晶界扩散用器具制造技术

本发明专利技术提供了一种晶界扩散用器具，晶界扩散用器具包括：盒体，盒体具有底板和围绕底板设置的侧板，底板和侧板围成容纳槽，容纳槽内用于放置扩散基材，盒体由石墨材料制成；盖体，设置在侧板上，盖体位于容纳槽的槽口处，盖体由石墨材料制成；隔板，设置在侧板上，隔板位于容纳槽内并将容纳槽分成多个子容纳槽，隔板由金属材料制成。通过本发明专利技术提供的技术方案，能够解决现有技术中的晶界扩散用器具内的扩散基材的扩散深度较浅的技术问题。基材的扩散深度较浅的技术问题。基材的扩散深度较浅的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
晶界扩散用器具


[0001]本专利技术涉及钕铁硼晶界扩散
，具体而言，涉及一种晶界扩散用器具。

技术介绍

[0002]目前，在钕铁硼
，晶界扩散工艺已经在众多生产企业中批量生产及应用，晶界扩散产品也因其重稀土含量低，产品综合性能高等优点得到广泛应用。晶界扩散工艺主要是将重稀土氟化物、重稀土氢化物、重稀土合金及单质，通过喷涂、电泳、表面涂覆及磁控溅射等方法使重稀土吸附于基材表面，再通过750℃
‑
950℃的热处理工艺将重稀土元素扩散进入基材内部并与基材晶界稀土元素进行交换形成重稀土晶界相，再通过后续热处理工艺及速冷工艺在磁材内部形成晶界外延层，使产品在保持剩磁降幅很小的前提下，大幅度的提高产品内禀矫顽力，进而获得优越的高温磁性能；而晶界扩散深度和扩散后晶界组织分布状态，是决定扩散后产品性能的关键。
[0003]然而，产品在热处理过程中，晶界扩散用器具内气氛会影响重稀土元素的扩散深度，尤其是在晶界扩散用器具内与产品直接接触的位置处，晶界扩散用器具空隙中的不良气氛将会直接与产品接触，从而影响重稀土的扩散深度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种晶界扩散用器具，以解决现有技术中的晶界扩散用器具内的扩散基材的扩散深度较浅的技术问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种晶界扩散用器具，晶界扩散用器具包括：盒体，盒体具有底板和围绕底板设置的侧板，底板和侧板围成容纳槽，容纳槽内用于放置扩散基材，盒体由石墨材料制成；盖体，设置在侧板上，盖体位于容纳槽的槽口处，盖体由石墨材料制成；隔板，设置在侧板上，隔板位于容纳槽内并将容纳槽分成多个子容纳槽，隔板由金属材料制成。
[0006]进一步地，隔板为多个，多个隔板沿盒体的长度方向间隔设置，相邻两个隔板之间用于放置扩散基材。
[0007]进一步地，隔板与盒体的端部之间的距离为L，20mm≤L≤70mm。
[0008]进一步地，隔板为铜板、或铝板、或不锈钢板、或钼板、或合金板。
[0009]进一步地，隔板的长度为L1，隔板的宽度为B1，隔板的厚度为H1；其中，120mm≤L1≤220mm；和/或，30mm≤B1≤70mm；和/或，2mm≤H1≤8mm。
[0010]进一步地，侧板的内壁上设置第一插接槽和第二插接槽，第一插接槽和第二插接槽相对设置，隔板的一侧插入在第一插接槽内，隔板的另一侧插入在第二插接槽内。
[0011]进一步地，第一插接槽的长度为L2，第一插接槽的槽宽为B2，第一插接槽的槽深为H2；其中，30mm≤L2≤70mm；和/或，2mm≤B2≤8mm；和/或，2mm≤H2≤8mm。
[0012]进一步地，侧板的外壁面为曲面。
[0013]进一步地，侧板的外壁面包括多个依次连接的圆弧面。
[0014]进一步地，圆弧面对应的半径为r，40mm≤r≤70mm；和/或，圆弧面对应的圆心角为α，15
°
≤α≤45
°
。
[0015]应用本专利技术的技术方案，通过在侧板上设置隔板，并使隔板位于容纳槽内将容纳槽分成多个子容纳槽，这样，可以将扩散基材放置于子容纳槽内，这样使得扩散基材的部分与隔板直接接触，进而减少了扩散基材与晶界扩散用器具的直接接触面积，使热处理过程中石墨制成的盒体排出的氧化气氛被隔板进行阻挡后再从盒体的侧边抽出，能有效防止盒内边缘产品氧化，提高整盒产品磁性能一致性，从而减小了晶界扩散用器具对扩散基材的影响，以便于使扩散基材表面的重稀土物质能够顺利在基材内部扩散，从而能够有效增加重稀土物质在扩散基材上的扩散深度。因此，通过本实施例提供的晶界扩散用器具，能够解决现有技术中的晶界扩散用器具内的扩散基材的扩散深度较浅的技术问题。
附图说明
[0016]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0017]图1示出了根据本专利技术的实施例提供的盒体的结构示意图；
[0018]图2示出了根据本专利技术的实施例提供的盒体和插板的结构示意图；
[0019]图3示出了根据本专利技术的实施例提供的扩散基材设置在盒体内的结构示意图。
[0020]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0021]10、盒体；11、底板；12、侧板；121、圆弧面；122、第一插接槽；123、第二插接槽；20、隔板；30、扩散基材。
具体实施方式
[0022]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。
[0023]如图1至图3所示，本专利技术的实施例提供了一种晶界扩散用器具，该晶界扩散用器具包括盒体10、盖体和隔板20，盒体10具有底板11和围绕底板11设置的侧板12，底板11和侧板12围成容纳槽，容纳槽内用于放置扩散基材30，盒体10由石墨材料制成。盖体设置在侧板12上，盖体位于容纳槽的槽口处，盖体由石墨材料制成。隔板20设置在侧板12上，隔板20位于容纳槽内并将容纳槽分成多个子容纳槽，隔板20由金属材料制成。
[0024]需要说明的是，本实施例中的扩散基材30主要指晶界扩散产品，扩散基材30的表面吸附有重稀土氟化物、重稀土氢化物、重稀土合金等重稀土物质，通过将扩散基材30放置于晶界扩散用器具内，并对装有扩散基材30的晶界扩散用器具进行热处理工艺操作和速冷工艺操作，这样能够便于在扩散基材30内部形成晶界扩散用器具，使产品在保持剩磁降幅很小的前提下，能够大幅度的提高扩散基材30内的禀矫顽力，进而使扩散基材30能够获得优越的高温磁性能。而通过设置隔板有效对氧化气氛进行隔绝能够有利于增加晶界扩散的深度，并有利于优化扩散后晶界组织分布状态。本实施例中的盒体10主要为方形盒体10。
[0025]采用本实施例提供的晶界扩散用器具，通过在侧板12上设置隔板20，并使隔板20位于容纳槽内将容纳槽分成多个子容纳槽，这样，可以将扩散基材30放置于子容纳槽内，这样使得扩散基材30的部分与隔板20直接接触，进而减少了扩散基材30与晶界扩散用器具的
直接接触面积，使热处理过程中石墨盒排出的氧化气氛被隔板20进行阻挡后再从盒体10的侧边抽出，从而减小了晶界扩散用器具对扩散基材30的影响，以便于增加扩散基材30表面的重稀土物质能够顺利在基材内部扩散，从而能够有效增加重稀土物质在扩散基材30上的扩散深度。优选的，当有多个子容纳槽时，优选的，可以将扩散基材放置于远离盒体10边缘处的子容纳槽，以进一步通过隔板有效对盒体10内的氧化气氛进行隔绝，从而能够使扩散基材30表面的重稀土物质更顺利地将扩散基材30的内部扩散，从而进一步保证扩散基材30内部的磁一致性。因此，通过本实施例提供的晶界扩散用器具，能够解决现有技术中的晶界扩散用器具内的扩散基材30的扩散深度较浅的技术问题。
[0026]在本实施例中，隔板20为多个，多个隔板20本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶界扩散用器具，其特征在于，所述晶界扩散用器具包括：盒体(10)，所述盒体(10)具有底板(11)和围绕所述底板(11)设置的侧板(12)，所述底板(11)和所述侧板(12)围成容纳槽，所述容纳槽内用于放置扩散基材，所述盒体(10)由石墨材料制成；盖体，设置在所述侧板(12)上，所述盖体位于所述容纳槽的槽口处；隔板(20)，设置在所述侧板(12)上，所述隔板(20)位于所述容纳槽内并将所述容纳槽分成多个子容纳槽，所述隔板(20)由金属材料制成。2.根据权利要求1所述的晶界扩散用器具，其特征在于，所述隔板(20)为多个，多个所述隔板(20)沿所述盒体(10)的长度方向间隔设置，相邻两个所述隔板(20)之间用于放置所述扩散基材。3.根据权利要求1所述的晶界扩散用器具，其特征在于，所述隔板(20)与所述盒体(10)的端部之间的距离为L，20mm≤L≤70mm。4.根据权利要求1所述的晶界扩散用器具，其特征在于，所述隔板(20)为铜板、或铝板、或不锈钢板、或钼板、或合金板。5.根据权利要求1所述的晶界扩散用器具，其特征在于，所述隔板(20)的长度为L1，所述隔板(20)的宽度为B1，所述隔板(20)的厚度为H1；其中，120mm≤L1≤220mm；和/或...

【专利技术属性】
技术研发人员：李超，黎龙贵，张燕，石高阳，谢宝祥，
申请(专利权)人：赣州市东磁稀土有限公司，
类型：发明
国别省市：