【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子
，尤其涉及一种功率放大器温度补偿方法及装置 系统。
技术介绍
LDMOS功放管的静态工作电流直接影响着功放管的性能，给功放管提供 不同的栅压可以得到不同的静态工作电流，随着环境温度的改变，如果功放管 的栅压维持不变，则功放管的静态工作电流会发生漂移，从而导致功放管的性 能恶化。一方面来讲，场效应管的开启电压随着温度的升高而变小，另一方面，电 子迁移率随着温度的升高而变小，这两方面相互影响，使场效应管的静态电流 随温度变化呈现出不同的特性。根据LDMOS工艺的特性，有研究表明，温度 每升高rC， LDMOS功放管的栅压需降低约2mV，才能维持其静态工作电流， 这就是所谓的栅压补偿。传统的栅压补偿方法可分为两大类， 一类是i^拟温度补偿方法，另一类是 数字温度补偿方法。模拟的温度补偿主要利用三极管PN结的负温度系数来实 现，其特点是电路原理简单，易实现，但缺点是补偿精度4艮低，且生产一致性 差，随着第三代移动通信的发展，对功放管的工作稳定性要求越来越高，此方 法的应用范围将逐渐缩小。数字温度补偿方法相对于模拟温度补偿方法来讲，补偿精度有很大...
【技术保护点】
一种功率放大器温度补偿方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤： Ａ、获取待温度补偿的功放管的当前工作温度，自动调试出在该当前工作温度下所述功放管的最佳栅压值，并再次获取自动调试结束后所述功放管的当前工作温度； Ｂ、根据上述自动调试前／后获取的当前工作温度及最佳栅压值以及温补系数自动计算出所述功放管在一定温度范围内的温补数据； Ｃ、实时地监测所述功放管的工作温度，根据该工作温度在所述温补数据中查找对应的补偿数据，并用该补偿数据对所述功放管进行温度补偿。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘键，程勇其，
申请(专利权)人：芯通科技成都有限公司，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]
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