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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括有源区，还包括：衬底；电极结构，位于衬底一侧且位于有源区，电极结构包括多个漏极；介质层，位于电极结构远离衬底的一侧，介质层覆盖电极结构；多个漏极键合盘，漏极键合盘在衬底所在平面的垂直投...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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