一种用于钨抛光的化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术提供一种用于钨抛光的化学机械抛光液，其包括：水、研磨颗粒、钨抛光促进剂、稳定剂、过氧化物、第一种钨的腐蚀抑制剂、第二种钨的腐蚀抑制剂。本发明专利技术的化学机械抛光液中两种腐蚀抑制剂的协同作用可以显著降低钨的静态腐蚀速率，提高钨的抛光速度与静态腐蚀速度比，改善图形芯片中的侵蚀缺陷(erosion)，显著提高产品的良率。提高产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于钨抛光的化学机械抛光液


[0001]本专利技术涉及半导体制造用化学试剂的领域，尤其涉及一种用于钨抛光的化学机械抛光液。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，以及大规模集成电路互连层的不断增加，导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键。二十世纪80年代，由IBM公司首创的化学机械抛光(CMP)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法。
[0003]化学机械抛光(CMP)由化学作用、机械作用以及这两种作用结合而成。它通常由一个带有抛光垫的研磨台，及一个用于承载芯片的研磨头组成。其中研磨头固定住芯片，然后将芯片的正面压在抛光垫上。当进行化学机械抛光时，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台一样的运动方向旋转。与此同时，含有研磨剂的浆液被滴到抛光垫上，并因离心作用平铺在抛光垫上。芯片表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化。
[0004]对金属层化学机械抛光(CMP)的主要机制被认为是：氧化剂先将金属表面氧化成膜，以二氧化硅和氧化铝为代表的研磨剂将该层氧化膜机械去除，产生新的金属表面继续被氧化，这两种作用协同进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于钨抛光的化学机械抛光液，其特征在于，包括：水、研磨颗粒、钨抛光促进剂、稳定剂、过氧化物、第一种钨腐蚀抑制剂和第二种钨腐蚀抑制剂。2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述第一种钨腐蚀抑制剂为一种或多种氨基酸。3.根据权利要求2所述的所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述氨基酸选自甘氨酸、精氨酸、组氨酸、赖氨酸、谷氨酸、脯氨酸中的一种或者多种。4.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述第二种钨腐蚀抑制剂选自由二个或三个氨基糖分子和一个非糖部分的氨基环醇通过醚键连接而成的化合物。5.根据权利要求4所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述第二种钨腐蚀抑制剂选自硫酸链霉素、卡那霉素、妥布霉素、硫酸阿米卡星、硫酸新霉素、庆大霉素中的一种或多种。6.根据权利要求5所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述第二种钨腐蚀抑制剂为硫酸新霉素。7.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述研磨颗粒选自硅溶胶、气相二氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化钛、氧化锆中的一种或多种。8.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述钨抛光促进剂为一种或多种可以提供铁离子的化合物。9.根据权利要求8所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述钨抛光促进剂选自硝酸铁、硫酸铁、氯化铁中的一种或多种。10.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述稳定剂选自有机酸。11.根据权利要求10所述的化学机械抛...

【专利技术属性】
技术研发人员：何华锋，王晨，史经深，郁夏盈，李星，孙金涛，顾钦源，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：