处理设备及工件的处理方法技术

技术编号:34002842 阅读:23 留言:0更新日期:2022-07-02 12:35
本申请提供一种处理设备及工件的处理方法。该处理设备包括加热气路系统。该加热气路系统用于对工件的待清洁区吹扫加热气体,所述加热气体用于对待清洁区进行加热,并通过吹扫去除待清洁区的污染层。本申请的处理设备及工件的处理方法中,加热气路系统能够对工件的待清洁区进行加热处理,并通过吹扫加热气体去除待清洁区的污染层,加热气体可以抑制气体环境中的污染源附着在工件的待清洁区的表面,防止污染层重新生长,从而保证处理设备的处理精度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
处理设备及工件的处理方法


[0001]本申请涉及半导体
,更具体而言,涉及一种处理设备及工件的处理方法。

技术介绍

[0002]随着半导体工件尺寸的不断缩小,制造工艺中对半导体工件膜层参数的控制要求越来越严格,在半导体制程中,半导体工件表面会吸收类似水、各类工艺气体等的蒸气,在膜层表面产生一个污染层,这个污染层的存在影响到半导体制程中对膜层参数测量的准确性,从而影响处理的精度。目前,先对半导体工件进行清洁工作,再将半导体工件传递至处理设备中进行处理工作,在传递工件至处理设备的过程中,污染层会重新生长,进而影响半导体制程的处理精度。

技术实现思路

[0003]本申请实施方式提供一种处理设备及工件的处理方法。
[0004]本申请实施方式的处理设备包括加热气路系统。加热气路系统用于对工件的待清洁区吹扫加热气体,所述加热气体用于对待清洁区进行加热,并通过吹扫去除待清洁区的污染层。
[0005]在某些实施方式中,所述加热气路系统包括气源、加热模块及气体喷嘴。所述气源用于产生初始气体;所述加热模块用于对所述初始气体进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理设备,其特征在于,包括:加热气路系统,用于对工件的待清洁区吹扫加热气体,所述加热气体用于对待清洁区进行加热,并通过吹扫去除待清洁区的污染层。2.根据权利要求1所述的处理设备,其特征在于,所述加热气路系统包括:气源,所述气源用于产生初始气体;加热模块,所述加热模块用于对所述初始气体进行加热,形成加热气体;及气体喷嘴,所述气体喷嘴用于对所述工件的待清洁区吹扫所述加热气体。3.根据权利要求2所述的处理设备,其特征在于,所述加热气路系统还包括过滤模块,所述过滤模块用于对进入所述过滤模块的所述初始气体或所述加热气体进行过滤;所述气体喷嘴用于对所述工件的待清洁区吹扫过滤后的所述加热气体。4.根据权利要求3所述的处理设备,其特征在于,所述加热气路系统还包括调压模块、调速模块和调温模块中的一者或多者组合;其中,所述调压模块用于根据所述工件上的污染层的成分和/或厚度对进入所述调压模块的气体进行调压;所述调速模块用于根据所述工件上的污染层的成分和/或厚度对进入所述调速模块的气体进行调速;所述调温模块用于根据所述工件上的污染层的成分和/或厚度对调速后的气体进行调温。5.根据权利要求4所述的处理设备,其特征在于,还包括:污物检测模块,所述污物检测模块用于对所述工件进行检测以获取所述工件上的污染层的成分和厚度中的一者或两者组合。6.根据权利要求1所述的处理设备,其特征在于,还包括:吹扫控制单元,所述吹扫控制单元用于:在所述工件的厚度大于预定阈值时,控制所述加热气路系统对工件的待清洁区持续吹扫所述加热气体;在所述工件的厚度小于预定阈值时,控制所述加热气路系统对工件的待清洁区以脉冲方式吹扫洒所述加热气体。7.根据权利要求1所述的处理设备,其特征在于,还包括净化模块及回风模块,所述净化模块用于朝所述处理设备内部的所述工件处进行送风,所述回风模块用于抽取所述处理设备内部的气体以将吹扫后的所述加热气体排出至所述处理设备外部。8.根据权利要求1所述的处理设备,其特征在于,所述处理设备还包括:处理系统,所述处理系统包括加工模块或检测模块中的一者或两者组合,所述加工模块用于对工件进行加工,所述检测模块用于对所述工件进行检测,获取所述工件的待测参数。9.根据权利要求8所述的处理设备,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈鲁张朝前马砚忠王南朔张嵩
申请(专利权)人:深圳中科飞测科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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