑟路申斯公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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