量子点发光二极管及其制备方法技术

本申请涉及显示器件技术领域，提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：提供底电极基板；在所述底电极基板上制备量子点发光层；在所述量子点发光层上沉积金属氧化物，得到载流子传输层；在所述载流子传输层表面温度为T0时，开始将金属材料沉积在所述载流子传输层上，所述金属材料沉积完后形成顶电极；其中，60℃≤T0＜所述金属氧化物的相转变温度，且T0＜所述量子点发光层的量子点材料相转变温度。该制备方法提高了器件的稳定性，显著减少器件暗斑、黑点现象的出现，而且具有更低的启亮电压和更高的电流效率；而且可有效降低电荷传输的界面势垒，最终有利于提升器件的光电性能及寿命。光电性能及寿命。光电性能及寿命。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法


[0001]本申请属于显示器件
，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，量子点发光二极管(Quantum Dots Light
‑
Emitting Diode，QLED)因其优异的性能而得到青睐，并获得了飞速的发展。同时，QLED因其能够实现自发光、低功耗的全彩显示及固态照明，更被认为是下一代显示及照明的发展趋势。QLED发展至今，研究者们更多注重的是如何提高QLED的发光效率，而往往忽略了寿命的重要性，而寿命也是限制QLED商业化运用的主要因素之一。量子点发光二极管的老化机理是一个复杂的问题，影响寿命的因素有很多，其中在器件发光区域产生黑点的现象最为常见，且对器件性能影响较大。只要不是由于器件的材料和结构等基本性质所造成的器件性能衰退，如亮度衰减、电压升高，就被称为非本质老化。器件的非本质老化主要表现为黑点的形成。
[0003]QLED器件中在传统的底发射器件中，一般会使用低功函的活泼金属材料作为顶电极材料，采用高分子材料进行封装。一般常温(20本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供底电极基板；在所述底电极基板上制备量子点发光层；在所述量子点发光层上沉积金属氧化物，得到载流子传输层；在所述载流子传输层表面温度为T0时，开始将金属材料沉积在所述载流子传输层上，所述金属材料沉积完后形成顶电极；其中，60℃≤T0＜所述金属氧化物的相转变温度，且T0＜所述量子点发光层的量子点材料相转变温度。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，60℃≤T0≤120℃。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述金属材料的沉积过程分为前段和后段，所述前段的沉积温度持续恒定为T0，所述后段停止加热，或者所述后段持续恒定温度为T0，或者所述后段升温至大于T0、且小于所述金属氧化物的相转变温度以及量子点发光层的量子点相转变温度。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在真空条件下将制备有量子点发光层的所述底电极基板在T0预热10
‑
15min，且所述金属材料的沉积过程中的所述前段持续恒定温度为T0，所述后段停止加热。5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述前段的沉积时间为10
‑
15min，所述后段的沉积时间为10
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20min。6.如权利要求1
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5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述金属材料选自Al、Ca、Ba、Ag、Mg、Au和C...

【专利技术属性】
技术研发人员：周礼宽，邹文鑫，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：