光电器件制造技术

本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述量子点发光层中包含核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层为CdZnS，所述空穴传输层中空穴传输材料的迁移率高于1

【技术实现步骤摘要】
光电器件


[0001]本申请属于显示
，尤其涉及一种光电器件。

技术介绍

[0002]量子点发光显示技术(QLED)是近年来迅速兴起的一种新型显示技术， QLED与有机发光显示(OLED)类似，均为主动发光技术，因此同样具有发 光效率高、响应速度快、对比度高、可视角度宽等优点。由于QLED显示技术 中量子点自身所具有的优良材料特性，使得QLED在众多方面比OLED更具性 能优势，如：量子点的发光连续可调且发光宽度极窄，可实现更广色域更高纯 度显示；量子点的无机材料特性使得QLED具有更好的器件稳定性；QLED器 件的驱动电压比OLED更低，能实现更高亮度并进一步降低能耗；同时QLED 显示技术与印刷显示的生产工艺和技术相匹配，能够实现大尺寸、低成本、可 卷曲的高效量产制备。因此，QLED被认为是未来轻薄，便携，柔性，透明， 高性能的下一代显示屏幕的首选技术之一。
[0003]由于QLED与OLED显示技术在发光原理上的相似性，因此，目前在QLED 显示技术的开发过程中，QLED的器件结构更多地都是借鉴OLED显示技术， 除了发光层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电器件，其特征在于，包括：阳极、在所述阳极上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的量子点发光层和在所述量子点发光层上的阴极，所述量子点发光层中包含核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层为CdZnS，所述空穴传输层中空穴传输材料的迁移率高于1
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‑4cm2/Vs。2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述量子点材料中，CdZnS壳层厚度为0.5～3.0nm；和/或，所述量子点材料的发光峰波长为400～700nm。3.如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述CdZnS材料与所述空穴传输材料的价带顶能级差大于等于0.5eV。4.如权利要求3所述的光电器件，其特征在于，所述CdZnS材料与所述空穴传输材料的价带顶能级差为0.8～1.4eV；和/或，所述空穴传输材料的价带顶能级的绝对值为4.9～5.9eV。5.如权利要求1、2或4所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输材料选自：含苯胺基团的聚合物、含有芴基团和苯胺基团的共聚物中的至少一种。6.如权利要求5所述的光电器件，其特征在于，所述含苯胺基团的聚合物包括：poly
‑
TPD、TFB、P9、P11、P13、P15；和/或，所述含有芴基团和苯胺基团的共聚物包括：TFB、P13、P15；和/或，所述空穴传输材料的迁移率高于1
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‑3cm2/Vs，所述空穴传输材料的价带顶能级的绝对值为4.9eV～5.5eV。7.如权利要求1、2、4或6所述的光电器件，其特征在于，所述核壳结构的量子点材料还包括内核，以及位于所述内核与所述外壳层之间的中间壳层；其中，内核材料的价带顶能级浅于所述外壳层材料的价带顶能级；中间壳层材...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨一行，周礼宽，王天锋，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：