发光器件及其制备方法技术

本申请属于显示设备技术领域，尤其涉及一种发光器件的制备方法，包括以下步骤：在阳极和阴极之间制备量子点发光层和电子传输层的叠层复合结构；其中，所述电子传输层中包括金属氧化物传输材料；所述叠层复合结构经过紫外光照射处理。本申请发光器件的制备方法，在阳极和阴极之间制备QD

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制备方法


[0001]本申请属于显示设备
，尤其涉及一种发光器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点是半径小于或者接近波尔激子半径的纳米晶颗粒，其尺寸粒径一般介于一之间。量子点具有量子限域效应，受激发后可以发射荧光。而且量子点具有激发峰宽、发射峰窄、发光光谱可调等独特的发光特性，使得量子点材料在光电发光领域具有广阔的应用前景。量子点发光二极管(QLED)是近年来迅速兴起的一种新型显示技术，量子点发光二极管是将胶体量子点作为发光层的器件，在不同的导电材料之间引入量子点发光层从而得到所需要波长的光。量子点发光二极管具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快等优点。
[0003]目前OLED器件为了平衡载流子注入，一般采用多层的器件结构，量子点发光层多采用核壳结构的量子点纳米材料。量子点发光二极管中，量子点纳米颗粒的有机表面配体和其内部精细化的核壳结构，导致其退火温度不能过高，所以形成的量子点层界面粗糙度较高。另外，量子点层的退火温度也限制了其相邻电子传输层ETL的退火温度，使得电子传输材料难以达到较好的结晶温度，导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在阳极和阴极之间制备量子点发光层和电子传输层的叠层复合结构；其中，所述电子传输层中包括金属氧化物传输材料；所述叠层复合结构经过紫外光照射处理。2.如权利要求1所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层中包括核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层含有锌元素。3.如权利要求1或2所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述紫外光照射处理的步骤包括：在紫外光波长为250～420nm，光波密度10～300mJ/cm2的条件下，对所述叠层复合结构照射10～60min；和/或，所述紫外光照射处理的步骤包括：紫外光波从所述电子传输层一侧进行照射；和/或，所述紫外光照射处理的条件包括：在H2O含量小于1ppm，温度为80～120℃的环境下进行。4.如权利要求3所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物传输材料选自：ZnO、TiO2、Fe2O3、SnO2、Ta2O3中的至少一种；和/或，所述金属氧化物传输材料选自：掺杂有金属元素的ZnO、TiO2、Fe2O3、SnO2、Ta2O3中的至少一种，其中，所述金属元素包括铝、镁、锂、镧、钇、锰、镓、铁、铬、钴中至少一种；和/或，所述金属传输材料的粒径小于等于10nm。5.如权利要求4所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述量子点材料的外壳层包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：王天锋，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：