一种半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括有源区，还包括：衬底；电极结构，位于衬底一侧且位于有源区，电极结构包括多个漏极；介质层，位于电极结构远离衬底的一侧，介质层覆盖电极结构；多个漏极键合盘，漏极键合盘在衬底所在平面的垂直投影与漏极在衬底所在平面上垂直投影交叠，且每个漏极键合盘还至少包括位于介质层远离衬底一侧的部分，漏极键合盘与漏极电连接。本发明专利技术提供的解决方案，将至少部分漏极键合盘设置于有源区，可大大减小无源区的面积，从而减小半导体器件的整体面积，提高半导体器件的集成度，进而大大降低芯片的成本。大降低芯片的成本。大降低芯片的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体材料氮化镓(GaN)由于具有禁带宽度大、电子迁移率高、击穿场强高、导热性能好等特点，且具有很强的自发和压电极化效应，相较于第一代半导体材料和第二代半导体材料更适合于制造高频、高压和耐高温的大功率电子器件，尤其是在射频和电源领域优势明显。
[0003]GaN可用于制造高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)。GaN HEMT射频或功率器件，其漏极键合盘是置于工作区外，占用大量芯片面积，而真正工作的有源区只占芯片总面积的约50％或者更少。对于以SiC为衬底的射频器件，其芯片的成本占最终产品的比例非常高。因此，如何减小芯片的面积，进而降低芯片的成本，是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，将至少部分漏极键合盘设置于有源区，可大大减小无源区的面积，从而减小半导体器件的整体面积，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括有源区；所述半导体器件还包括：衬底；电极结构，位于所述衬底一侧且位于所述有源区，所述电极结构包括多个漏极；介质层，位于所述电极结构远离所述衬底的一侧，所述介质层覆盖所述电极结构；多个漏极键合盘，所述漏极键合盘在所述衬底所在平面的垂直投影与所述漏极在所述衬底所在平面上垂直投影交叠，且每个所述漏极键合盘还至少包括位于所述介质层远离所述衬底一侧的部分，所述漏极键合盘与所述漏极电连接。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述漏极包括相互连接的第一漏极分部和第二漏极分部；所述漏极键合盘在所述衬底所在平面的垂直投影与所述第一漏极分部在所述衬底所在平面上垂直投影交叠。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一漏极分部中设置有多个凹槽；在垂直所述衬底的方向上，所述凹槽贯穿所述第一漏极分部或者所述凹槽的底部位于所述第一漏极分部中；所述介质层填充所述凹槽。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的形状包括条形、点阵或者十字形。5.根据权利要求1
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4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述漏极键合盘位于所述介质层远离所述衬底的一侧。6.根据权利要求1
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4任一项所述的半导体器件，其特征在于，在垂直所述衬底的方向上，所述漏极键合盘包括相互连接的第一分部和第二分部；所述第二分部嵌入所述介质层，所述第一分部位于所述介质层远离所述衬底的一侧。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二分部与所述漏极直接接触电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李元，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：