量子点发光二极管及其制备方法技术

本申请涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子功能层；其中，所述量子点发光层中含有活性材料，所述活性材料选自至少一个氢原子被羧基取代的有机烃、含有碳碳双键或碳碳三键或苯环的有机酯、不饱和酮中的至少一种。本申请通过在量子点发光层中引入活性材料，提高了量子点发光二极管的正老化效应。极管的正老化效应。极管的正老化效应。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是基于量子点(quantum dots，QDs)技术的电致发光器件，具有自发光、无需背光模组、视角宽、对比度高、全固化、适用于挠曲性面板、温度特性好、响应速度快和节能环保等一系列优异特性，已经成为新型显示技术的研究热点和重点发展方向。
[0003]QLED器件虽然借鉴和利用了有机发光二极管(Organic Light
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Emitting Diode，OLED)器件结构，但因其材料构成的差异，两者的老化现象和老化机理差异巨大。如QLED器件存在各种效率(电流、功率或外量子效率)随时间而衰减或提升的现象，即“负老化效应”和“正老化效应”。目前，老化效应的机理尚不明确，诸多研究总结指出，引起器件效率变化主要源于空穴功能层退化、界面电荷聚集、电子功能层表面缺陷态抑制或电荷迁移率改变等因素。此外，不同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子功能层；其中，所述量子点发光层中含有活性材料，所述活性材料选自至少一个氢原子被羧基取代的有机烃、含有碳碳双键或碳碳三键或苯环的有机酯、不饱和酮中的至少一种。2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述活性材料占所述量子点发光层的总重量的0.0001％～1％；和/或所述量子点发光层由量子点和所述活性材料组成，所述量子点选自为II
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VI族化合物、III
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V族化合物、II
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V族化合物、III
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VI化合物、IV
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VI族化合物、I
‑
III
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VI族化合物、II
‑
IV
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VI族化合物或IV族单质中的一种或多种，优选地，所述量子点为CdSe/ZnSe、CdSe/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdSeS、ZnCdSeS/ZnS、ZnCdS/ZnS、ZnSe/ZnS中的一种或多种。3.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述活性材料选自丙烯酸、苯甲酸、甲基丙烯酸、3
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丁烯酸、巴豆酸、乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸、甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯、三羟甲基丙三烯酸酯以及N
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乙烯基吡咯烷酮中的至少一种。4.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能层。5.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供待制备量子点发光层的预制器件；将所述预制器件置于含有气态活性材料的气氛环境中，在所述预制器件上制备量子点发光层；其中，所述气态活性材料选自至少一个氢原子被羧基取代的有机烃、含有碳碳双键或碳碳三键或苯环的有机酯、不饱和酮中的至少一种。6.如权利要求5所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述气氛环境为气态活性材料与氧气、氮气、氩气、二氧化碳中至少一种形成的混合气态环境，和/或所述活性材...

【专利技术属性】
技术研发人员：王劲，周礼宽，杨一行，曹蔚然，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：