电子器件的封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术提供了一种电子器件的封装结构及其封装方法，该封装结构中其封盖层的上表面和/或下表面上设置有加强部件，使得形成有加强部件的封盖层具有更高的抗压强度，有效改善了封盖层易变形而导致腔体发生塌陷的问题。了封盖层易变形而导致腔体发生塌陷的问题。了封盖层易变形而导致腔体发生塌陷的问题。

【技术实现步骤摘要】
电子器件的封装结构及其封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种电子器件的封装结构及其封装方法。

技术介绍

[0002]电子元器件的封装是集成电路制造中的一个重要环节，传统的封装方式一般可包括：金属封装、塑料封装和表贴封装贴装等。然而，金属封装和塑料封装体积大，不适合小型化趋势；以及，表面贴装工艺虽然其体积较小，然而其制作工艺复杂、价格较高。
[0003]近年来，晶圆级封装(Wafer Level Package，WLP)技术逐步发展成熟，该封装技术可以直接在晶圆上进行封装测试程序，之后再进行切割制成单颗组件，这种封装具有尺寸小、电性能好、成本低、易于小型化以及易集成的优势，从而被大量应用于电子器件的封装中。例如，针对声表面波滤波器(surface acoustic wave，SAW)而言，其作为一种无源的滤波器，随着5G到来，通讯频段增加，需在手机内放入大量的滤波器，这就要求芯片及封装向着更小、更薄的方向发展，为此，即可利用晶圆级封装(WLP)技术对声表面波滤波器进行封装。
[0004]目前的封装过程可包括：利用一种贴膜设备在晶圆表面贴上封盖膜，以形成一个腔体，将工作区域保护起来，之后可使用电镀等工艺将外围的接触垫(例如，焊盘)引出至器件的表面，从而完成器件的封装。按此方式封装完成的器件的体积较小，其封装后的尺寸与芯片尺寸大致一致，封装面积比在90％以上，适合模组的集成操作，且满足移动终端对尺寸的要求。然而，如上所述的封装结构中，其封盖膜的强度有限，容易出现变形、塌陷等问题，例如采用聚酰亚胺材料的封盖膜时其抗压强度较弱，不利于维持膜层和腔体的稳固，极易在后道的灌封压力下出现坍塌。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种电子器件的封装结构及其封装方法，以解决现有的封装结构其腔体容易塌陷的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种电子器件的封装结构，包括：支撑柱，形成在一具有器件区的衬底上，并位于所述器件区的外围；封盖层，搭载在所述支撑柱上以形成腔体，并将所述器件区内的电子器件封盖在所述腔体内；以及，加强部件，形成在所述封盖层的下表面和/或上表面，所述加强部件横跨腔体至器件区的外围。
[0007]可选的，所述加强部件包括至少一个横梁，所述横梁横跨腔体至器件区的外围。
[0008]可选的，位于封盖层下表面的加强部件的端部搭载在一台面上；或者，位于封盖层下表面的加强部件的端部朝向衬底延伸而抵触至所述衬底上。
[0009]可选的，位于封盖层上表面的加强部件的端部相对于所述封盖层的端部凸出，并搭载在一台面上；或者，位于封盖层上表面的加强部件的端部相对于所述封盖层的端部凸出，并朝向衬底延伸而抵触至所述衬底上。
[0010]可选的，所述加强部件的厚度小于所述封盖层的厚度。
[0011]可选的，所述封盖层的材料包括聚酰亚胺。以及，所述加强部件的材料例如包括金属。
[0012]本专利技术还提供了一种电子器件的封装方法，包括：在具有器件区的衬底上形成支撑柱和封盖层，所述支撑柱位于所述器件区的外围，所述封盖层搭载在所述支撑柱上以形成腔体，并将所述器件区内的电子器件封盖在所述腔体内。以及，所述封装方法还包括：在形成所述封盖层之前形成加强部件，所述加强部件在所述器件区内悬置并延伸至器件区的外围，并使所述封盖层接触覆盖所述加强部件的上表面；和/或，在形成所述封盖层之后形成加强部件，所述加强部件接触所述封盖层的顶表面并横跨腔体至器件区的外围。
[0013]可选的，在形成所述封盖层之前制备加强部件的方法包括：在所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述电子器件；以及，在所述牺牲层上形成加强部件，之后去除所述牺牲层，以使所述加强部件中至少位于电子器件上方的部分悬空。
[0014]可选的，所述牺牲层中位于电子器件外围的区域形成有开口，所述加强部件还填充所述开口，以使所述加强部件抵触至所述衬底上。
[0015]可选的，所述封盖层的形成方法包括：利用贴膜设备将聚酰亚胺干膜贴附至所述支撑柱上。
[0016]在本专利技术提供的电子器件的封装结构及其封装方法中，通过设置加强部件，该加强部件贴合在封盖层的上表面和/或下表面上，并从腔体的上方横跨腔体至器件区的外围，以利用加强部件和封盖层提高腔体的整体抗压性能，改善封盖层易变形而导致腔体发生塌陷的问题。
附图说明
[0017]图1为本专利技术一实施例中的电子器件的封装结构的示意图。
[0018]图2为图1所示的封装结构沿着aa
’
和bb
’
方向的其中一种剖面示意图。
[0019]图3为图1所示的封装结构沿着aa
’
和bb
’
方向的另一种剖面结示意图。
[0020]图4为本专利技术一实施例中的电子器件的其中一种封装方法的流程示意图。
[0021]图5
‑
图10为本专利技术一实施例中的一种封装方法在其封装过程中的结构示意图。
[0022]图11为本专利技术一实施例中的电子器件的另一种封装方法的流程示意图。
[0023]图12
‑
图14为本专利技术一实施例中的另一种封装方法在其封装过程中的结构示意图。
[0024]其中，附图标记如下：100
‑
衬底；110
‑
接触垫；210
‑
支撑柱；220
‑
封盖层；230
‑
加强部件；240
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接触柱；250
‑
焊球；300
‑
牺牲层；310
‑
开口。
具体实施方式
[0025]本专利技术的核心思路在于提供一种电子器件的封装结构及其封装方法，其具体是在封盖层的表面上形成加强部件，以提高封盖层的抗压强度，改善腔体容易出现变形、坍塌等问题。
[0026]以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的电子器件的封装结构及其封装方法作进一步详细说明。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的
目的。应当认识到，附图中所示的诸如“上方”，“下方”，“顶部”，“底部”，“上方”和“下方”之类的相对术语可用于描述彼此之间的各种元件的关系。这些相对术语旨在涵盖除附图中描绘的取向之外的元件的不同取向。例如，如果装置相对于附图中的视图是倒置的，则例如描述为在另一元件“上方”的元件现在将在该元件下方。
[0027]图1为本专利技术一实施例中的电子器件的封装结构的示意图，图2为图1所示的封装结构沿着aa
’
和bb
’
方向的一种剖面示意图，图3为图1所示的封装结构沿着aa
’
和bb
’
方向的另一种剖面示意图。需要说明的是，为了更明晰的示意出本实施例中的加强部件的结构，图1中省略了部分组件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件的封装结构，其特征在于，包括：支撑柱，形成在一具有器件区的衬底上，并位于所述器件区的外围；封盖层，搭载在所述支撑柱上以形成腔体，并将所述器件区内的电子器件封盖在所述腔体内；以及，加强部件，形成在所述封盖层的下表面和/或上表面，所述加强部件横跨腔体至器件区的外围。2.如权利要求1所述的电子器件的封装结构，其特征在于，所述加强部件包括至少一个横梁，所述横梁横跨腔体至器件区的外围。3.如权利要求1所述的电子器件的封装结构，其特征在于，位于所述封盖层下表面的加强部件的端部搭载在一台面上；或者，位于所述封盖层下表面的加强部件的端部朝向衬底延伸而抵触至所述衬底上。4.如权利要求1所述的电子器件的封装结构，其特征在于，位于封盖层上表面的加强部件的端部相对于所述封盖层的端部凸出，并搭载在一台面上；或者，位于封盖层上表面的加强部件的端部相对于所述封盖层的端部凸出，并朝向衬底延伸而抵触至所述衬底上。5.如权利要求1所述的电子器件的封装结构，其特征在于，所述加强部件的厚度小于所述封盖层的厚度。6.如权利要求1所述的电子器件的封装结构，其特征在于，所述封盖层的材料包括聚酰亚胺。7.如权利要求1
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6任一项所述的电子器件的封装结...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯雪丽，项少华，蔡敏豪，王大甲，穆苑龙，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：