一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管及其制备方法，方法包括：在第一电极上形成具有镂空区域的限定涂层，所述限定涂层远离第一电极的表面具有第一微纳结构；在镂空区域形成量子点层；在量子点层和限定涂层上形成第二电极，得到量子点发光二极管。由于限定涂层的表面具有第一微纳结构，该结构使限定涂层覆盖区域具有超疏水性，限定涂层未覆盖的镂空区域与待沉积的量子点具有相似的亲水性，利用不同区域之间亲疏水性能的差异，使量子点溶液会选择性地附着于镂空区域，提高量子点在镂空区域的附着性，从而获得规则、高精度的图案化量子点。本发明专利技术方法无需量子点与光刻胶等化学成分混合，从而避免了量子点受光刻胶化学成分的影响，确保了器件的稳定性。了器件的稳定性。了器件的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及量子点发光二极管
，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，量子点发光二极管(QLED)因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。同时，QLED具有光致发光光谱半高宽窄、发光波长与颜色可通过量子点颗粒尺寸进行调节，其制备成本大幅度低于溅射、沉积和蒸镀等方式，在固态照明和柔性显示领域有巨大的应用潜力。
[0003]量子点显示技术在某些光电子和生物科技方面的应用需要其图案化显示，图案化量子点膜可以应用于QLED、微传感器等领域。目前，通常采用喷墨打印工艺以及光刻工艺来实现量子点层的图案化。相对比以热蒸镀和溅射代表的真空镀膜技术，其特点在于成膜均匀性高，厚度可控及相对具备较高场效应迁移率等。
[0004]但是光刻蚀方法所用仪器设备和工艺一般会复杂，成本较高，不利于大规模的工业化应用。有研究者将量子点材料混入光刻胶中，再利用显影技术得到图形化的量子点膜，但是这种方法存在量子点材料受光刻胶化学成分的影响较大，导致大大降低了器件的稳定性的问题。
[0005]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0006]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有方法需要将量子点材料混入光刻胶中，导致量子点材料受光刻胶化学成分的影响，降低了器件稳定性的问题。
[0007]本专利技术的技术方案如下：
[0008]一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：
[0009]提供第一电极；
[0010]在所述第一电极上形成具有镂空区域的限定涂层，所述限定涂层远离所述第一电极的表面具有第一微纳结构；
[0011]在所述镂空区域形成量子点层；
[0012]在所述量子点层和限定涂层上形成第二电极，得到所述量子点发光二极管。
[0013]可选地，所述在所述镂空区域形成量子点层的步骤，具体包括：
[0014]在所述镂空区域沉积量子点溶液，经退火得到量子点层。
[0015]可选地，所述在所述第一电极上形成具有镂空区域的限定涂层，所述限定涂层远离所述第一电极的表面具有微纳结构的步骤，具体包括：
[0016]提供阴模，所述阴模的表面具有微结构；
[0017]在所述第一电极上沉积一层光刻胶，将所述阴模覆盖处于胶状的光刻胶；
[0018]将所述覆盖有阴模的光刻胶依次进行掩膜、曝光、剥离及显影处理，在所述第一电极上形成具有镂空区域、且表面具有所述第一微纳结构的所述限定涂层，所述限定涂层的第一微纳结构与所述微结构对应。
[0019]可选地，所述阴模通过以下方法制备得到：
[0020]提供阳模，所述阳模的一表面具有第二微纳结构，所第二微纳结构与所述阴模的微结构相反；
[0021]将阴模材料溶液覆盖所述阳模的第二微纳结构，进行固化处理，将固化后得到的膜从阳模上剥离，得到表面具有所述微结构的阴模，所述微纳结构与所述第二微纳结构相反。
[0022]可选地，所述阳模选自荷叶，所述第二微纳结构为荷叶表面沿叶缘方向规则排列的乳突微结构；或者
[0023]所述阳模选自水稻叶，所述第二微纳结构为水稻叶表面沿叶缘方向规则排列的乳突微结构；或者
[0024]所述阳模选自蝴蝶翅膀，所述第二微纳结构为蝴蝶翅膀表面规则排列的复瓦状微米级鳞片结构。
[0025]可选地，所述阴模材料为聚二甲基硅氧烷。
[0026]可选地，所述将阴模材料溶液覆盖所述阳模的第二微纳结构的步骤之后，所述进行固化处理的步骤之前，还包括置于真空干燥箱中进行抽真空处理的步骤。
[0027]可选地，所述在所述第一电极上形成具有镂空区域的限定涂层的步骤之前，还包括步骤：
[0028]在所述第一电极上形成第一载流子传输层，在所述第一载流子传输层上形成所述具有镂空区域的限定涂层；
[0029]和/或，所述在所述量子点层和限定涂层上形成第二电极的步骤之前，还包括步骤：
[0030]在所述量子点层和限定涂层上形成第二载流子传输层，在所述第二载流子传输层上形成所述第二电极。
[0031]一种量子点发光二极管，其中，包括：第一电极、形成于所述第一电极上的具有镂空区域的限定涂层、形成于所述镂空区域的量子点层、形成于所述量子点层和限定涂层上的第二电极；其中，所述限定涂层远离所述第一电极的表面具有第一微纳结构。
[0032]可选地，所述限定涂层的材料为正性光刻胶或经交联的负性光刻胶。
[0033]可选地，所述限定涂层的第一微纳结构是通过转印的方式从荷叶上获得，所述第一微纳结构与荷叶表面沿叶缘方向规则排列的乳突微结构相同；或者
[0034]所述限定涂层的第一微纳结构是通过转印的方式从水稻叶上获得，所述第一微纳结构与水稻叶表面沿叶缘方向规则排列的乳突微结构相同；或者
[0035]所述限定涂层的第一微纳结构是通过转印的方式从蝴蝶翅膀上获得，所述第一微纳结构与蝴蝶翅膀表面规则排列的复瓦状微米级鳞片结构相同。
[0036]有益效果：本专利技术中，由于所述限定涂层的表面具有第一微纳结构，该结构使得所述限定涂层覆盖区域具有超疏水性，所述限定涂层未覆盖的镂空区域与待沉积的量子点具有相似的亲水性，利用不同区域之间亲疏水性能的差异，使量子点溶液会选择性地附着于
镂空区域，提高量子点在镂空区域的附着性，从而获得规则、高精度的图案化量子点。本专利技术的方法无需量子点与光刻胶等化学成分混合，从而避免了量子点受光刻胶化学成分的影响，确保了器件的稳定性，也无需使用昂贵的光刻设备，在低成本、操作简单的情况下，实现了高精度的量子点层图形。
附图说明
[0037]图1为本专利技术实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
[0038]图2为本专利技术实施例提供的一种量子点发光二极管的结构示意图。
[0039]图3为实施例1中以荷叶为阳模得到PDMS阴模的示意图。
[0040]图4为实施例1中在空穴传输层上沉积覆盖有PDMS阴模的KPR胶的示意图。
[0041]图5为实施例1中在空穴传输层上形成具有镂空区域、且具有第一微纳结构的限定涂层的示意图。
[0042]图6为实施例1中制备得到的量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
[0043]本专利技术提供一种量子点发光二极管及其制备方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0044]请结合图1
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图2所示，本专利技术实施例提供一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：
[0045]S1、提供第一电极20；
[0046]S2、在所述第一电极20上形成具有镂空区域的限定涂层21本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供第一电极；在所述第一电极上形成具有镂空区域的限定涂层，所述限定涂层远离所述第一电极的表面具有第一微纳结构；在所述镂空区域形成量子点层；在所述量子点层和限定涂层上形成第二电极，得到所述量子点发光二极管。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述镂空区域形成量子点层的步骤，具体包括：在所述镂空区域沉积量子点溶液，经退火得到量子点层。3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极上形成具有镂空区域的限定涂层的步骤，具体包括：提供阴模，所述阴模的表面具有微结构；在所述第一电极上沉积一层光刻胶，将所述阴模覆盖处于胶状的光刻胶；将所述覆盖有阴模的光刻胶进行掩膜、曝光、剥离及显影处理，在所述第一电极上形成具有镂空区域、且表面具有所述第一微纳结构的所述限定涂层，所述限定涂层的第一微纳结构与所述微结构对应。4.根据权利要求3所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述阴模通过以下方法制备得到：提供阳模，所述阳模的一表面具有第二微纳结构，所述第二微纳结构与所述阴模的微结构相反；将阴模材料溶液覆盖所述阳模的第二微纳结构，进行固化处理，将固化后得到的膜从阳模上剥离，得到表面具有所述微结构的阴模，所述微结构与所述第二微纳结构相反。5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述阳模选自荷叶，所述第二微纳结构为荷叶表面沿叶缘方向规则排列的乳突微结构；或者所述阳模选自水稻叶，所述第二微纳结构为水稻叶表面沿叶缘方向规则排列的乳突微结构；或者所述阳模选自蝴蝶翅膀，所述第二微...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘铭全，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：