一种发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述制备方法包括步骤：在预制器件上沉积空穴传输材料溶液，所述空穴传输材料为PVK；在所述预制器件的上下方向施加第一电场，对所述空穴材料溶液进行第一加热处理，在所述预制器件上形成空穴传输层。本发明专利技术以PVK作为空穴传输层材料，通过在电场和高温共同作用下，对空穴传输层进行退火，可有效提升量子点发光二极管的光电性能。量子点发光二极管的光电性能。量子点发光二极管的光电性能。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]在传统量子点发光二极管(QLED)中，器件结构主要包括导电玻璃基板、空穴传输层、量子点复合发光层、电子传输层、金属阴极。研究发现，QLED器件工作过程中，其内部电子迁移速率较大、空穴迁移速率较小，容易在器件内部产生电子积累现象，导致器件工作电压上升，并进而影响器件光电性能。因此，寻找合适的器件制备方案，平衡器件内部的电子、空穴传输，并消除器件内部电荷积累，是提升QLED器件光电性能的有效方法。
[0003]目前，聚乙烯基咔唑(PVK)作为一种聚合物空穴传输材料，其内部的部分咔唑基团在分子运动过程中，会自发地形成稳定的面对面结构，这种结构的空穴传输效率远远大于普通的π键共轭体系，因此，PVK作为空穴传输层材料，具有较大的空穴传输速率，可以缓解QLED器件内部电子、空穴不平衡现象。尽管如此，由于PVK作为一种聚合物，其分子链纠结、缠绕非常普遍，这导致咔唑基团形成面对面结构的空间位阻很大，仅有小部分咔唑基团可以幸运本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：在预制器件上沉积空穴传输材料溶液，所述空穴传输材料为PVK；在所述预制器件的上下方向施加第一电场，对所述空穴材料溶液进行第一加热处理，在所述预制器件上形成空穴传输层。2.根据权利要求1所述发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述预制器件的上下方向施加第一电场，并对所述空穴材料溶液进行第一次加热处理的步骤包括：将表面沉积有空穴传输材料溶液的预制器件和有机溶剂水平间隔放置在培养皿中，将所述培养皿开口密封，所述有机溶剂为可溶解所述空穴传输材料的溶剂；在所述预制器件的上下方向施加第一电场，对所述培养皿第一加热处理，在所述预制器件上形成空穴传输层。3.根据权利要求2所述发光二极管的制备方法，其特征在于，采用退火装置在预制器件上形成空穴传输层，所述退火装置包括加热器、支撑架、放置在所述支撑架上的二分格培养皿，以及设置在所述二分格培养皿上下两端用于提供上下方向电场的上电极和下电极，所述采用退火装置在预制器件上形成空穴传输层的步骤包括：将表面沉积有空穴传输材料溶液的预制器件和有机溶剂水平间隔放置在所述二分格培养皿的两个格子中，将所述二分格培养皿开口密封；将所述上电极和下电极连通电源，在所述预制器件的上下方向提供第一电场，通过所述加热器对所述二分格培养皿第一加热处理，在所述预制器件上形成空穴传输层。4.根据权利要求1
‑
3任一所述发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一加热处理的温度为60
‑
150℃；和/或，所述第一电场的强度为10
‑
50V/mm。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：丘洁龙，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：