【技术实现步骤摘要】
本专利技术通常涉及集成电路放大器，更具体地，涉及具有小的面积和高的电流效率的自适应偏置输入级，并且涉及包括该自适应偏置输入级的放大器。
技术介绍
包括模拟集成电路放大器的模拟电路是许多电子设备中的常见元件。由于需要电子设备是便携的和小的，因此模拟集成电路放大器需要被形成为具有低的面积并且在低的功耗下操作。 为了使电流消耗最小，自适应偏置放大器依赖于输入增加偏置电流。附图说明图1示出了现有技术的自适应偏置放大器100的电路图，如Degrauwe等人的“Adaptive Biasing CMOS Amplifier”，IEEE Journal ofSolid-State Circuits(IEEE固态电路杂志)，Vol.SC-17，No.3，pages 522-528，June 1982中公开的。 参考图1，自适应偏置放大器100包括具有栅极的NMOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)MN1和MN2，输入Vin-和Vin+分别施加在该栅极上。此外，二极管连接(diode-connected)的PMOSFET(P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)M...
【技术保护点】
一种自适应偏置输入级，包括： 差分耦合的放大场效应晶体管对，其具有栅极，差分输入施加在所述栅极上； 差分耦合的感应场效应晶体管对，其具有栅极，差分输入施加在所述栅极上； 静态电流源，其耦合在第一电源节点和预定节点处的所述放大和感应场效应晶体管的源极之间； 第一电流镜，其耦合在一个所述感应场效应晶体管和第二电源节点之间；和 第二电流镜，其耦合在所述第一电流镜、所述预定节点和所述第一电源节点之间。
【技术特征摘要】
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