一种化学机械抛光液及其使用方法技术

本发明专利技术提供了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法。该化学机械抛光液包括研磨颗粒，金属缓蚀剂，络合剂，氧化剂，表面活性剂和水，其中所述表面活性剂为一种或多种脂肪醇衍生物。本发明专利技术中的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求，针对前程铜抛光后的不同程度的碟型凹陷，均有很好的修复与控制能力。均有很好的修复与控制能力。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液及其使用方法


[0001]本专利技术涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法。

技术介绍

[0002]在集成电路制造中，互连技术的标准在提高，随着互连层数的增加和工艺特征尺寸的缩小，对硅片表面平整度的要求也越来越高，如果没有平坦化的能力，在半导体晶圆上创建复杂和密集的结构是非常有限的，化学机械抛光工艺CMP就是可实现整个硅片平坦化的最有效的方法。
[0003]CMP工艺就是使用一种含磨料的混合物抛光集成电路表面。在典型的化学机械抛光方法中，将衬底直接与旋转抛光垫接触，用一载重物在衬底背面施加压力。在抛光期间，垫片和操作台旋转，同时在衬底背面保持向下的力，将磨料和化学活性溶液(通常称为抛光液或抛光浆料)涂于垫片上，该抛光液与正在抛光的薄膜发生化学反应开始进行抛光过程。
[0004]铜阻挡层的CMP通常分为三步，第一步使用较高的压力去除大量的铜，第二步减低抛光压力，移除晶圆表面残余的铜并停在阻挡层上。第三步使用铜阻挡层抛光液进行阻挡层抛光。其中在第二步去除残余铜的过程中，铜表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光液，其特征在于，包括研磨颗粒，金属缓蚀剂，络合剂，氧化剂，表面活性剂和水，其中所述表面活性剂为一种或多种脂肪醇衍生物。2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述表面活性剂的结构式为：R1‑
X
‑
(CH2CH2O)
n
H其中，R1为H或所含碳原子数的范围为4
‑
30的有机取代基；X为氧原子；n为大于0且小于等于40的整数。3.如权利要求2所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述表面活性剂的质量百分比含量为0.0005％
‑
0.1％。4.如权利要求3所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述表面活性剂的质量百分比含量为0.001％
‑
0.02％。5.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述研磨颗粒为二氧化硅颗粒，所述研磨颗粒的质量百分比含量为2
‑
15％，所述研磨颗粒的粒径为20
‑
120nm。6.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述金属缓蚀剂为苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、1，2，4
‑
三氮唑、3
‑
氨基
‑
1，2，4
‑
三氮唑、2,2'
‑
[[(甲基
‑
1H
‑
苯并三唑
‑1‑
基)甲基]亚氨...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪宇飞，荆建芬，周靖宇，姚颖，周文婷，刘天奇，杨俊雅，蔡鑫元，常宾，唐浩杰，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：