量子点发光二极管的制备方法技术

本申请涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管的制备方法。所述方法包括以下步骤：提供预制器件，在所述预制器件上形成氧化锌纳米材料，制备电子传输层；对处理后的器件进行加热处理，使电子传输层的表面羟基量为0.15～0.6。本申请通过对制备有电子传输层后的器件进行加热处理，调控电子传输层的表面羟基量，减少电子传输层氧化锌表面羟基对量子点发光层的荧光淬灭作用，同时，加热处理可以降低电子传输层的表面羟基量，随着氧化锌表面羟基数量的减少，优化电子与空穴注入平衡，提升载流子辐射复合效率，改善器件EQE及工作状态下寿命。下寿命。下寿命。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管的制备方法


[0001]本申请属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管的制备方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。QLED因其能够实现自发光、低功耗的全彩显示及固态照明，被认为是下一代显示及照明的发展趋势。经过二十多年的快速发展，QLED已经获得较好的性能参数。
[0003]随着量子点发光二极管器件的研究发展，纳米氧化锌作为电子传输层材料得到广泛引用。但是，氧化锌作为电子传输层材料与量子点发光层相邻堆叠，其表面的羟基会对量子点发光层产生淬灭效应，尤其是当氧化锌表面羟基量超过一定范围，会对量子点荧光产生一定的淬灭，导致器件的光电性能(EQE和工作寿命)较差。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种量子点发光二极管的制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管以氧化锌作为电子传输层材料时，氧化锌表面羟基对量子点荧光产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供预制器件，在所述预制器件上形成氧化锌纳米材料，制备电子传输层；对处理后的器件进行加热处理，使电子传输层的表面羟基量为0.15～0.6。2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为80℃
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180℃。3.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述氧化锌纳米材料的表面羟基量小于或等于0.4，所述加热处理的温度为80℃
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100℃。4.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述氧化锌纳米材料的表面羟基量为0.4～0.8，所述加热处理的温度为100℃
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120℃。5.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述氧化锌纳米材料的表面羟基量大于或等于0.8，所述加热处理的温度为130℃
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180℃。6.如权利要求1至5任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述预制器件为阴极基板，所述方法在制备完所述电子传输层后，还包括：在所述电子传输层上制备量子点发光层，在所述量子点发光层上制备阳极，制得量子点发光二极管；或所述预制器件包括阳极基板，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：周礼宽，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：