量子点发光二极管的制备方法技术

本申请涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管的制备方法。本申请提供的量子点发光二极管包括电子传输层，其中，电子传输层包括第一第一电子传输层，且表面羟基量小于或等于0.4的氧化锌薄膜的制备方法，包括：在待制备所述表面羟基量小于或等于0.4的氧化锌薄膜的预制器件基板上制备氧化锌预制薄膜；在所述氧化锌预制薄膜的表面沉积酸液后进行干燥处理，得到氧化锌薄膜。本申请提供的量子点发光二极管的制备方法，有效提升了量子点发光二极管器件的寿命。管器件的寿命。管器件的寿命。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管的制备方法


[0001]本申请属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管的制备方法。

技术介绍

[0002]量子点(quantum dot，QD)是一类由少量原子构成的纳米材料，其半径通常小于或接近于激子波尔半径，表现出显著的量子限域效应，具有独特的光学性能。近来，随着显示技术的不断发展，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiode，QLED)越来越受到人们的关注。量子点发光二极管具有发光效率高、发光颜色可控、色纯度高、器件稳定性好、可用于柔性用途等特点，在显示技术、固态照明等领域具有了巨大的应用前景。
[0003]QLED主要包括阴极、阳极和量子点发光层。为了改善器件性能，在此基础上，QLED 还会引入空穴传输注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层作为功能层。氧化锌作为QLED中普遍采用的电子传输层材料，其与阴极和量子点发光层之间具有良好的能级匹配关系，显著降低了电子从阴极到量子点发光层的注入势垒，并且其较深的价带能级又可以起到有效阻挡空本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点发光二极管包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子传输层，其中，所述电子传输层包括第一第一电子传输层，所述第一第一电子传输层为表面羟基量小于或等于0.4的氧化锌薄膜，所述表面羟基量小于或等于0.4的氧化锌薄膜的制备方法，包括：在待制备所述表面羟基量小于或等于0.4的氧化锌薄膜的预制器件基板上制备氧化锌预制薄膜；在所述氧化锌预制薄膜的表面沉积酸液后进行干燥处理，得到氧化锌薄膜。2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述酸液的浓度为0.05
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0.5mmol/L。3.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述氧化锌预制薄膜的表面沉积酸液的步骤中，所述酸液的添加量满足：每5mg氧化锌预制薄膜，使用50μL
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1000μL的酸液进行处理。4.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述酸液中的酸为无机酸，所述酸液的浓度为0.05
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0.1mmol/L。5.如权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述氧化锌预制薄膜的表面沉积酸液的步骤中，所述酸液的添加量满足：每5mg氧化锌预制薄膜，使用50μL
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200μL的酸液进行处理。6.如权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述无机强酸选自盐酸、硫酸、硝酸、氢氟酸中的至少一种。7.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述酸液中的碱为有机羧酸，所述酸液的浓度为0.2
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0.4mmol/L。8.如权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述氧化锌预制薄膜的表面沉积酸液的步骤中，所述酸液的添加量满足：每5mg氧化锌预制薄膜，使用100μL
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500μL的酸液进行处理。9.如权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述有机羧酸选自甲酸、乙酸、丙酸、乙二酸、丙烯酸中的至少一种。10.如权利要求1至9任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述干燥处理的温度为10℃～100℃，干燥时间为10分钟～2小时。11.如权利要求1至9任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述表面羟基量小于或等于0.4的氧化锌薄膜为金...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴龙佳，张天朔，李俊杰，郭煜林，童凯，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：