发光化合物、具有所述化合物的有机发光二极管和有机发光装置制造方法及图纸

本公开涉及发光化合物、以及具有所述化合物的有机发光二极管和有机发光装置，更具体地，涉及具有以下式1的结构的发光化合物、包含所述发光化合物的有机发光二极管(OLED)和有机发光装置。包含所述发光化合物的OLED和有机发光装置可以提高其发光效率和发光寿命。[式1]1]1]1]

【技术实现步骤摘要】
发光化合物、具有所述化合物的有机发光二极管和有机发光装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月29日在大韩民国提交的韩国专利申请第10
‑
2020
‑
0186023号的优先权权益，其在此明确地整体并入本申请。


[0003]本公开涉及发光化合物，并且更具体地，涉及具有优异的发光效率和发光寿命的发光化合物、包含所述化合物的有机发光二极管和有机发光装置。

技术介绍

[0004]广泛使用的平板显示装置中的有机发光二极管(OLED)已经作为快速代替液晶显示装置(LCD)的显示装置成为焦点。OLED可以形成为小于的薄有机膜，并且可以通过电极配置实现单向或双向图像。此外，OLED甚至可以在柔性透明基板例如塑料基板上形成，使得可以使用OLED容易地实现柔性或可折叠显示装置。此外，与LCD相比，OLED可以在较低的电压下驱动并且OLED具有优异的高颜色纯度。
[0005]由于荧光材料在发光过程中仅使用单线态激子能量，因此相关技术的荧光材料显示出低的发光效率。相反，由于磷光材料在发光过程中使用三线态激子能量以及单线态激子能量，因此其可以显示出高的发光效率。然而，蓝色发光材料具有太低的发光效率和太短的寿命而不能用于商业用途。因此，需要保持开发可以提高发光效率和发光寿命的化合物。

技术实现思路

[0006]因此，本公开的实施方案涉及这样的有机发光装置，其基本上消除了一个或更多个由于相关技术的限制和缺点导致的问题。
[0007]本公开的一个目的是提供具有优异的发光效率和发光寿命的发光化合物、包含所述化合物的有机发光二极管和有机发光装置。
[0008]附加的特征和方面将在随后的描述中阐述，并且部分地将根据描述而明显，或者可以通过实践本文中提供的专利技术构思而得知。本专利技术构思的其他特征和方面可以通过在所撰写的说明书中特别指出的结构、或可从中得出的结构、及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
[0009]为了实现本专利技术构思的这些和其他方面，如具体体现和概括描述的，在一个方面，本公开提供了具有以下式1的结构的发光化合物：
[0010][式1][0011][0012]其中A1和A2各自独立地为未经取代或经取代的C4‑
C
30
脂环族环、未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂脂环族环、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳族环；A3为未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳族环；X为硼原子、P＝O或P＝S；Y1和Y2各自独立地为CR3R4、NR3、O、S或SiR3R4；Z1为碳原子，Z2和Z3中的一者为CR5或N以及Z2和Z3中的另一者为O或S，作为CR5或N的Z2或Z3以双键连接至Z1；R1和R2各自独立地选自氕、氘、卤素、氰基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C2‑
C
20
烯基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷氧基、氨基、羧基、腈基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
卤代烷基、未经取代或经取代的C4‑
C
30
脂环族基团、未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂脂环族基团、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳族基团和未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳族基团，或R1和R2形成未经取代或经取代的C4‑
C
20
脂环族环、未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂脂环族环、未经取代或经取代的C6‑
C
20
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳族环；R3至R5各自独立地选自氕、氘、卤素、氰基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C2‑
C
20
烯基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷氧基、氨基、羧基、腈基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
卤代烷基、未经取代或经取代的C4‑
C
30
脂环族基团、未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂脂环族基团、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳族基团和未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳族基团。
[0013]作为实例，式1中的X可以包括硼，Z2和Z3中的一者可以为N以及Z2和Z3中的另一者可以为O或S，以及R1和R2可以形成未经取代或经取代的C6‑
C
20
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳族环。
[0014]在另一个方面，本公开提供了有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；和发光层，所述发光层设置在第一电极与第二电极之间并且包括至少一个发光材料层，其中至少一个发光材料层包含发光化合物。
[0015]作为实例，发光化合物可以作为掺杂剂包含在至少一个发光材料层中。
[0016]发光层可以具有单个发光部或者具有多个发光部以形成串联结构。
[0017]在又一个方面中，本公开提供了有机发光装置，例如有机发光显示装置或有机发光照明装置，所述有机发光装置包括基板和在基板上方的有机发光二极管。
[0018]应理解，前述的一般性描述和以下的详细描述两者均为示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本专利技术构思的进一步说明。
附图说明
[0019]被包括以提供对本公开的进一步理解的附图被并入本申请中并构成本申请的一
部分，附图示出了本公开的实施方案，并且与说明书一起用于说明本公开的原理。
[0020]图1是示出根据本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
[0021]图2是示出根据本公开的一个示例性方面的作为有机发光装置的一个实例的有机发光显示装置的示意性截面图。
[0022]图3是示出根据本公开的一个示例性方面的具有单个发光部的有机发光二极管的示意性截面图。
[0023]图4是示出根据本公开的另一个示例性方面的具有双堆叠结构的有机发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光化合物，所述发光化合物具有以下式1的结构：[式1]其中A1和A2各自独立地为未经取代或经取代的C4‑
C
30
脂环族环、未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂脂环族环、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳族环；A3为未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳族环；X为硼原子、P＝O或P＝S；Y1和Y2各自独立地为CR3R4、NR3、O、S或SiR3R4；Z1为碳原子，Z2和Z3中的一者为CR5或N以及Z2和Z3中的另一者为O或S，作为CR5或N的Z2或Z3以双键连接至Z1；R1和R2各自独立地选自氕、氘、卤素、氰基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C2‑
C
20
烯基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷氧基、氨基、羧基、腈基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
卤代烷基、未经取代或经取代的C4‑
C
30
脂环族基团、未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂脂环族基团、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳族基团和未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳族基团，或R1和R2形成未经取代或经取代的C4‑
C
20
脂环族环、未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂脂环族环、未经取代或经取代的C6‑
C
20
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳族环；R3至R5各自独立地选自氕、氘、卤素、氰基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C2‑
C
20
烯基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷氧基、氨基、羧基、腈基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
卤代烷基、未经取代或经取代的C4‑
C
30
脂环族基团、未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂脂环族基团、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳族基团和未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳族基团。2.根据权利要求1所述的发光化合物，其中X包括硼，Z2和Z3中的一者为N以及Z2和Z3中的另一者为O或S，以及R1和R2形成未经取代或经取代的C6‑
C
20
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳族环。3.根据权利要求1所述的发光化合物，其中所述发光化合物具有以下式2的结构：[式2]其中A4和A5各自独立地为未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳族环或者未经取代或经取代的
C3‑
C
30
杂芳族环；Y3和Y4各自独立地为NR
13
或O；Z
11
为碳原子，Z
12
和Z
13
中的一者为N以及Z
12
和Z
13
中的另一者为O或S，作为N的Z
12
或Z
13
以双键连接至Z
11
；R
11
和R
12
各自独立地选自氕、氘、卤素、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷氧基、氨基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳基和未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳基，或R
11
和R
12
形成未经取代或经取代的C4‑
C
20
脂环族环、未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂脂环族环、未经取代或经取代的C6‑
C
20
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳族环；R
13
选自氕、氘、卤素、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷氧基、氨基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳族基团和未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳族基团。4.根据权利要求3所述的发光化合物，其中R
11
和R
12
形成未经取代或经取代的C6‑
C
20
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳族环。5.根据权利要求3所述的发光化合物，其中所述发光化合物具有以下式3的结构：[式3]其中R
11
、R
12
、Z
11
、Z
12
和Z
13
各自与式2中限定的相同；R
21
至R
24
各自独立地选自氕、氘、卤素、未经取代或经取代的C1‑
C
10
烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
10
烷基氨基、未经取代或经取代的C6‑
C
20
芳基和未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳基，当a为2或更大时，每个R
21
彼此相同或不同，当b为2或更大时，每个R
22
彼此相同或不同，当c为2或更大时，每个R
23
彼此相同或不同，当d为2或更大时，每个R
24
彼此相同或不同；a、b、c和d各自分别为取代基R
21
、R
22
、R
23
和R
24
的数量，a和b各自独立地为0至5的整数，c为0至3的整数以及d为0至4的整数。6.根据权利要求1所述的发光化合物，其中所述发光化合物具有以下式4的结构：[式4]其中A5为未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳族环；Y3和Y4各自独立地为NR
15
或O；Z
11
和Z
21
各自为碳原子，Z
12
和Z
13
中的一者为N以及Z
12
和Z
13
中的另一者为O或S，作为N的Z
12
或Z
13
以双键连接至Z
11
，Z
22
和Z
23
中的一者为N以及Z
22
和Z
23
中的另
一者为O或S，作为N的Z
22
或Z
23
以双键连接至Z
21
；R
11
至R
14
各自独立地选自氕、氘、卤素、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷氧基、氨基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳基和未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳基，或者R
11
与R
12
以及R
13
与R
14
各自独立地形成未经取代或经取代的C4‑
C
20
脂环族环、未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂脂环族环、未经取代或经取代的C6‑
C
20
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳族环；R
15
选自氕、氘、卤素、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷氧基、氨基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳族基团和未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳族基团。7.根据权利要求6所述的发光化合物，其中R
11
与R
12
以及R
13
与R
14
各自独立地形成未经取代或经取代的C6‑
C
20
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳族环。8.根据权利要求6所述的发光化合物，其中所述发光化合物具有以下式5的结构：[式5]其中R
11
至R
14
、Z
11
至Z
13
和Z
21
至Z
23
各自与式4中限定的相同；R
21
至R
23
各自独立地选自氕、氘、卤素、未经取代或经取代的C1‑
C
10
烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
10
烷基氨基、未经取代或经取代的C6‑
C
20
芳基和未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳基，当a为2或更大时，每个R
21
彼此相同或不同，当b为2或更大时，每个R
22
彼此相同或不同，当c为2或更大时，每个R
23
彼此相同或不同；a、b和c各自分别为取代基R
21
、R
22
和R
23
的数量，a和b各自独立地为0至5的整数，以及c为0至3的整数。9.根据权利要求1所述的发光化合物，其中所述发光化合物选自以下化合物：
10.一种有机发光二极管，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；和设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括至少一个发光材料层的发光层，其中所述至少一个发光材料层包含具有以下式1的结构的发光化合物：[式1]其中A1和A2各自独立地为未经取代或经取代的C4‑
C
30
脂环族环、未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂脂环族环、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳族环；A3为未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔树娜，宋寅范，徐正大，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：