量子点发光二极管器的制备方法技术

本申请涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管的制备方法。所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供底电极基板，在所述底电极基板上制备第一功能层；在所述第一功能层上形成量子点材料，制备量子点发光层；在所述量子点发光层上制备第二功能层，在所述第二功能层上制备顶电极，制得量子点发光二极管，对器件进行加热处理。本申请通过加热处理，改善量子点发光层的成膜平整性和量子点发光层与相邻层之间的界面接触。发光层与相邻层之间的界面接触。发光层与相邻层之间的界面接触。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管器的制备方法


[0001]本申请属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管器的制备方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。QLED因其能够实现自发光、低功耗的全彩显示及固态照明，被认为是下一代显示及照明的发展趋势。经过二十多年的快速发展，QLED已经获得较好的性能参数。
[0003]现有的QLED是通过将功能层堆叠以实现器件正常工作，高质量的薄膜有利于电子和空穴的注入与传输，降低非辐射复合几率，提高QLED的效率和稳定性。QLED中较差的成膜质量会导致界面势垒，在器件工作中产生的焦耳热会提高器件的温度，进一步加速器件的老化，同时，累积的热量会影响激子的形成，从而影响器件的发光效率和寿命；另外，膜层与膜层的界面不平整易导致接触脱离，致使器件失效。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种量子点发光二极管器的制备方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供底电极基板，在所述底电极基板上制备第一功能层；在所述第一功能层上形成量子点材料，制备量子点发光层；在所述量子点发光层上制备第二功能层，在所述第二功能层上制备顶电极，制得量子点发光二极管，对器件进行加热处理，其中，所述底电极基板为阳极基板，所述第一功能层为空穴功能层，所述第二功能层为电子功能层，所述顶电极为阴极；或所述底电极基板为阴极基板，所述第一功能层为电子功能层，所述第二功能层为空穴功能层，所述顶电极为阳极。2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层的厚度大于或等于五个单层量子点的厚度，所述加热处理的温度大于140℃，退火时间大于2h。3.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为140℃～180℃，退火时间为2h～4h。4.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为两个至四个单层量子点的厚度，所述加热处理的温度为80℃～140℃，加热时间1～30min。5.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为单层量子点的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：周礼宽，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：