一种LCD靶材及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种LCD靶材及其制备方法，所述LCD靶材的制备方法包括：提供LCD靶材坯件和背板；将LCD靶材坯件依次进行机械加工、焊接、抛光处理、喷砂处理、清洗以及干燥，得到所述LCD靶材；所述抛光处理包括：采用砂带进行一次抛光，而后采用抛光轮进行二次抛光；所述抛光轮的材质包括百洁布。本发明专利技术提供的LCD靶材的制备方法中采用砂带控制靶材溅射面的粗糙度，再采用抛光轮控制光泽，使得所述LCD靶材的粗糙度可达到0.01

【技术实现步骤摘要】
一种LCD靶材及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体制造领域，涉及一种靶材的制备方法，尤其涉及一种LCD靶材及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展，镀膜材料作为半导体电子器件制造的重要材料，其需求量也日益增加。靶材作为一种重要的镀膜材料，在集成电路、平面显示、太阳能、光学器件等领域具有广泛的应用，由靶材制备薄膜最常用的方法包括溅射镀膜法，为保证薄膜产品的优异性能，对靶材的结构等特征均有要求，因而需要对靶材的制备工艺进行控制，以得到符合溅射要求的靶材。
[0003]抛光处理是靶材制备过程中的重要操作步骤之一，对于靶材的表面性能，例如粗糙度、平整度等参数有重要影响，然而目前的抛光工艺，往往会造成表面粗糙度不稳定以及色泽不均匀，且人工操作或半自动操作时的抛光效率较低，且根据靶材材质的不同，抛光参数也需要调整，然而人工操作难以精确调节参数，造成工艺稳定性较差，产品的合格率降低，因而需要针对不同的靶材选择合适的自动抛光工艺，提高生产效率及产品品质。
[0004]CN 111975465A公开了一种钼靶材溅射面的抛光工艺，所述抛光工艺包括依次进行的第一机械抛光、第二机械抛光、第三机械抛光及第四机械抛光；所述第一机械抛光中的进给速度为2～3m/min；所述第二机械抛光中的进给速度为4～5m/min；所述第三机械抛光中的进给速度为6～8m/min；所述第四机械抛光中的进给速度为7～9m/min，该抛光工艺主要是对钼靶材的溅射面进行抛光，主要控制参数为各级抛光的进给速度，其主要是采用砂带对靶材进行抛光，进一步调整靶材的粗糙度，但是对靶材的光泽度进行改善。
[0005]CN 107866721A公开了一种靶材组件的加工方法，包括：提供具有待加工面的靶坯：采用砂带对待加工面进行自动抛光处理以形成溅射面；该加工方法中虽然包括自动抛光处理，公开了粗抛光、精抛光等工艺并未明确加工高度及进给速度，且加工时间较长，该工艺较为简略，难以实现精确加工。
[0006]CN 113084674A公开了一种含铝靶材的自动抛光工艺方法，所述工艺方法包括以下步骤：采用自动抛光设备对含铝靶材的溅射面进行自动抛光，所述自动抛光过程包括四道抛光工序，抛光所用砂带的粒度依次递减，得到抛光后的含铝靶材。本专利技术所述工艺方法根据靶材材质的选择，采用不同型号的砂带对靶材溅射面进行自动抛光，所用砂带的粒度依次减小，并通过抛光工艺参数的控制，以保证溅射面抛光后的粗糙度的可控性，使含铝靶材溅射面的粗糙度可达到0.2～0.7μm，满足后续的使用要求。该工艺方法中的抛光过程包括四道抛光工艺，虽然可以保证溅射面粗糙度的可控性，但是工艺过程复杂，且抛光过程中只用到了砂带，无法对溅射面的光泽度进行改善。
[0007]综上所述，提供一种可以保证靶材溅射面粗糙度的可控性，又可以改善靶材表面光泽度的靶材制备方法，已经是本领域亟需解决的问题之一。

技术实现思路

[0008]针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种LCD靶材及其制备方法，所述制备方法对靶材的抛光技术进行改进，采用抛光轮代替传统的氧化铝对产品进行抛光，使得靶材表面抛光处理方法更为便捷，正确，利用抛光轮代替氧化铝效率提高，省时省力。
[0009]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0010]第一方面，本专利技术提供了一种LCD靶材的制备方法，所述LCD靶材的制备方法包括：
[0011]提供LCD靶材坯件和背板；
[0012]将LCD靶材坯件依次进行机械加工、焊接、抛光处理、喷砂处理、清洗以及干燥，得到所述LCD靶材；
[0013]所述抛光处理包括：采用砂带进行一次抛光，而后采用抛光轮进行二次抛光；
[0014]所述抛光轮的材质包括百洁布。
[0015]本专利技术提供的LCD靶材的制备方法中采用砂带控制靶材溅射面的粗糙度，再采用抛光轮控制光泽，使得所述LCD靶材的粗糙度可达到0.01
‑
0.5μm，具有较高的光泽度，满足后续的使用要求。
[0016]本专利技术所述靶材可以是铝靶材、铜靶材、钼靶材等。
[0017]优选地，所述机械加工包括依次进行的粗铣处理和精铣处理。
[0018]优选地，所述粗铣处理时的边沿留有余量为0.05
‑
0.10mm，例如可以是0.05mm、0.06mm、0.07mm、0.08mm、0.09mm或0.10mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0019]优选地，所述焊接的温度为275
‑
285℃，例如可以是275℃、276℃、277℃、278℃、279℃、280℃、281℃、282℃、283℃、284℃、284℃或285℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0020]优选地，所述焊接的时间为25
‑
35min，例如可以是25min、26min、27min、28min、29min、30min、31min、32min、33min、34min或35min，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0021]优选地，所述焊接之后还包括冷却。
[0022]优选地，所述冷却的方式包括加压冷却。
[0023]优选地，所述加压冷却的压强为0.4
‑
0.5MPa，例如可以是0.4MPa、0.41MPa、0.42MPa、0.43MPa、0.44MPa、0.45MPa、0.46MPa、0.47MPa、0.48MPa、0.49MPa或0.5MPa，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0024]优选地，所述冷却的时间为40
‑
80min，例如可以是40min、45min、50min、55min、60min、65min、70min、75min或80min，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0025]优选地，所述一次抛光的抛光件包括超涂层砂纸带。
[0026]优选地，所述超涂层砂纸带的目数为200
‑
800目，例如可以是200目、240目、320目、400目、500目、600目或800目，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0027]优选地，所述超涂层砂纸带的超涂层包括碳化硅涂层。
[0028]优选地，所述一次抛光的抛光速度为8
‑
12m/min，例如可以是8m/min、8.5m/min、
9m/min、9.5m/min、10m/min、10.5m/min、11m/min、11.5m/min或12m/min，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0029]优选地，所述百洁布的目数为800
‑
1000目，例如可以是800目、850目、900目、950目或1000目，但不限于所列举的数值，数值本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LCD靶材的制备方法，其特征在于，所述LCD靶材的制备方法包括：提供LCD靶材坯件和背板；将LCD靶材坯件依次进行机械加工、焊接、抛光处理、喷砂处理、清洗以及干燥，得到所述LCD靶材；所述抛光处理包括：采用砂带进行一次抛光，而后采用抛光轮进行二次抛光；所述抛光轮的材质包括百洁布。2.根据权利要求1所述的LCD靶材的制备方法，其特征在于，所述机械加工包括依次进行的粗铣处理和精铣处理；优选地，所述粗铣处理时的边沿留有0.05
‑
0.10mm的余量。3.根据权利要求1或2所述的LCD靶材的制备方法，其特征在于，所述焊接的温度为275
‑
285℃；优选地，所述焊接的时间为25
‑
35min。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的LCD靶材的制备方法，其特征在于，所述焊接之后还包括冷却；优选地，所述冷却的方式包括加压冷却；优选地，所述加压冷却的压强为0.4
‑
0.5MPa；优选地，所述冷却的时间为40
‑
80min。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的LCD靶材的制备方法，其特征在于，所述一次抛光的抛光件包括超涂层砂纸带；优选地，所述超涂层砂纸带的目数为200
‑
800目；优选地，所述超涂层砂纸带的超涂层包括碳化硅涂层；优选地，所述一次抛光的抛光速度为8
‑
12m/min；优选地，所述百洁布的目数为800
‑
1000目；优选地，所述二次抛光的转速为20
‑
50m/s；优选地，所述抛光处理后LCD靶材溅射面的粗糙度为0.01
‑
0.5μm。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的LCD靶材的制备方法，其特征在于，所述喷砂处理时的空气压力为4
‑
5kg/cm2G；优选地，所述喷砂处理时的距离为300
‑
400mm；优选地，所述喷砂处理采用的沙砾为棕刚玉和/或白刚玉；优选地，所述喷砂处理采用的沙砾的规格为#46。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述的LCD...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，王学泽，赵丽，张晓驰，范文新，周伟君，
申请(专利权)人：广东江丰电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：