一种SRAM纠错方法、系统及终端技术方案

本发明专利技术提供一种SRAM纠错方法、系统及终端，包括以下步骤：获取SRAM在一个刷新周期中的比特单元的ECC数值；当所述ECC数值大于预设阈值时，提高所述SRAM的刷新频率；当所述ECC数值小于所述预设阈值时，降低所述SRAM的刷新频率。本发明专利技术的SRAM纠错方法、系统及终端通过自适应地调整SRAM的刷新频率来实现SRAM的有效纠错，极大地提升了SRAM的可靠性。极大地提升了SRAM的可靠性。极大地提升了SRAM的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种SRAM纠错方法、系统及终端


[0001]本专利技术涉及静态随机存储器(Static Random
‑
Access Memory，SRAM)的
，特别是涉及一种SRAM纠错方法、系统及终端。

技术介绍

[0002]SRAM由于具有高集成度、高速率、低功耗等特点，被广泛使用于电脑、服务器、通讯存储设备等中。可靠性和数据的完整性是存储设备时需要关注的最重要的因素，故要求不能因环境条件(如辐射)而破坏存储器中的数据。而SRAM对单粒子翻转效应特别敏感，这种效应会导致SRAM地址单元中存储的数据发生不可预测的翻转，由此导致的结果会很严重。
[0003]为提高SRAM的可靠性，进行系统设计时，需要考虑片内或片外错误校验性能或冗余技术。随着半导体行业器件的尺寸越来越小，SRAM发生单粒子翻转的临界阈值不断降低，SRAM本身的可靠性越来越低。因此，如何实现高可靠性的、抗单粒子翻转的SRAM纠错成为当前的热点研究课题。
[0004]现有技术是，SRAM中的数据更新逻辑如图1所示。其中，SRAM会在一定的周期如t秒内，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SRAM纠错方法，其特征在于：包括以下步骤：获取SRAM在一个刷新周期中的比特单元的ECC数值；当所述ECC数值大于预设阈值时，提高所述SRAM的刷新频率；当所述ECC数值小于所述预设阈值时，降低所述SRAM的刷新频率。2.根据权利要求1所述的SRAM纠错方法，其特征在于：所述ECC数值为比特单元的ECC个数。3.根据权利要求1所述的SRAM纠错方法，其特征在于：所述ECC数值为比特单元的ECC比例。4.根据权利要求1所述的SRAM纠错方法，其特征在于：所述ECC数值为ECC次数。5.一种SRAM纠错系统，其特征在于：包括获取模块和纠错模块；所述获取模块用于获取SRAM在一个刷新周期中的比特单元的ECC数值；所述纠错模块用于当所述ECC数值大于预设阈值时，提高所述SRAM的刷新频率；当所述ECC数值...

【专利技术属性】
技术研发人员：许霞，董业民，杨文伟，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：