用于具有陡沿的输入信号的在一侧关断电流的输入放大器制造技术

本发明专利技术涉及一用于具有陡沿的输入信号的在一侧关断电流的输入放大器，其具有一ＭＯＳ晶体管（７），它的源极或漏极接到与输出级相连的节点（ＱＮ）。位于输入放大器（１）的两个Ｐ沟道ＭＯＳ晶体管（６、７）之间的Ｎ沟道ＭＯＳ晶体管（２１）通过这种类型的输入信号阻止了Ｐ沟道ＭＯＳ晶体管（７）的关断，以使一旦施加了输入信号，节点（ＱＮ）的电压就升高到工作电压（ＶＣＣ）。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
用于具有陡沿的输入信号的在一侧关断电流的输入放大器，具有至少一个晶体管（７），其含有一个与输出端相连的电极，其特征在于，一个装置（２１），其阻止晶体管（７）的完全关断，以致一旦施加具有陡沿的输入信号，电极（ＱＮ）的电压能够升高到工作电压。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：C思谢尔特，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]