半导体封装件及其制造方法技术

本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包含：半导体管芯，所述半导体管芯具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；多个第一真实导电柱，所述多个第一真实导电柱位于所述第一表面上的第一区域中；以及多个支撑件，所述多个支撑件位于与所述第一区域相邻的第二区域中。所述第二区域中的所述多个支撑件的面积密度介于所述第一区域中的所述多个第一真实导电柱的面积密度的约50％至约100％的范围内。在本公开中还公开了一种用于制造包含所述半导体器件的半导体封装件的方法。所述半导体器件的半导体封装件的方法。所述半导体器件的半导体封装件的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制造方法


[0001]本公开涉及一种半导体封装件，具体涉及一种包含半导体管芯的半导体封装件，所述半导体管芯具有密集连接区域和稀疏连接区域。

技术介绍

[0002]为了适应移动通信器件的发展，减小体积(例如，薄化)、降低制造成本、功能灵活多样以及加快产品周期对于器件封装是必不可少的。
[0003]研磨是半导体封装中减小封装件厚度的公知方法。一般而言，对于具有设置有多个导电柱的有源表面的半导体管芯，将带件附接到有源表面并且覆盖多个导电柱。由于带件的柔性性质，带件的底部可以根据下面的导电柱的外形而变形，而带件的顶部基本上是平坦的。

技术实现思路

[0004]在一些实施例中，本公开提供一种半导体器件，所述半导体器件包含：半导体管芯，所述半导体管芯具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；多个第一真实导电柱，所述多个第一真实导电柱位于所述第一表面上的第一区域中；以及多个支撑件，所述多个支撑件位于与所述第一区域相邻的第二区域中。所述第二区域中的所述多个支撑件的面积密度介于所述第一区域中的所述多个第一真实导电柱的面积密度的约50％至约100％的范围内。
[0005]在一些实施例中，本公开提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包含：第一半导体管芯，所述第一半导体管芯具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；多个第一真实导电柱，所述多个第一真实导电柱位于所述第一表面上的第一密集区域中；多个第二真实导电柱，所述多个第二真实导电柱位于所述第一表面上的第二密集区域中；多个支撑件，所述多个支撑件位于所述第一密集区域与所述第二密集区域之间的稀疏区域中；第二半导体管芯，所述第二半导体管芯位于所述第一半导体管芯上方；以及第三半导体管芯，所述第三半导体管芯位于所述第一半导体管芯上方。
[0006]在一些实施例中，本公开提供用于制造半导体封装件的方法，所述方法包含：在半导体管芯的第一表面的第一区域中形成多个第一真实导电柱；在所述第一表面的第二区域处引入防变形构件，所述第二区域与所述第一区域相邻；通过在所述第一表面处提供吸力来固定所述半导体管芯；以及在与所述第一表面相对的第二表面处薄化所述半导体管芯。
附图说明
[0007]当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以容易地理解本公开的各方面。应当注意，各种特征件可以不按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种特征件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0008]图1展示了根据一些比较实施例的半导体封装件中的半导体管芯的俯视图。
[0009]图2展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件中的半导体管芯的俯视图。
[0010]图3展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件中的半导体管芯的俯视图。
[0011]图4展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的横截面视图。
[0012]图5A、图5B和图5C展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。
[0013]图5A'、图5B'和图5C'展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。
[0014]图5A"、图5B"和图5C"展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。
[0015]图5D和图5E展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。
[0016]图5D'和图5E'展示了根据本公开一些实施例的半导体封装件的各种制造操作期间的中间产品的横截面视图。
[0017]图6A展示了根据本公开一些实施例的半导体管芯的横截面视图。
[0018]图6B展示了包含图6A的半导体管芯的半导体封装件的横截面视图。
[0019]图7A展示了根据本公开一些实施例的半导体管芯的横截面视图。
[0020]图7B展示了包含图7A的半导体管芯的半导体封装件的横截面视图。
具体实施方式
[0021]在整个附图和详细描述中使用相同的附图标记来指示相同或类似的部件。根据以下结合附图的详细描述，将容易地理解本公开的实施例。
[0022]空间描述，诸如“上面”、“下面”、“向上”、“左边”、“右边”、“向下”、“顶部”、“底部”、“竖直”、“水平”、“侧面”、“较高”、“较低”、“上部”、“上方”、“下方”等，是相对于特定的部件或部件组、或者部件或部件组的特定平面而指定的，或者针对部件的定向而指定的，如相关联的图所示。应当理解，本文使用的空间描述仅用于说明的目的，并且本文描述的结构的实际实施方案可以以任何定向或方式在空间上布置，只要此布置不偏离本公开的实施例的优点。
[0023]参照具有与柔性带件附接的有源表面的半导体管芯，当半导体管芯的有源表面上呈现出密集区域(就每单位体积的导电柱而言具有较大体积密度)和稀疏区域(就每单位体积的导电柱而言具有较小或甚至零体积密度)时，带件(tape)的顶部表面可能不会在密集区域和稀疏区域上继续保持平坦的形态。事实上，带件的顶部表面处的阶梯高度差可能会在密集区域与稀疏区域的边界处产生。从宏观的观点而言，由于使用大量的带件来填充稀疏区域中的间隙，并且使用少量的带件来填充密集区域中的导电柱之间的间隙，因此在稀疏区域上方形成凹部。
[0024]在随后的背面研磨操作中，使带件与卡盘工作台接触，从而向带件侧面处的半导体管芯施加真空抽吸。在薄化过程期间，当半导体管芯的厚度大于100μm时，真空抽吸可能不会形成足以使在与带件的凹部相邻的区域处的半导体管芯变形的机械冲击。然而，当半导体管芯的厚度小于100μm时，真空抽吸可以形成足以使在与带件的凹部相邻的区域处的半导体管芯变形的机械冲击。
[0025]当在与带件的凹部相邻的区域处(也就是说，在稀疏区域处)的半导体管芯呈现出变形时，随后通过模塑料平坦化操作来使密集区域中的导电柱和稀疏区域中的导电柱(如果有的话)暴露，可能会使得所有导电柱的总厚度变化(total thickness variation TTV)大于7μm。前述TTV可能会超出模塑料平坦化操作的加工误差窗口，并且可能会导致稀疏区域中的一些导电柱(如果有的话)几乎被去除。
[0026]本公开提供一种在稀疏区域中实施多个支撑件的半导体封装件结构。额外的支撑件可以防止在稀疏区域的带件上形成凹部，并且可以减小导致高TTV的半导体管芯变形的冲击。
[0027]本公开提供一种用于制造此种在稀疏区域中实施多个支撑件的半导体封装件结构的方法。
[0028]本公开提供一种用于制造半导体结构的方法，所述方法可免于由于背面研磨阶段的半导体管芯变形而导致的高TTV问题。例如，可以实施被设计在提供真空抽吸的卡盘工作台处的机械支撑件，以防止变形。对于另一实例，可以实施被设计在卡盘工作台处、消除稀疏区域上方的带件上的凹部的突出，以防止变形。
[0029]参照图1，图1展示了根据一些比较实施例的半导体封装件中的半导体管芯100的俯视图。图1示出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：半导体管芯，所述半导体管芯具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；多个第一真实导电柱，所述多个第一真实导电柱位于所述第一表面上的第一区域中；以及多个支撑件，所述多个支撑件位于与所述第一区域相邻的第二区域中，其中所述第二区域中的所述多个支撑件的面积密度介于所述第一区域中的所述多个第一真实导电柱的面积密度的约50％至约100％的范围内。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个支撑件包含虚设柱。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二区域中的所述多个支撑件的体积密度介于所述第一区域中的所述多个第一真实导电柱的体积密度的约50％至约100％的范围内。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中从俯视图视角来看，所述第二区域的所述支撑件中的每一者的形状不同于所述第一区域的所述多个第一真实导电柱中的每一者的形状。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二区域的所述多个支撑件中的每一者的高度低于所述第一区域的所述多个第一真实导电柱中的每一者的高度。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体管芯的厚度小于约100μm。7.一种半导体封装件，包括：第一半导体管芯，所述第一半导体管芯具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；多个第一真实导电柱，所述多个第一真实导电柱位于所述第一表面上的第一密集区域中；多个第二真实导电柱，所述多个第二真实导电柱位于所述第一表面上的第二密集区域中；多个支撑件，所述多个支撑件位于所述第一密集区域与所述第二密集区域之间的稀疏区域中；第二半导体管芯，所述第二半导体管芯位于所述第一半导体管芯上方；以及第三半导体管芯，所述第三半导体管芯位于所述第一半导体管芯上方。8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中所述第二半导体管芯与所述第一真实导电柱重叠，并且所述第三半导体管芯与所述第二真实导电柱重叠。9.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中所述稀疏区域中的所述多个支撑件的面积密...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄馨禾，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：