芯片封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种芯片封装结构及其制作方法。芯片封装结构包括芯片、应力缓冲层、第一绝缘层、重配置线路层、第二绝缘层及焊球。芯片具有主动面、背面及周围表面。应力缓冲层覆盖主动面与周围表面，而第一绝缘层配置于芯片的背面上。应力缓冲层的底面切齐于芯片的背面。重配置线路层通过应力缓冲层的开口与芯片电性连接。第二绝缘层覆盖应力缓冲层以及重配置线路层。焊球配置于第二绝缘层的盲孔内，且与重配置线路层电性连接。焊球的顶面突出于第二绝缘层的上表面。本发明专利技术的芯片封装结构可有效地保护芯片的边缘，且增加整体的结构强度及结构可靠度。可靠度。可靠度。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种封装结构及其制作方法，尤其涉及一种芯片封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]现有的技术中，可利用弹性材料、封装材料或裸晶下方的悬垂结构充当锚，来达到保护芯片边缘或增强封装胶体的机械强度。目前，于产品中，弹性材料或封装材料仅保护晶背及球面，而无法有效地保护芯片边缘。或者是，于另一产品中，使用封装材料来保护芯片边缘，虽可于可靠度实验中避免芯片破裂(crack)造成芯片失效，但因封装胶体与芯片之间存在热膨胀系数差异，导致缩短可靠度次数及产品使用时效。

技术实现思路

[0003]本专利技术是针对一种芯片封装结构，其可有效地保护芯片的边缘，且增加整体的结构强度及结构可靠度。
[0004]本专利技术还针对一种芯片封装结构的制作方法，用以制作上述的芯片封装结构。
[0005]根据本专利技术的实施例，芯片封装结构包括芯片、应力缓冲层、第一绝缘层、重配置线路层、第二绝缘层以及焊球。芯片具有彼此相对的主动面与背面以及连接主动面与背面的周围表面。应力缓冲层覆盖芯片的主动面与周围表面，且具有暴露出芯片的部分主动面的开口。第一绝缘层配置于芯片的背面上。应力缓冲层延伸配置于第一绝缘层上，且应力缓冲层的底面切齐于芯片的背面。重配置线路层配置于芯片的主动面上，且延伸至应力缓冲层的开口内。重配置线路层通过开口与芯片电性连接。第二绝缘层覆盖应力缓冲层以及重配置线路层，且具有暴露出部分重配置线路层的盲孔。焊球配置于第二绝缘层的盲孔内，且与重配置线路层电性连接。焊球的顶面突出于第二绝缘层的上表面。
[0006]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构中，上述的重配置线路层包括线路层与导电通孔。导电通孔位于线路层与芯片的主动面之间。芯片通过导电通孔与线路层电性连接。
[0007]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构中，上述的第一绝缘层具有第一周围表面，而第二绝缘层具有第二周围表面，且应力缓冲层具有第三周围表面。第二周围表面切齐于第三周围表面与第一周围表面。
[0008]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构中，上述的芯片封装结构还包括表面处理层，配置于第二绝缘层的盲孔所暴露出的重配置线路层上。焊球通过表面处理层与重配置线路层电性连接。
[0009]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构中，上述的应力缓冲层的厚度大于0且小于等于1微米。
[0010]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构中，上述的应力缓冲层的材质不同于第一绝缘层的材质与第二绝缘层的材质。
[0011]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构中，上述的应力缓冲层的材质包括硅烷偶
合剂聚合物(Silane adhesion promoter)、硅橡胶(silicone rubber)、环氧树脂(Epoxy)或感光型介电材料(例如是PI、PBO、BCB或PID)，但不以此为限。
[0012]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构中，上述的第一绝缘层包括味之素增层膜(Ajinomoto Build up Film，ABF)或封装胶层。
[0013]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构中，上述的第一绝缘层的材质与第二绝缘层的材质相同。
[0014]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构中，上述的第一绝缘层的材质与第二绝缘层的材质不同。
[0015]根据本专利技术的实施例，芯片封装结构的制作方法，其包括以下步骤。配置彼此分离的多个芯片于第一绝缘层上。每一芯片具有彼此相对的主动面与背面以及连接主动面与背面的周围表面。每一芯片的背面直接接触第一绝缘层。形成应力缓冲层于第一绝缘层上。应力缓冲层延伸覆盖每一芯片的主动面与周围表面，且应力缓冲层的底面切齐于芯片的背面。形成第二绝缘层以覆盖应力缓冲层。形成重配置线路层于第二绝缘层内。应力缓冲层具有暴露出芯片的部分主动面的开口，而重配置线路层通过开口与芯片电性连接。形成彼此分离的多个盲孔于第二绝缘层内，其中盲孔暴露出部分重配置线路层。形成多个焊球分别于盲孔内，其中焊球与盲孔所暴露出的重配置线路层电性连接。每一焊球的顶面突出于第二绝缘层的上表面。进行单体化程序，以切割第二绝缘层、应力缓冲层以及第一绝缘层，而形成彼此分离的多个芯片封装结构。
[0016]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构的制作方法中，上述的重配置线路层包括线路层与导电通孔。导电通孔位于线路层与芯片的主动面之间。芯片通过导电通孔与线路层电性连接。
[0017]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构的制作方法中，上述的每一芯片封装结构的第一绝缘层具有第一周围表面，而第二绝缘层具有第二周围表面，且应力缓冲层具有第三周围表面。第二周围表面切齐于第三周围表面与第一周围表面。
[0018]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构的制作方法中，上述的芯片封装结构的制作方法还包括：形成焊球分别于盲孔内之前，形成表面处理层于盲孔内。表面处理层配置于盲孔所暴露出的重配置线路层上，且焊球通过表面处理层与重配置线路层电性连接。
[0019]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构的制作方法中，上述的应力缓冲层的厚度大于0且小于等于1微米。
[0020]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构的制作方法中，上述的应力缓冲层的材质不同于第一绝缘层的材质与第二绝缘层的材质。
[0021]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构的制作方法中，上述的应力缓冲层的材质包括硅烷偶合剂聚合物(Silane adhesion promoter)、硅橡胶(silicone rubber)、环氧树脂(Epoxy)或感光型介电材料(例如是PI、PBO、BCB或PID)，但不以此为限。
[0022]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构的制作方法中，上述的第一绝缘层包括味之素增层膜或封装胶层。
[0023]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构的制作方法中，上述的第一绝缘层的材质与第二绝缘层的材质相同。
[0024]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构的制作方法中，上述的第一绝缘层的材质
与第二绝缘层的材质不同。
[0025]在根据本专利技术的实施例的芯片封装结构的制作方法中，上述的芯片封装结构的制作方法还包括：配置彼此分离的芯片于第一绝缘层上之前，提供载板及位于载板上的离型膜。离型膜位于第一绝缘层与载板之间。进行单体化程序之后，移除离型膜及载板，而暴露出第一绝缘层的下表面。
[0026]基于上述，在本专利技术的芯片封装结构中，应力缓冲层覆盖芯片的主动面与周围表面，而第一绝缘层覆盖芯片的背面。意即，芯片被直接包覆在应力缓冲层及第一绝缘层之间。藉此，通过应力缓冲层来保护芯片的边缘，而通过第一绝缘层及第二绝缘层的设置来强化整体芯片封装结构的结构强度。因此，本专利技术的芯片封装结构可具有较佳的结构可靠度。
附图说明
[0027]图1A至图1G是依照本专利技术的一实施例的一种芯片封装结构的制作方法的剖面示意图；
[0028]图1H是依照本专利技术的一实施例的一种芯片封装结构的剖面示意图。
[0029]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片，具有彼此相对的主动面与背面以及连接所述主动面与所述背面的周围表面；应力缓冲层，覆盖所述芯片的所述主动面与所述周围表面，且具有暴露出所述芯片的部分所述主动面的开口；第一绝缘层，配置于所述芯片的所述背面上，其中所述应力缓冲层延伸配置于所述第一绝缘层上，且所述应力缓冲层的底面切齐于所述芯片的所述背面；重配置线路层，配置于所述芯片的所述主动面上，且延伸至所述应力缓冲层的所述开口内，所述重配置线路层通过所述开口与所述芯片电性连接；第二绝缘层，覆盖所述应力缓冲层以及所述重配置线路层，且具有暴露出部分所述重配置线路层的盲孔；以及焊球，配置于所述第二绝缘层的所述盲孔内，且与所述重配置线路层电性连接，所述焊球的顶面突出于所述第二绝缘层的上表面。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述重配置线路层包括线路层与导电通孔，所述导电通孔位于所述线路层与所述芯片的所述主动面之间，所述芯片通过所述导电通孔与所述线路层电性连接。3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层具有第一周围表面，所述第二绝缘层具有第二周围表面，所述应力缓冲层具有第三周围表面，所述第二周围表面切齐于所述第三周围表面与所述第一周围表面。4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：表面处理层，配置于所述第二绝缘层的所述盲孔所暴露出的所述重配置线路层上，其中所述焊球通过所述表面处理层与所述重配置线路层电性连接。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层的厚度大于0且小于等于1微米。6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层的材质不同于所述第一绝缘层的材质与所述第二绝缘层的材质。7.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层的材质包括硅烷偶合剂聚合物、硅橡胶、环氧树脂或感光型介电材料。8.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层包括味之素增层膜或封装胶层。9.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层的材质与所述第二绝缘层的材质相同。10.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层的材质与所述第二绝缘层的材质不同。11.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：配置彼此分离的多个芯片于第一绝缘层上，其中所述多个芯片中的每一个具有彼此相对的主动面与背面以及连接所述主动面与所述背面的周围表面，所述多个芯片中的每一个的所述背面直接接触所述第一绝缘层；形成应力缓冲层于所述第一绝缘层上，所述应力缓冲层延伸覆盖所述多个芯片中的每一个的所述主动面与所述周围表面，且所述应力缓冲层的底面切齐于所述芯片的所述背

【专利技术属性】
技术研发人员：林溥如，杨凯铭，柯正达，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：