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本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法,其中,所述制备方法包括步骤:在预制器件上沉积空穴传输材料溶液,所述空穴传输材料为PVK;在所述预制器件的上下方向施加第一电场,对所述空穴材料溶液进行第一加热处理,在所述预制器件上形成空穴传输层。...该专利属于TCL科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过TCL科技集团股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法,其中,所述制备方法包括步骤:在预制器件上沉积空穴传输材料溶液,所述空穴传输材料为PVK;在所述预制器件的上下方向施加第一电场,对所述空穴材料溶液进行第一加热处理,在所述预制器件上形成空穴传输层。...