硅片碱抛光用添加剂及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种硅片碱抛光用添加剂，其各组分的含量为：0.5～2质量份明胶、1～2质量份丙烯酰胺、0.5～2质量份季铵盐、1～3质量份对氨基水杨酸钠、4～5质量份硫氰酸铵、3～4质量份烷基糖苷、0.1～0.3质量份苯甲酸钠、81.7～89.9质量份水。在硅片碱抛光的抛光液中添加本发明专利技术的添加剂，能改变[111]/[100]面的反应速率，抑制[100]面的反应速度，能改变硅片背面平整度，能使碱抛光后硅片背面形成相对粗糙的小尺寸塔基状结构，小幅度降低硅片背面反射率，这有利于背面浆料接触，提升浆料拉力，还能使FF得以提升，提高电池片电性能。提高电池片电性能。提高电池片电性能。

【技术实现步骤摘要】
硅片碱抛光用添加剂及其应用


[0001]本专利技术涉及光伏领域，具体涉及一种硅片碱抛光用添加剂及其应用。

技术介绍

[0002]单晶硅背抛光用添加剂是指在单晶硅太阳能电池的制造工艺过程中，在抛光液中添加的有利于保护硅片正面PN结不被破坏，且提高背面抛光效果的化学助剂。在晶硅太阳能电池片生产过程中，为了进一步提升电池片的性能和效率，通常会对硅片背面进行抛光，使硅片背表面更加光滑甚至达到镜面效果，抛光后硅片的背面平整，一方面可以加强对透射光的反射减小透光率，另一方面可以使铝浆与硅片表面接触更加充分提高钝化效果。通过背表面抛光分别使电流Isc和开路电压Voc得到了提升，从而可以提高太阳能电池的转换效率。
[0003]对于PERC电池而言，从背钝化的角度出发，对碱抛后的反射率和塔基要求较高，反射率要求在40%以上，且塔基尺寸大于15μm，因为较高的背反射率和尺寸较大的塔基可以形成较好的钝化效果。而从背面铝浆匹配的角度出发，对碱抛后的塔基要求较低，塔基尺寸要求在10μm以下，因为尺寸较小的塔基可以形成较好的接触。因此塔基的尺寸控制对最终电池的效率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.硅片碱抛光用添加剂，其特征在于，其各组分的含量为：0.5～2质量份明胶、1～2质量份丙烯酰胺、0.5～2质量份季铵盐、1～3质量份对氨基水杨酸钠、4～5质量份硫氰酸铵、3～4质量份烷基糖苷、0.1～0.3质量份苯甲酸钠、81.7～89.9质量份水。2.根据权利要求1所述的硅片碱抛光用添加剂，其特征在于，所述水为去离子水。3.根据权利要求1所述的硅片碱抛光用添加剂，其特征在于，所述季铵盐选自十二烷基二甲基苄基氯化铵、苄基三乙基氯化铵、四丁基氯化铵中的一种或几种。4.硅片碱抛光用抛光液，其特征在于，其含有碱液和权利要求1、2或3所述的添加剂，添加剂与碱液的质量比为0.5～2:100；碱液为碱组分的水溶液，碱组分包括氢氧化钾和/或氢氧化钠。5.根据权利要求4所述的硅片碱抛光用抛光液，其特征在于，所述碱液中碱组分总的质量百分含量为1.5%～4%。6.硅片碱抛光方法，其特征在于，利用权利要求4或5所述的抛光液对硅片进行抛光处理；所述硅片为单晶硅片。7.根据权利要求6所述的硅片碱抛光方法，其特征在于，其具体步骤包括：1）配制添加剂：将0.5～2质量份明胶、...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴银强，章圆圆，陈培良，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：