一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽制造技术

本实用新型专利技术公开了一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽，包括配液槽和出液口，配液槽内设有用于对刻蚀液进行中和的反应区、对刻蚀液进行混合的混流区和用于对刻蚀液内粘性沉淀物进行沉淀的沉淀区，反应区、混流区和沉淀区依次设置在配液槽内部，反应区包括用于对配液进行导入的入液管，混流区包括用于对配液进行混合的混合隔板，沉淀区包括用于对配液进行沉淀的沉淀板，混合隔板和沉淀板均与配液槽可拆洗连接，反应区能够对导入放入刻蚀液和添加补充剂进行中和反应，使得添加剂能够与刻蚀液进行混合，混流区能够带动刻蚀配液充分的进行混合导流，沉淀区能够对配液进行沉淀检测，提高刻蚀配液的效率和质量，从而提高硅片在蚀刻后的背面反射率。的背面反射率。的背面反射率。

An alkaline etching solution tank for improving the reflectivity of the back surface

【技术实现步骤摘要】
一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽


[0001]本技术涉及太阳能硅片领域，具体是一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽。

技术介绍

[0002]蚀刻液，通过侵蚀材料的特性来进行雕刻的一种液体。从理论上讲，凡能氧化铜而生成可溶性铜盐的试剂，都可以用来蚀刻敷铜箔板，但权衡对抗蚀层的破坏情况、蚀刻速度，蚀刻系数、溶铜容量、溶液再生及铜的回收、环境保护及经济效果等方面，电路板行业大量使用含氨的碱性氯化铜蚀刻液，由于需要添加氨水或充氨气，在碱性条件下使用，一般称为碱性蚀刻液。这种蚀刻液具有蚀刻速度快、侧蚀小、溶铜量高、循环使用成本低、适应性广、可自动控制等优点。
[0003]CB碱性蚀刻的原理：利用干膜、湿膜、锡层、镍金属层的抗蚀性能来保护有效图形部分，通过碱性氯化氨铜溶液蚀去无抗蚀层保护的铜面，然后再根据板的种类以不同处理方法退除抗蚀层。
[0004]影响蚀刻速率的因素，蚀刻液中的Cu含量、pH值、氯化铵浓度、添加剂含量以及蚀刻液的温度对蚀刻速率均有影响，Cu含量蚀刻液中的Cu绝大部分是以铜氨络离子[Cu(NH)12形式存在，一般以化验的Cu含量或密度体现。它是蚀刻反应的氧化剂，适当的含量能够得到稳定且快速的蚀刻速率一般控制在120
‑
150g/L(或18
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23波美度)。过高液体粘度增大，容易产生沉淀。溶液pH值的影响:PH值实际上是指游离氨的浓度。蚀刻液的pH值应保持在80
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86之间，当pH值降到80以下时，游离氨不足以把蚀刻液中的铜完全络合成铜氨络离子，溶液会出现粘性的沉淀，这些沉淀能在加热器上结成硬皮可能损坏加热器，会堵喷嘴给造成蚀刻不均等。如果溶液pH值过高，蚀刻液中氨氨释放到大气中，导致成分不稳定和环境污染。
[0005]目前，刻蚀液的配置中配液和添加剂补充液往往是统一添加的，但配液往往需要人工进行搅拌和浓度把控，无法实时检测配液中铜离子含量和配液ph值，铜离子含量和配液ph值会影响配液粘度，容易产生沉淀，沉淀容易硬化，使得配液内杂质过多，本申请旨在对刻蚀液配液智能化进行中和、混流、检测，和对配液进行内部沉淀进行过筛，提高刻蚀配液的效率和质量，从而提高硅片在蚀刻后的背面反射率。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽，以解决现有技术中的问题。
[0007]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0008]一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽，包括配液槽和出液口，配液槽内设有用于对刻蚀液进行中和的反应区、用于对刻蚀液进行混合的混流区和用于对刻蚀液内粘性沉淀物进行沉淀的沉淀区，反应区、混流区和沉淀区依次设置在配液槽内部，反应区包括用于对配液进行导入的入液管，混流区包括用于对配液进行混合的混合隔板，沉淀区包括用于对配液进行沉淀的沉淀板，混合隔板和沉淀板均与配液槽可拆洗连接。
[0009]通过采用上述技术方案：反应区能够对导入放入刻蚀液和添加补充剂进行中和反应，使得添加剂能够与刻蚀液进行混合，混流区能够带动刻蚀配液充分的进行混合导流，沉淀区能够对配液进行沉淀检测，提高刻蚀配液的效率和质量，从而提高硅片在蚀刻后的背面反射率。
[0010]进一步设置：反应区包括用于对刻蚀液进行初步中和的中和反应台，中和反应台内部设有储液腔，入液管包括用于将刻蚀液进行导入的主入液管和用于对添加剂组成补充液进行导入的辅助入液管，储液腔内部设有用于感应配液液位的液位传感器，储液腔底部设有送液一口，送液一口上设有用于将配液导入混流区的智能控制阀，智能控制阀与液位传感器电连接。
[0011]通过采用上述技术方案：主入液管能够对刻蚀液进行集中导入，辅助入液管能够对添加补充剂进行导入，液位传感器能够对储液腔内部的液位进行检测，从而带动智能控制阀智能控制配液的流速，从而使得配液均匀的流入混流区。
[0012]进一步设置：混流区包括用于对配液进行搅拌的若干搅拌扇叶，搅拌扇叶设置在混合隔板上，混合隔板呈倾斜设置在配液槽内部，混合隔板靠近配液槽的位置设有用于将配液导入沉淀区的送液二口，配液槽上靠近送液二口的位置设有用于检测配液ph值的ph值检测仪。
[0013]通过采用上述技术方案：搅拌扇叶能够对刻蚀配液进行搅拌混流，能够使得刻蚀液和添加补充液混合的更加均匀，混合隔板呈倾斜状，能够加速配液的流速，送液二口能够将配液导入沉淀区，ph值检测仪能够实时检测混合后的配液ph值。
[0014]进一步设置：沉淀区包括用于检测沉淀板压力的压力块，压力块的数量为两块，配液槽内两侧设有支撑槽，压力块设置在支撑槽内部，压力块上设有用于支撑沉淀板的复位弹簧，复位弹簧两侧分别和压力块和沉淀板可拆卸连接，压力块内部设有用于检测沉淀板重量的压力传感器，沉淀板设置为筛板。
[0015]通过采用上述技术方案：压力块能够对沉淀板进行支撑，压力块能够精确检测沉淀块的重量，复位弹簧能够对沉淀板进行支撑，压力传感器能够对沉淀板上的沉淀物进行压力检测，实时检测配液中沉淀物含量。
[0016]进一步设置：配液槽内部设有用于对刻蚀配液进行加热的加热线圈，配液槽靠近加热线圈的位置设有用于对加热线圈进行防水的防水罩板。
[0017]通过采用上述技术方案：加热线圈能够对配液槽内部的刻蚀配液进行加热，加快刻蚀配液的混合，防水罩板能够对加热线圈进行防水，避免配液中的沉淀物硬化损坏加热器。
[0018]进一步设置：配液槽外侧设有用于显示配液实时ph值和沉淀板重量的显示器，ph值检测仪和压力传感器与显示器电连接。
[0019]通过采用上述技术方案：显示器能够对显示配液实时ph值和沉淀板重量。
[0020]与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术旨在对刻蚀液配液智能化进行中和、混流、检测，和对配液进行内部沉淀进行过筛，提高刻蚀配液的效率和质量，从而提高硅片在蚀刻后的背面反射率。
附图说明
[0021]为了使本技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明。
[0022]图1为本技术一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽的外观示意图；
[0023]图2为本技术一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽的结构示意图；
[0024]图3为本技术一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽的局部示意图；
[0025]图4为本技术一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽的整体剖面图。
[0026]图中，1、配液槽；2、出液口；3、加热线圈；4、防水罩板；5、中和反应台；6、主入液管；7、辅助入液管；8、液位传感器；9、智能控制阀；10、送液一口；11、搅拌扇叶；12、混合隔板；13、送液二口；14、ph值检测仪；15、压力块；16、沉淀板；17、复位弹簧；18、压力传感器。
具体实施方式
[0027]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽，包括配液槽(1)和出液口(2)，其特征在于：所述配液槽(1)内设有用于对刻蚀液进行中和的反应区、用于对刻蚀液进行混合的混流区和用于对刻蚀液内粘性沉淀物进行沉淀的沉淀区，反应区、混流区和沉淀区依次设置在配液槽(1)内部，反应区包括用于对配液进行导入的入液管，混流区包括用于对配液进行混合的混合隔板(12)，沉淀区包括用于对配液进行沉淀的沉淀板(16)，混合隔板(12)和沉淀板(16)均与配液槽(1)可拆洗连接。2.根据权利要求1所述的一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽，其特征在于:所述反应区包括用于对刻蚀液进行初步中和的中和反应台(5)，中和反应台(5)内部设有储液腔，入液管包括用于将刻蚀液进行导入的主入液管(6)和用于对添加剂组成补充液进行导入的辅助入液管(7)，储液腔内部设有用于感应配液液位的液位传感器(8)，储液腔底部设有送液一口(10)，送液一口(10)上设有用于将配液导入混流区的智能控制阀(9)，智能控制阀(9)与液位传感器(8)电连接。3.根据权利要求1所述的一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽，其特征在于:所述混流区包括用于对配液进行搅拌的若干搅拌扇叶(11)，搅拌扇叶(11)设置在混合隔板(12)上，混合隔板(12)呈...

【专利技术属性】
技术研发人员：张尧羲，马传兵，王旭，
申请(专利权)人：江苏华恒新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：