一种化学机械抛光液及其使用方法技术

本发明专利技术旨在提供一种用于含碳材料的抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液，包含磨料、氧化剂和无机酸及其盐类，该抛光液在维持较高的含碳材料去除速率的同时，有效减少了抛光垫表面的抛光副产物残留，显著提升了抛光垫表面清洁程度，延长了抛光垫的使用寿命，降低了抛光后晶圆表面的缺陷。了抛光后晶圆表面的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液及其使用方法


[0001]本专利技术涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种化学机械抛光液及其使用方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，以及大规模集成电路互连层的不断增加，导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键。二十世纪80年代，由IBM公司首创的化学机械抛光(CMP)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法。化学机械抛光(CMP)由化学作用、机械作用以及这两种作用结合而成。它通常由一个带有抛光垫的研磨台，及一个用于承载芯片的研磨头组成。其中研磨头固定住芯片，然后将芯片的正面压在抛光垫上。当进行化学机械抛光时，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台相同的运动方向旋转。与此同时，含有研磨剂的浆液被滴到抛光垫上，并因离心作用平铺在抛光垫上。芯片表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化。
[0003]碳化硅、无定形碳等含碳材料作为新一代宽带隙半导体材料，具有宽带隙、高热导率、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率、高化学稳定性等特点，在高温、高频、大功率、高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力。然而含碳材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光液，其特征在于，包含磨料、氧化剂、无机酸及其盐类和水。2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述无机酸选自氢溴酸、氢碘酸、氢碲酸、硼酸、过硼酸、偏硼酸、溴酸、碘酸、铬酸、锰酸、砷酸、钨酸、钼酸、硒酸、碲酸、铅酸、偏铝酸、偏亚砷酸、磷酸、次磷酸、焦磷酸中的一种或多种；所述盐类选自钾盐、钠盐或铵盐中的一种或多种。3.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述氧化剂为高锰酸钾。4.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述磨料选自二氧化锰、三氧化二铝、二氧化铈、二氧化钛单组分磨料以及表面包覆二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铈、二氧化钛的复合磨料中一种或多种。5.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述磨料的质量百分比含量为0.1
‑
10％。6.如权利要求1所述的化学机械...

【专利技术属性】
技术研发人员：周靖宇，马健，荆建芬，倪宇飞，宋凯，汪国豪，周文婷，杨征，王拓，许芃亮，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：