发光化合物和包含其的有机发光装置制造方法及图纸

本公开涉及发光化合物和包含其的有机发光装置，更具体地，本公开涉及以下的发光化合物、以及各自包含所述发光化合物的有机发光二极管和有机发光装置。极管和有机发光装置。极管和有机发光装置。极管和有机发光装置。

【技术实现步骤摘要】
发光化合物和包含其的有机发光装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月29日在大韩民国提交的韩国专利申请第10
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2020
‑
0186020号的权益，其通过引用整体并入本文。


[0003]本公开涉及发光化合物，并且更具体地，涉及具有高发光效率和寿命的发光化合物和包含其的有机发光装置。

技术介绍

[0004]随着对具有小的占用面积的平板显示装置的需求增加，包括有机发光二极管(OLED)的有机发光显示装置已成为近来研究和开发的主题。
[0005]OLED通过将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴注入到发光材料层(emitting material layer，EML)中，使电子与空穴结合，产生激子，并使激子从激发态转换成基态来发光。可以使用柔性基板例如塑料基板作为其中形成有元件的基础基板。此外，有机发光显示装置可以在比使其他显示装置运行所需的电压更低的电压(例如10V或更低)下运行。此外，有机发光显示装置在功耗和色感方面具有优势。
[0006]例如，有机发光显示装置可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且可以在红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的每一者中形成OLED。
[0007]然而，蓝色像素中的OLED无法提供足够的发光效率和寿命，使得有机发光显示装置在发光效率和寿命方面具有局限性。

技术实现思路

[0008]本公开涉及基本上消除了与相关常规技术的局限性和缺点相关的问题中的一者或更多者的发光化合物和包含所述发光化合物的有机发光装置。
[0009]本公开的另外的特征和优点在下面的描述中阐述，并且将从描述中变得明显，或者通过本公开的实践而变得明显。本公开的目的和其他优点通过本文以及附图中描述的特征来实现并获得。
[0010]为了实现根据本公开的实施方案的目的的这些和其他优点，如本文所述，本公开
的一个方面是由式1表示的发光化合物：[式1]其中X为B、P＝O和P＝S中的一者，其中Y1选自NR1、C(R2)2、O、S、Se和Si(R3)2，以及Y2为O或S，其中R1至R6各自独立地选自氢、氘、未经取代或经氘取代的C1至C10烷基、未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C6至C30芳基胺基、未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C6至C30芳基、以及未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C5至C30杂芳基，以及其中A环、E环和C环各自独立地选自经取代或未经取代的六元环烷基环、经取代或未经取代的六元芳族环和经取代或未经取代的六元杂芳族环。
[0011]本公开的另一个方面是有机发光装置，所述有机发光装置包括基板和有机发光二极管，所述有机发光二极管定位在基板上并且包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及包含第一化合物并且定位在第一电极与第二电极之间的第一发光材料层，其中第一化合物为以上发光化合物。
[0012]应理解，前述的一般性描述和以下的详细描述二者都是示例性和说明性的，并且旨在进一步说明所要求保护的本公开。
附图说明
[0013]被包括用于提供对本公开的进一步理解并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图示出了本公开的实施方案，并且与说明书一起用于说明本公开的原理。
[0014]图1是示出本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
[0015]图2是示出根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
[0016]图3是示出用于根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的具有单个发光部的OLED的示意性截面图。
[0017]图4是示出用于根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的具有两个发光部的串联结构的OLED的示意性截面图。
[0018]图5是示出根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
[0019]图6是示出用于根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置的具有两个发光部的串联结构的OLED的示意性截面图。
[0020]图7是示出用于根据本公开的第二实施方案的有机发光显示装置的具有三个发光部的串联结构的OLED的示意性截面图。
[0021]图8是示出根据本公开的第三实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
具体实施方式
[0022]现在将详细参照在附图中示出的实例和优选实施方案中的一些。
[0023]图1是示出本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
[0024]如图1中所示，在有机发光显示装置中形成有彼此交叉以限定像素(像素区域)P的栅极线GL和数据线DL、以及电源线PL。在像素区域P中形成有开关薄膜晶体管(TFT)Ts、驱动薄膜晶体管(TFT)Td、存储电容器Cst和OLED D。像素区域P可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素。
[0025]开关薄膜晶体管Ts连接至栅极线GL和数据线DL，以及驱动薄膜晶体管Td和存储电容器Cst连接在开关薄膜晶体管Ts与电源线PL之间。OLED D连接至驱动薄膜晶体管Td。当通过经由栅极线GL施加的栅极信号使开关薄膜晶体管Ts导通时，经由数据线DL施加的数据信号经由开关薄膜晶体管Ts被施加至驱动薄膜晶体管Td的栅电极和存储电容器Cst的一个电极。
[0026]通过施加到栅电极中的数据信号使驱动薄膜晶体管Td导通，使得经由驱动薄膜晶体管Td从电源线PL向OLED D供应与数据信号成比例的电流。OLED D发射亮度与流过驱动薄膜晶体管Td的电流成比例的光。在这种情况下，利用与数据信号成比例的电压对存储电容器Cst进行充电，使得驱动薄膜晶体管Td中的栅电极的电压在一帧期间保持恒定。因此，有机发光显示装置可以显示期望的图像。
[0027]图2是示出根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
[0028]如图2中所示，有机发光显示装置100包括基板110、TFT Tr和连接至TFT Tr的OLED D。例如，有机发光显示装置100可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且可以在红色像素、绿色像素和蓝色像素中的每一者中形成OLED D。即，可以在红色像素、绿色像素和蓝色像素中分别设置发射红色光、绿色光和蓝色光的OLED D。
[0029]基板110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
[0030]在基板上形成有缓冲层120，并且在缓冲层120上形成有TFT Tr。可以省略缓冲层120。
[0031]在缓冲层120上形成有半导体层122。半导体层122可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。
[0032]当半导体层122包含氧化物半导体材料时，可以在半导体层122下方形成遮光图案(未示出)。到达半导体层122的光被遮光图案遮挡或阻挡，使得可以防本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种由式1表示的发光化合物：[式1]其中X为B、P＝O和P＝S中的一者，其中Y1选自NR1、C(R2)2、O、S、Se和Si(R3)2，以及Y2为O或S，其中R1至R6各自独立地选自氢、氘、未经取代或经氘取代的C1至C10烷基、未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C6至C30芳基胺基、未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C6至C30芳基、以及未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C5至C30杂芳基，以及其中A环、E环和C环各自独立地选自经取代或未经取代的六元环烷基环、经取代或未经取代的六元芳族环、和经取代或未经取代的六元杂芳族环。2.根据权利要求1所述的发光化合物，其中所述式1由式2
‑
1表示：[式2
‑
1]其中在所述式2
‑
1中，R7、R8和R9各自独立地选自氢、氘、未经取代或经氘取代的C1至C10烷基、未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C6至C30芳基胺基、未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C6至C30芳基、以及未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C5至C30杂芳基，以及其中X、Y1、Y2和R4至R6的定义与式1中的那些相同。3.根据权利要求2所述的发光化合物，其中所述式2
‑
1由式2
‑
2表示：[式2
‑
2]
其中R1选自氢、氘、未经取代或经氘取代的C1至C10烷基、未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C6至C30芳基胺基、未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C6至C30芳基、以及未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C5至C30杂芳基，以及其中Y2和R4至R9的定义与式2
‑
1中的那些相同。4.根据权利要求1所述的发光化合物，其中所述式1由式2
‑
3表示：[式2
‑
3]其中在所述式2
‑
3中，Z1至Z4各自独立地为为N或CR
10
，并且Z1至Z4中的至少一者为N，其中R7至R
10
各自独立地选自氢、氘、未经取代或经氘取代的C1至C10烷基、未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C6至C30芳基胺基、未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C6至C30芳基、以及未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C5至C30杂芳基，以及其中X、Y1、Y2和R4至R6的定义与式1中的那些相同。5.根据权利要求4所述的发光化合物，其中所述式2
‑
3由式2
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4表示：[式2
‑
4]
其中R1选自氢、氘、未经取代或经氘取代的C1至C10烷基、未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C6至C30芳基胺基、未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C6至C30芳基、以及未经取代或者经氘或C1至C10烷基取代的C5至C30杂芳基，以及其中Y2、Z1至Z4和R4至R9的定义与式2
‑
3中的那些相同。6.根据权利要求1所述的发光化合物，其中所述发光化合物为式3中的化合物中的一者：[式3]
7.一种有机发光装置，包括：基板；和有机发光二极管，所述有机发光二极管定位在所述基板上并且包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及包含第一化合物并且定位在所述第一电极与所述第二电极之间的第一发光材料层，其中所述第一化合物为根据权利要求1所述的由式1表示的发光化合物。8.根据权利要求7所述的有机发光装置，其中所述第一发光材料层还包含第二化合物，
其中所述第二化合物由式4表示：[式4]其中Ar1和Ar2各自独立地为C6至C30芳基或C5至C30杂芳基，L为单键或C6至C30亚芳基，以及其中所述第二化合物中的氢是未氘化的或者是部分或全部氘化的。9.根据权利要求8所述的有机发光装置，其中所述第二化合物为式5中的化合物中的一者：[式5]10.根据权利要求7所述的有机发光装置，其中所述有机发光二极管还包括：第二发光材料层，所述第二发光材料层包含第三化合物并且定位在所述第一发光材料层与所述第二电极之间；和第一电荷生...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔树娜，宋寅范，徐正大，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：