【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法
[0001]本专利技术属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
[0002]量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是基于量子点(quantum dots，QDs)技术的电致发光器件，具有自发光、无需背光模组、视角宽、对比度高、全固化、适用于挠曲性面板、温度特性好、响应速度快和节能环保等一系列优异特性，已经成为新型显示技术的研究热点和重点发展方向。
[0003]QLED器件虽然借鉴和利用了有机发光二极管(Organic Light
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Emitting Diode，OLED)器件结构，但因其材料构成的差异，两者的老化现象和老化机理差异巨大。如QLED器件存在各种效率(电流、功率或外量子效率)随时间而衰减或提升的现象，即“负老化效应”和“正老化效应”。目前，老化效应的机理尚不明确，诸多研究总结指出，引起器件效率变化主要源于空穴功能层退化、界面电荷聚集、电子功能层表面缺陷态抑制或电荷迁移率改...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子功能层；所述电子功能层邻近所述阴极的表面经活性材料处理，或，在所述电子功能层与所述阴极之间设置界面层，且所述界面层的材料含有活性材料；其中，所述活性材料选自至少一个氢原子被羧基取代的有机烃、含有碳碳双键或碳碳三键或苯环的有机酯和不饱和酮中的至少一种。2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，当所述电子功能层邻近所述阴极的表面经活性材料处理时，所述阴极表面含有的所述活性材料占所述电子功能层的总重量的0.01％～30％。3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，当在所述电子功能层与所述阴极之间设置界面层时，所述界面层的材料还包括金属氧化物或聚合物。4.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层的材料为所述活性材料和所述金属氧化物的混合材料，且所述活性材料占所述混合材料的总重量的0.1～40％；或所述界面层的材料为所述活性材料和所述聚合物的混合材料，且所述活性材料占所述混合材料的总重量的0.1～40％。5.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层的材料为所述活性材料和所述金属氧化物的混合材料时，所述界面层的厚度为1～200nm；或所述界面层的材料为所述活性材料和所述聚合物的混合材料时，所述界面层的厚度为0.5～10nm。6.如权利要求1至5任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述活性材料选自丙烯酸、苯甲酸、甲基丙烯酸、3
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丁烯酸、巴豆酸、乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸、甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯、三羟甲基丙三烯酸酯以及N
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乙烯基吡咯烷酮中的至少一种，和/或，所述经活性材料处理包括：采用所述活性材料溶液清洗所述电子功能层，或，配置含有活性材料的混合溶液，在所述电子功能层表面沉积所述混合溶液，或，将所述电子功能层暴露于含有气态活性材料的气氛中。7.如权利要求1至5任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能层。8.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供预制器件，所述预制器件包括阳极基板，结合在所述阳极基板的量子点发光层，结合在量子点发光层背离阳极的表面的电子功能层；采用活性材料溶液清洗所述电子功能层；其中，所述活性材料溶液中的活性材料选自至少一个氢原子被羧基取代的有机烃、含有碳碳双键或碳碳三键或苯环的有机酯和不饱和酮中的至少一种；在所述电子功能层背离所述量子点发光层的表面制备阴极，得到量子点发光二极管。9.如权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述活性材料溶液中，所述活性材料的体积百分含量为0.1％
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100％；和/或
所述活性材料选...
【专利技术属性】
技术研发人员：王劲，杨一行，曹蔚然，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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