一种研磨抛光液的清洗剂及其制备方法技术

本申请涉及半导体材料加工助剂领域，具体公开了一种研磨抛光液的清洗剂及其制备方法。一种研磨抛光液的清洗剂，以100重量份数计，包括如下组分：有机酸15

【技术实现步骤摘要】
一种研磨抛光液的清洗剂及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体材料加工助剂领域，更具体地说，它涉及一种研磨抛光液的清洗剂及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体是指常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等。相较于传统的以硅和砷化镓为衬底的太阳能电池，以锗为衬底的太阳能电池具有光电转换效率高、耐热性高和抗空间辐射能力强的优点。
[0003]锗晶片的加工过程一般包括过单晶生长、晶棒切割、边缘倒角、表面研磨、表面粗抛光和精抛光、表面超洁净清洗、晶片包装等环节。由于锗是一种非常脆的材料，因此其在加工过程中容易出现划痕、麻点等机械损伤或表面缺陷，影响其产品质量，而抛光是实现锗晶片表面平整化、提升其表面质量的重要手段。
[0004]目前锗晶片的主要抛光方法为化学机械抛光法（CMP）。化学机械抛光法是利用化学抛光液对晶片进行腐蚀抛光，同时在机械压力的作用下，利用抛光垫、晶片和磨料之间的相对运动将晶片表面的腐蚀层去除，从而实现锗片的镜面抛光。
[0005]常用的抛光液由一定量的磨料、氧化剂、表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种研磨抛光液的清洗剂，其特征在于，以100重量份数计，包括如下组分：有机酸15
‑
25份、螯合剂5
‑
10份、润湿剂4
‑
8份、渗透剂3
‑
6份、聚乙二醇改性环糊精3
‑
6份、微晶纤维素1
‑
3份、助溶剂3
‑
6份，余量为水；所述聚乙二醇改性环糊精由重量比为1:2
‑
4的环糊精和聚乙二醇制成。2.根据权利要求1所述的一种研磨抛光液的清洗剂，其特征在于，所述有机酸由重量比为1:1
‑
3:1
‑
3的丁二酸、草酸、柠檬酸组成。3.根据权利要求1所述的一种研磨抛光液的清洗剂，其特征在于，所述润湿剂由重量比为1:1
‑
3:2
‑
4的月桂醇聚氧乙烯醚、椰子油脂肪酸二乙醇酰胺和烷基糖苷组成。4.根据权利要求1所述的一种研磨抛光液的清洗剂，其特征在于，所述渗透剂由重量比为1:1
‑
4的脂肪酸甲酯磺酸盐和磺化琥珀酸二辛酯钠盐组成。5.根据权利要求1所述的一种研磨抛光液的清洗剂，其特征在于，所述聚乙二醇改性环糊精采用如下方法制备而成：将环糊精溶于水中，搅拌均匀，加入聚乙二醇，在80
‑
90℃的温度下，搅拌2
‑
4h；冷却后，经过沉淀、干燥后，得到聚乙二醇改性环糊精。6.根据权利要求1所述的一种研磨抛光液的清洗剂，其特征在于，所述微晶纤维素为改性微晶纤维素，所述改性微晶纤维素采...

【专利技术属性】
技术研发人员：王元立，贺友华，陈美琳，
申请(专利权)人：北京通美晶体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：