一种用于芯片加工的芯片封装装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及芯片封装技术领域，具体为一种用于芯片加工的芯片封装装置，包括芯片，所述芯片的下部设置有布线层，所述芯片的边缘包覆有第一封装层，所述第一封装层同时向下覆盖所述布线层，所述芯片的上部包覆有第二封装层，所述第一封装层中开设孔，所述孔中设置有导电柱，所述芯片的上面连接有导线，所述导线连接至所述导电柱的上端，所述布线层与所述芯片的下面、所述导电柱的下端相耦合，所述第二封装层同时向下覆盖所述第一封装层、所述导线和所述导电柱。本实用新型专利技术，省去了基板转接，因此可以使芯片封装更加轻量化、小型化，满足小型电子产品的适配需求。型电子产品的适配需求。型电子产品的适配需求。

A chip packaging device for chip processing

【技术实现步骤摘要】
一种用于芯片加工的芯片封装装置


[0001]本技术涉及芯片封装
，具体为一种用于芯片加工的芯片封装装置。

技术介绍

[0002]半导体广泛应用于各种智能电子产品中，智能系统的集成对电子元器件产品在单位面积下的功能密度和性能要求不断地提高，这对元件尺寸不断缩小的芯片封装制造工艺提出更高的要求。现有的芯片封装由于使用基板搭载，会使封装层的高度变高、体积变大，难以满足于小型电子产品的适配需求。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种用于芯片加工的芯片封装装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于芯片加工的芯片封装装置，包括芯片，所述芯片的下部设置有布线层，所述芯片的边缘包覆有第一封装层，所述第一封装层同时向下覆盖所述布线层，所述芯片的上部包覆有第二封装层，所述第一封装层中开设孔，所述孔中设置有导电柱，所述芯片的上面连接有导线，所述导线连接至所述导电柱的上端，所述布线层与所述芯片的下面、所述导电柱的下端相耦合，所述第二封装层同时向下覆盖所述第一封装层、所述导线和所述导电柱。
[0005]可选的，所述第二封装层的上部包覆有保护层，所述保护层、所述第二封装层和所述第一封装层的材料为树脂。
[0006]可选的，所述保护层中设置有纳米二氧化硅层。
[0007]可选的，所述第二封装层和所述保护层中间厚两边薄。
[0008]可选的，所述布线层的下部设置有焊球，所述焊球通过所述布线层与所述芯片的下面、所述导电柱的下端相耦合。
[0009]与现有技术相比，本技术具备以下有益效果：
[0010]1、本技术，省去了基板转接，因此可以使芯片封装更加轻量化、小型化，满足小型电子产品的适配需求。
[0011]2、本技术，在芯片的下面设置布线层，可以实现对芯片的输入/输出端口重新布局，以便将其布置到节距站位宽松的区域，从而提高本封装结构的布局灵活性。
[0012]3、本技术，通过两层封装能够将芯片完成覆盖，并且在最上层的封装层外还设置有保护层，保护层中混合有纳米二氧化硅颗粒，有更好的分散性，能够提高保护层的刚性、耐热性、冲击强度、拉伸强度等。
附图说明
[0013]图1为本技术第一封装层和第二封装层剖视的结构示意图；
[0014]图2为本技术第二封装层上部覆盖的保护层剖视的结构示意图。
[0015]图中：1、芯片；2、布线层；3、第一封装层；4、第二封装层；5、孔；6、导电柱；7、导线；8、保护层；9、纳米二氧化硅层；10、焊球。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]实施例：请参阅图1至图2，本技术提供了一种用于芯片加工的芯片封装装置，包括芯片1，芯片1的下部设置有布线层2，在具体实施例中，布线层2可以为一层或者多层，可以实现对芯片1的输入/输出端口重新布局，以便将其布置到节距站位宽松的区域，从而提高本封装结构的布局灵活性，在具体实施例中，布线层2的材料可以是铝、金、铬或者钨中的一种或者上述金属的合金等。
[0018]芯片1的边缘包覆有第一封装层3，第一封装层3同时向下覆盖布线层2，第一封装层3的材料为树脂，在具体实施例中，可以是经过向芯片1的边缘注入树脂固化后形成；第一封装层3的高度可以略低于芯片1的上面或与芯片1的上面齐平，以便使芯片1的焊盘向上裸露出。
[0019]第一封装层3中开设孔5，孔5中设置有导电柱6，在具体实施例中，孔5可以采用激光钻孔形成，然后在该孔5中插入成型的导电柱6或者填充导电柱6至孔5中固化形成；如导电柱6可以是在该孔5中浇注导电胶固化后形成；芯片1的上面连接有导线7，导线7连接至导电柱6的上端，布线层2与芯片1的下面、导电柱6的下端相耦合，在具体实施例中，导线7可以是金线或铝线；布线层2的下部设置有焊球10，焊球10通过布线层2与芯片1的下面、导电柱6的下端相耦合，通过导线7、导电柱6、焊球10，可以将芯片1的焊盘引出，实现芯片引脚的扇出。
[0020]芯片1的上部包覆有第二封装层4，第二封装层4同时向下覆盖第一封装层3、导线7和导电柱6；第二封装层4的材料为树脂，在具体实施例中，可以是经过向芯片1的上部注入树脂后固化形成。
[0021]第二封装层4的上部包覆有保护层8，保护层8的材料为树脂，起到保护封装层的作用，在具体实施例中，可以是经过向第二封装层4上浇注树脂固化后形成，也可以是在相应的模具中成型好后再覆盖形成；第二封装层4和保护层8中间厚两边薄，呈月牙形，中间厚可以提高保护性能，两边薄可以提高热量传导速度，强化散热；保护层8中设置有纳米二氧化硅层9，纳米二氧化硅层9为纳米二氧化硅颗粒，有更好的分散性，能够提高保护层8的刚性、可以吸收冲击能，还能提高耐热性、冲击强度、拉伸强度等。
[0022]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于芯片加工的芯片封装装置，包括芯片（1），其特征在于：所述芯片（1）的下部设置有布线层（2），所述芯片（1）的边缘包覆有第一封装层（3），所述第一封装层（3）同时向下覆盖所述布线层（2），所述芯片（1）的上部包覆有第二封装层（4），所述第一封装层（3）中开设孔（5），所述孔（5）中设置有导电柱（6），所述芯片（1）的上面连接有导线（7），所述导线（7）连接至所述导电柱（6）的上端，所述布线层（2）与所述芯片（1）的下面、所述导电柱（6）的下端相耦合，所述第二封装层（4）同时向下覆盖所述第一封装层（3）、所述导线（7）和所述导电柱（6）。2.根据权利要求1所述的一种用于芯片加工的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈力颖，
申请(专利权)人：天津力芯伟业科技有限公司，
类型：新型
国别省市：