芯片封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种芯片封装结构及其制作方法。芯片封装结构包括芯片、重配置线路层、焊球、封装胶体以及应力缓冲层。芯片具有彼此相对的主动面与背面以及连接主动面与背面的周围表面。重配置线路层配置于芯片的主动面上。焊球配置于重配置线路层上，且芯片通过重配置线路层与焊球电性连接。封装胶体覆盖芯片的主动面与背面、重配置线路层以及部分焊球。应力缓冲层至少覆盖芯片的周围表面。应力缓冲层的外表面切齐于封装胶体的侧表面。本发明专利技术的芯片封装结构可有效地保护芯片的边缘，且增加整体的结构强度及结构可靠度。的结构强度及结构可靠度。的结构强度及结构可靠度。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种封装结构及其制作方法，尤其涉及一种芯片封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]现有的技术中，可利用弹性材料、封装材料或裸晶下方的悬垂结构充当锚，来达到保护芯片边缘或增强封装胶体的机械强度。目前，于产品中，弹性材料或封装材料仅保护晶背及球面，而无法有效地保护芯片边缘。或者是，于另一产品中，使用封装材料来保护芯片边缘，虽可于可靠度实验中避免芯片破裂(crack)造成芯片失效，但因封装胶体与芯片之间存在热膨胀系数差异，导致缩短可靠度次数及产品使用时效。

技术实现思路

[0003]本专利技术是针对一种芯片封装结构，其可有效地保护芯片的边缘，且增加整体的结构强度及结构可靠度。
[0004]本专利技术还针对一种芯片封装结构的制作方法，用以制作上述的芯片封装结构。
[0005]根据本专利技术的实施例，芯片封装结构包括芯片、重配置线路层、焊球、封装胶体以及应力缓冲层。芯片具有彼此相对的主动面与背面以及连接主动面与背面的周围表面。重配置线路层配置于芯片的主动面上。焊球配本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片，具有彼此相对的主动面与背面以及连接所述主动面与所述背面的周围表面；重配置线路层，配置于所述芯片的所述主动面上；焊球，配置于所述重配置线路层上，其中所述芯片通过所述重配置线路层与所述焊球电性连接；封装胶体，覆盖所述芯片的所述主动面与所述背面、所述重配置线路层以及部分所述焊球；以及应力缓冲层，至少覆盖所述芯片的所述周围表面，其中所述应力缓冲层的外表面切齐于所述封装胶体的侧表面。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述重配置线路层包括线路层以及至少一导电通孔，所述至少一导电通孔位于所述线路层与所述芯片的所述主动面之间，且所述芯片通过所述至少一导电通孔与所述线路层电性连接。3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：表面处理层，配置于所述重配置线路层上，且位于所述焊球与所述重配置线路层之间。4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述封装胶体具有彼此相对的上表面与下表面，所述侧表面连接所述上表面与所述下表面，且所述侧表面包括第一侧表面与第二侧表面，所述应力缓冲层还延伸覆盖所述第一侧表面与所述上表面，且所述应力缓冲层的所述外表面切齐于所述第二侧表面。5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述封装胶体的所述上表面与所述芯片的所述主动面之间具有第一垂直间距，而所述封装胶体的所述下表面与所述芯片的所述背面之间具有第二垂直间距，且所述第一垂直间距大于所述第二垂直间距。6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层的高度等于或略大于所述芯片的厚度。7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层的材质不同于所述封装胶体的材质，而所述应力缓冲层的材质包括硅烷偶合剂聚合物、硅橡胶、环氧树脂或感光型介电材料。8.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：提供封装半成品，所述封装半成品包括晶圆、重配置线路层、多个焊球以及封装胶体，所述重配置线路层位于所述多个焊球与所述晶圆之间，而所述封装胶体包覆所述晶圆、所述重配置线路层以及部分所述多个焊球；形成多个沟槽于所述封装胶体中，所述多个沟槽纵横交错且从所述封装胶体的上表面延伸且穿过所述晶圆，而使所述晶圆区分为多个芯片，其中所述多个芯片中的每一个具有彼此相对的主动面与背面以及连接所述主动面与所述背面的周围表面，而所述重配置线路层配置于所述芯片的所述主动面上，所述多个芯片中的每一个通过所述重配置线路层与对应的所述多个焊球中的每一个电性连接，且所述封装胶体覆盖所述多个芯片中的每一个的所述主动面与所述背面、所述重配置线路层以及对应的部分所述焊球；形成应力缓冲层于所述封装胶体的所述上表面上且延伸配置于所述多个沟槽内，其中所述应力缓冲层暴露出部分所述多个焊球；以及进行单体化程序，以切割所述应力缓冲层与所述封装胶体，而形成彼此分离的多个芯
片封装结构，其中所述封装胶体具有彼此相对的所述上表面与下表面以及连接所述上表面与所述下表面的侧表面，所述侧表面包括第一侧表面与第二侧表面，所述应力缓冲层覆盖所述第一侧表面与所述上表面，且所述应力缓冲层的外表面切齐于所述第二侧表面。9.根据权利要求8所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：提供所述封装半成品之前，提供载板，所述封装半成品配置于所述载板上；以及进行所述单体化程序之前，移除所述载板，而暴露出所述封装胶体的所述下表面。10.根据权利要求8所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述重配置线路...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨凯铭，彭家瑜，陈姵圻，林溥如，柯正达，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：