在片阻抗匹配的低压高线性度射频放大器制造技术

一种在片阻抗匹配的低压高线性度射频放大器，其特征在于该放大器包括输入级、输出级以及输入级和输出级之间的隔直电容（Ｃ↓［１］），其中的输入级包括：　　　　（１）用于为信号放大器的输入端提供５０欧姆输入阻抗的阻抗匹配电路，由共源输入晶体管（Ｍ↓［１］）、源简并电感（Ｌ↓［１］）、输入串联电感（Ｌ↓［２］）以及栅源串联电容（Ｃ↓［２］）组成，共源输入晶体管（Ｍ↓［１］）的栅极同时与输入串联电感（Ｌ↓［２］）和栅源串联电容（Ｃ↓［２］）一端相连，其源极同时与栅源串联电容（Ｃ↓［２］）的另一端和源简并电感（Ｌ↓［１］）一端相连，其漏极同时与负载调谐电感（Ｌ↓［３］）的一端和隔直电容（Ｃ↓［１］）的一端相连，其中的共源输入晶体管（Ｍ↓［１］）同时对输入信号进行放大；　　　　（２）用于为共源输入晶体管（Ｍ↓［１］）提供负载的负载调谐回路，由负载调谐电感（Ｌ↓［３］）和节点寄生电容组成；　　　　（３）用于为共源输入晶体管（Ｍ↓［１］）提供偏置的电阻（Ｒ↓［３］），电阻（Ｒ↓［３］）的一端与偏置电压电源（ＶＢ）相连，其另一端与共源输入晶体管（Ｍ↓［１］）的栅极相连；　　　　其中的输出级包括：　　　　（４）用于为信号放大器的输出端提供５０欧姆输出阻抗的阻抗匹配电路，由并联反馈电阻（Ｒ↓［１］）、负载电阻（Ｒ↓［２］）和晶体管（Ｍ↓［２］）组成，共源输出晶体管（Ｍ↓［２］）的栅极同时与隔直电容（Ｃ↓［１］）的一端和并联反馈电阻（Ｒ↓［１］）的一端相连，其源极接地，其漏极同时与并联反馈电阻（Ｒ↓［１］）、负载电阻（Ｒ↓［２］）和输出端相连，其中的共源输出晶体管（Ｍ↓［２］）同时对输出信号进行放大。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在片阻抗匹配的低压高线性度射频放大器，属无线通信

技术介绍
射频放大器(包括低噪声放大器和前置放大器)是无线收发机射频前端中的两个关键模块。低噪声放大器在引入很低噪声的条件下对接收到的射频信号进行放大，以降低后级模块引入的噪声对射频信号的干扰；而前置放大器则对上变频后的射频信号进行放大，提供一定的功率给片外负载，它可以作为功率放大器的驱动级。目前人们已经提出了多种射频放大器的实现方法。在这些实现中，一些将输入\输出匹配功能放到了片外，这样必然增加系统成本而且降低了稳定度；其它的设计虽然实现了在片输入\输出阻抗匹配功能，但为此功能却使放大器的功耗增加了很多。而且，这些方法针对比较高的电源电压而设计的。随着互补金属氧化物半导体(以下简称CMOS)工艺特征尺寸的不断缩小，电源电压持续下降，而已有的射频放大器不能工作在这么低的电源电压下。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种在片阻抗匹配的低压高线性度射频放大器，以使该放大器能够工作在较低的电源电压下。本专利技术提出的在片阻抗匹配的低压高线性度射频放大器，包括输入级、输出级以及输入级和输出级之间的隔直电容C1，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石秉学，池保勇，廖青，
申请(专利权)人：清华大学，上海清华晶芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：