【技术实现步骤摘要】
存储设备、存储器控制器及存储设备的操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于于2020年12月30日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0188210号韩国专利申请并且要求该韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部并入本文。
[0003]专利技术构思涉及半导体器件，并且更具体地涉及能够通过使用纠错码(ECC)数据执行可靠性检查的存储设备(storage device)、存储器控制器及存储设备的操作方法。
技术介绍
[0004]使用半导体芯片的系统广泛使用动态随机存取存储器(DRAM)作为系统的操作存储器或主存储器并且使用存储设备作为存储介质，从而存储由系统内的主机使用的数据或指令和/或执行计算操作。存储设备包括非易失性存储器。随着存储设备的容量增加，存储单元的数量以及堆叠在非易失性存储器的衬底上的字线的数量增加，并且存储单元中存储的数据的位的数量也增加。为了改善存储器的存储容量和集成度，正在研究存储单元以三维(3D)结构堆叠的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储设备，所述存储设备包括：非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括多个存储块，所述多个存储块中的每一个存储块包括连接到多条字线的存储单元，所述存储单元配置为根据写入数据被编程为多个状态；以及存储器控制器，所述存储器控制器配置为：检查所述存储单元之中的与所述多条字线之中的选定字线连接的第一存储单元的可靠性，其中，所述存储器控制器还配置为，针对与所述选定字线连接的所述第一存储单元，执行第一读取操作，通过对由所述第一读取操作读取出的第一读取数据执行纠错解码，获得纠错后的数据，针对与所述选定字线连接的所述第一存储单元，执行第二读取操作，并且基于所述纠错后的数据，对由所述第二读取操作读取出的第二读取数据的错误数量计数。2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储器控制器还配置为：通过对与所述纠错后的数据对应的所述多个状态中的每一个状态计数，计算所述多个状态中的每一个状态的第一计数数量。3.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述存储器控制器进一步配置为，通过使用第一读取电压，执行所述第二读取操作，通过对由每一个所述第一读取电压关断的关断存储单元的数量计数，计算所述多个状态中的每一个状态的第二计数数量，并且基于所述多个状态中的每一个状态的所述第一计数数量和所述多个状态中的每一个状态的所述第二计数数量，对所述第二读取数据的所述错误数量计数。4.根据权利要求3所述的存储设备，其中，每一个所述第一读取电压的电压电平被设置为低于在所述第一读取操作中使用的读取电压中的对应读取电压的电压电平。5.根据权利要求3所述的存储设备，其中，每一个所述第一读取电压的电压电平被设置为等于在所述第一读取操作中使用的读取电压中的对应读取电压的电压电平。6.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述存储器控制器进一步配置为，通过使用第一读取电压，执行所述第二读取操作，通过对由每一个所述第一读取电压开启的开启存储单元的数量计数，计算所述多个状态中的每一个状态的第二计数数量，并且基于所述多个状态中的每一个状态的所述第一计数数量和所述多个状态中的每一个状态的所述第二计数数量，对所述第二读取数据的所述错误数量计数。7.根据权利要求6所述的存储设备，其中，每一个所述第一读取电压的电压电平被设置为高于在所述第一读取操作中使用的读取电压中的对应读取电压的电压电平。8.根据权利要求6所述的存储设备，其中，每一个所述第一读取电压的电压电平被设置为等于在所述第一读取操作中使用的读取电压中的对应读取电压的电压电平。9.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储器控制器还配置为：基于所述第二读取数据的所述错误数量，确定是否执行回收操作。10.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储器控制器还配置为：基于所述写入
数据而不是所述纠错后的数据，对由所述第二读取操作读取出的所述第二读取数据的所述错误数量计数。11.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述第一读取数据和所述第二读取数据中的每一者包括所述写入数据的数据位和针对所述写入数据的奇偶校验位，并且所述存储器控制器还配置为：对与...
【专利技术属性】
技术研发人员：李智锡，宋皇柱，金男容，尹才垠，李相武，黄相元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。